利用晶圆间结合的中子检测器制造技术

一种制造中子检测器的方法包括：通过至少在基板上形成氧化物层、在氧化物层上形成活性半导体层并且在活性半导体层上形成互连层而形成第一晶圆；形成从互连层通过活性半导体层和氧化物层延伸的至少一条导电径路；在互连层和第二晶圆之间形成电路转移结合部；在形成电路转移结合部之后移除第一晶圆的基板；在移除第一晶圆的基板之后在氧化物层上沉积结合垫，其中结合垫被电连接到导电径路；在移除第一晶圆的基板之后在氧化物层上沉积阻挡层；和，在沉积阻挡层之后在阻挡层上沉积中子转换层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开一般地涉及半导体器件。
技术介绍
中子粒子检测是一种用于裂变核材料检测的方法。因为中子无任何电荷，所以它们的检测通常依赖于它们在核反应中的参与。某些中子检测器包括气体填充管，气体填充管包含与中子反应以形成能够随后通过电离而检测的二级带电粒子的中子敏感材料诸如或者3He或者BF3气体。这种气体填充比例中子检测器能够是比较昂贵的、比较庞大的、非机械稳健(rugged)的，并且要求大量的电力进行操作。
技术实现思路
通常，本公开涉及制造一种能够被用作中子检测器的半导体器件。通过在基板上形成包括氧化物层、活性半导体层和互连层的第一晶圆、在第一晶圆和第二晶圆之间形成电路转移结合部、移除基板并且在氧化物层上沉积结合垫、阻挡层和中子转换层而制造该半导体器件。在一个方面，本公开涉及一种制造中子检测器的方法，该方法包括:通过至少在基板上形成氧化物层、在氧化物层上形成活性半导体层并且在活性半导体层上形成互连层而形成第一晶圆；形成从互连层通过活性半导体层和氧化物层延伸的至少一条导电径路；在第一晶圆的互连层和第二晶圆之间形成电路转移结合部；在形成电路转移结合部之后移除第一晶圆的基板；在移除第一晶圆的基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造中子检测器的方法，所述方法包括：通过至少在基板上形成氧化物层、在所述氧化物层上形成活性半导体层并且在所述活性半导体层上形成互连层而形成第一晶圆；形成从所述互连层通过所述活性半导体层和所述氧化物层延伸的至少一条导电径路；在所述第一晶圆的互连层和第二晶圆之间形成电路转移结合部；在形成所述电路转移结合部之后移除所述第一晶圆的所述基板；在移除所述第一晶圆的所述基板之后在所述第一晶圆的所述氧化物层上沉积结合垫，所述结合垫被电连接到所述导电径路；在移除所述第一晶圆的所述基板之后在所述第一晶圆的所述氧化物层上沉积阻挡层；和在沉积所述阻挡层之后在所述阻挡层上沉积中子转换层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：BJ拉森，TA兰达佐，
申请(专利权)人：霍尼韦尔国际公司，
类型：发明
国别省市：美国;US