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一种制造中子检测器的方法包括：通过至少在基板上形成氧化物层、在氧化物层上形成活性半导体层并且在活性半导体层上形成互连层而形成第一晶圆；形成从互连层通过活性半导体层和氧化物层延伸的至少一条导电径路；在互连层和第二晶圆之间形成电路转移结合部；在...
该专利属于霍尼韦尔国际公司所有，仅供学习研究参考，未经过霍尼韦尔国际公司授权不得商用。

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