模仁及其加工方法技术

本发明专利技术提供一种模仁及其加工方法，该加工方法包括以下步骤：提供一基板；利用多次光刻及化学蚀刻制程在该基板上形成多个阶梯式多阶圆槽。利用由增加使用光罩次数，本方法可在基板上形成近似圆弧形凹面的阶梯式多阶圆槽。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种。
技术介绍
模仁的加工一般包括机械加工与化学蚀刻的方法，机械加工方法操作简单，加工成本较低，因而是较为常用的方法。然而，因为某些精密组件的加工需求，模仁加工必须严格控制精密度，而机械加工法则不易控制精密度，所以不能满足精密组件的加工。化学蚀刻法是利用光刻制程将光罩上的设计图案转移至模仁加工基板，再使用化学溶液在基板上进行化学蚀刻，从而得到预先设计的结构。化学蚀刻法可调节制程参数，因而可较易控制模仁加工的精密度。但是，在加工制作具有圆弧形凸点的导光板所需的模仁时，必须利用非等向性化学蚀刻法，而非等向性化学蚀刻法不易控制蚀刻的方向，因而不能得到预先设计的圆弧形凹面，常造成设计理念无法完全实践于所加工的模仁之中，从而造成修模次数及费用增加，并且会造成设计失真。
技术实现思路
为解决现有技术模仁加工方法不易控制精密度的技术问题，本专利技术提供一种较易控制精密度的模仁加工方法。为解决现有技术模仁的精密度较差的技术问题，本专利技术提供一种具有较高精密度的模仁。本专利技术为解决现有技术问题而采用的技术方案是提供一基板；利用多次光刻及化学蚀刻制程在该基板上形成多个阶梯式多阶圆槽，从而得到模仁。本专利技术为解决现有技术问题而采用的技术方案是提供一模仁，其包括一基板及多个阶梯式多阶圆槽，其中该多个阶梯式多阶圆槽位于该基板。相较于现有技术，本专利技术的模仁加工方法根据二阶光学理论，利用光刻及等向性化学蚀刻制程在该基板上形成阶梯式多阶圆槽，由于等向性化学蚀刻易于控制蚀刻的方向，可较易控制加工精密度，利用增加使用光罩的次数，即可得到近似于圆弧形凹面的阶梯式多阶圆槽。附图说明图1是本专利技术模仁加工方法提供的基板的立体图。图2是本专利技术模仁加工方法使用一次光罩后的基板立体示意图。图3是图2沿III-III方向的剖视示意图。图4是本专利技术模仁加工方法使用二次光罩后的基板剖视示意图。图5是本专利技术模仁加工方法使用三次光罩后的基板剖视示意图。图6是本专利技术模仁加工方法使用四次光罩后的基板剖视示意图。图7是本专利技术圆弧面的二阶分析示意图。具体实施方式本专利技术的模仁加工方法包括以下步骤提供一基板；利用光刻及化学蚀刻制程在该基板上形成多个阶梯式多阶圆槽，从而得到模仁。如图1所示，首先提供一基板100，其包括一表面110。该基板100的形状为平板形，当然，也可以按照模具的需要采用其它形状。该基板100的材质一般是采用金属镍，金属镍具有较高的硬度，可满足模仁对硬度的需要。本专利技术的模仁加工方法的第二步骤是对该基板进行多个光刻及化学蚀刻制程，即使用多次光罩(图未示)。光刻制程是将预先设计的电路图案转移至光罩，利用特定光源，光线经过光罩照射至基板，即将光罩上的电路图案转移至基板100。化学蚀刻制程是利用转移至基板100的电路图案对基板100进行化学蚀刻，形成特定结构。如此反复，即可在基板100上形成预先设计的结构。若只使用一次光罩，如图2及图3所示，在基板100的表面110进行光刻制程，将设计的图案转移至基板100的表面110，利用等向性化学蚀刻制程，在基板100的表面110形成多个多阶圆槽200(此时为一阶)。该多阶圆槽200包括一圆槽底面210，其具有预定的半径及深度。如图4、图5及图6所示，分别是使用二、三及四次光罩后所形成的二阶、三阶及四阶圆槽的示意图。各阶圆槽都是在前一阶圆槽的底面蚀刻而成，并且其半径及深度都是预先设定的值。例如，各阶圆槽的深度可保持固定，而半径则可以等值递减。随着光罩使用次数的增加，即圆槽的阶梯数的增加，该多阶圆槽200越近似于圆弧形凹面。再请参阅图7，是圆弧形二阶分析示意图。圆弧形可近似转化为多阶，阶梯的数目越高，则近似程度越高。各阶阶梯的半径及深度可自由调配，具有多种较佳组合，因而本专利技术的多阶圆槽不限于图中所示，而是另有多种实施方式。本专利技术的模仁加工方法还有其它多种实施方式，例如，基板也可采用金属镍合金，或者具有较高硬度的其它金属材质。本专利技术依上述方法加工的模仁如6图所示，其包括一基板100。该基板100的形状是平板形，当然，也可以按照模具的需要采用其它形状。该基板100的材质一般是采用金属镍，金属镍具有较高的硬度，可满足模仁对硬度的需要。该基板100包括多个阶梯式多阶圆槽200，其是利用上述模仁加工方法制成。本专利技术的模仁具有近似圆弧形凹面的多阶圆槽200，可用于制作导光板的散射点等弧形或球形产品，并且通过调整使用光罩的次数及参数，可较易控制加工的精密度。权利要求1.一种模仁，其包括一基板，其特征在于该模仁进一步包括多个阶梯式多阶圆槽，其位于该基板。2.根据权利要求1所述的模仁，其特征在于该基板所使用的材料为金属。3.根据权利要求2所述的模仁，其特征在于该基板所使用的材料为镍。4.根据权利要求2所述的模仁，其特征在于该基板所使用的材料为镍合金。5.根据权利要求1所述的模仁，其特征在于该基板为平板形。6.根据权利要求1所述的模仁，其特征在于该多阶圆槽的各阶深度相同。7.根据权利要求1所述的模仁，其特征在于该多阶圆槽的各阶半径以等值递减。8.一种模仁加工方法，其包括以下步骤提供一基板；利用多次光刻及化学蚀刻制程于该基板形成多个阶梯式多阶圆槽。9.根据权利要求8所述的模仁加工方法，其特征在于该化学蚀刻制程是采用等向性蚀刻。全文摘要本专利技术提供一种，该加工方法包括以下步骤提供一基板；利用多次光刻及化学蚀刻制程在该基板上形成多个阶梯式多阶圆槽。利用由增加使用光罩次数，本方法可在基板上形成近似圆弧形凹面的阶梯式多阶圆槽。文档编号B23P15/24GK1533862SQ03114059公开日2004年10月6日 申请日期2003年3月28日 优先权日2003年3月28日专利技术者余泰成, 吕昌岳, 陈杰良 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种模仁，其包括一基板，其特征在于：该模仁进一步包括多个阶梯式多阶圆槽，其位于该基板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：余泰成，吕昌岳，陈杰良，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]