【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术整体上涉及光刻成像,尤其涉及在补偿光刻设备的系统引起的闪烁效应的情况下校正制造掩模的设计布局。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上,通常是衬底的目标部分上的机器。例如,可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常,图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常,单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。已广泛地承认光刻术是IC和其它的器件和/或结构制造中的关键步骤之一。然而,随着使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小,光刻术正在成为使得能够制造微型的IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。上文所述的光刻掩模包括与待集成到硅晶片上的电路部件相对应的几何图案。用于产生这样的掩模的图案被使用CAD(计算机辅助设计)程序产生,该过程经常被称作为EDA(电子设计自动化)。大多数CAD程序遵循一套预定的设计规则,用于产生功能性的掩模。这些规则由处理和设计限制设定。例如,设计规则定义了电路器件(诸如栅极、电容器等)或互连线之间的间隔容差,以便确保电路器件或线不会以不被期望的方式彼此相互作用。该设计规则限制通常被称为“临界尺寸”(CD)。电路的临界尺寸可以被定义为线或孔的最小宽度或两条线或两个孔之间的最小间隔。于是,CD确定了所设计的电路的整体尺寸和密度。当然,在集成电路制作中的目标之一是(借助掩模)在晶片上 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.14 US 61/403,3831.一种用于减小由用于将设计布局成像到衬底上的光刻系统产生的闪烁效应的方法,所述方法包括步骤: 通过将曝光场处的设计布局的密度分布图与点扩散函数(PSF)进行数学组合来模拟光刻系统的曝光场中的闪烁分布图,其中闪烁分布图上的系统特定的效应被包含到所述模拟中;和 通过使用所确定的闪烁分布图来计算设计布局的依赖于位置的闪烁校正,由此减小所述闪烁效应。2.根据权利要求1所述的方法, 其中所述系统特定的效应包括下述中的一个或更多个:由于来自掩模的黑边界的反射造成的闪烁效应、由于来自用于限定曝光狭缝的一个或更多个掩模版遮蔽刀片的反射造成的闪烁效应、由于过扫描造成的闪烁效应、由于来自动态气锁(DGL)机制的气锁子孔径的反射造成的闪烁效应和由于其他相邻的曝光场的贡献造成的在特定的曝光场内的闪烁效应。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述PSF是各向异性的,以模拟下述效应中的一个或更多个:由于来自掩模的黑边界的反射造成的闪烁效应、由于来自用于限定曝光狭缝的一个或更多个掩模版遮蔽刀片的反射造成的闪烁效应、由于过扫描造成的闪烁效应、由于来自动态气锁(DGL)机制的气锁子孔径的反射造成的闪烁效应和由于其他相邻的曝光场的贡献造成的在特定的曝光场内的闪烁效应。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述密度分布图包括在被光学增强特征(OEF)修改之后所述设计布局的表示。5.根据权利要求1所述的方法,其中所述密度分布图由下述步骤生成: 获得单个芯片的设计布局,其中在曝光场处的总设计布局包括一个或更多个基本上相同的单个芯片的设计布局; 获得具有关于曝光场内的每个单个芯片位置的信息的位置数据库;和 使用所述位置数据库重现曝光场内的单个芯片的设计布局。6.根据权利要求1所述的方法,其中所述方法还包括: 使用相对粗糙的栅格来近似曝光场处的设计布...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘华玉,刘伟,李江伟,陈洛祁,江泂,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:
国别省市:
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