面漆组合物和光刻法制造技术

面漆组合物和光刻法。提供了一种用于浸没式光刻法的面漆组合物，所述面漆组合物包括：聚合物体系，所述聚合物体系包括基质聚合物和表面活性聚合物，其中在所述组合物中，基质聚合物具有与表面活性聚合物的重量比相比较高的重量比，并且其中该表面活性聚合物具有与基质聚合物的表面能相比较低的表面能；和溶剂体系，所述溶剂体系包括选自γ-丁内酯和/或γ-戊内酯的第一有机溶剂和第二有机溶剂，其中该第一有机溶剂具有与该表面活性聚合物的表面能相比较高的表面能，并且该第一有机溶剂具有与第二有机溶剂的沸点相比较高的沸点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在浸没式光刻工艺中涂覆在光刻胶组合物之上的面漆组合物。本专利技术还涉及使用该面漆组合物的浸没式光刻法。本专利技术特别适用于在半导体制造业中制造半导体器件。
技术介绍
光刻胶是将图案复制到基板上所使用的光敏性薄膜。在基板上形成光刻胶涂层，然后在活化辐射源下通过光掩模曝光该光刻胶层。光掩模具有对于活化辐射不透明的区域和对于活化辐射透明的其他区域。在活化辐射下曝光使光刻胶涂层发生光诱导化学转化，从而将光掩模的图案转移到光刻胶涂覆的基板上。在曝光之后，烘焙光刻胶，然后与显影剂溶液接触显影，从而提供允许在基板上进行选择性加工的浮雕像。一种在半导体器件中加工出纳米(nm)尺度特征尺寸的方法是使用较短波长的光。然而难以找到在低于193nm下透明的材料，从而产生了浸没式光刻工艺，以利用液体聚集较多的光进入薄膜，从而增加镜头的数值孔径。浸没式光刻法在成像器件(例如KrF或者ArF光源)的上表面和基板例如半导体晶片的第一表面之间采用折射率相对较高的液体。在浸没式光刻法中，浸没液体和光刻胶层之间的直接接触导致在浸没液体中浸出光刻胶的成分。这种浸出导致光学镜头污染并导致浸没液体的有效折射率和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于浸没式光刻法的面漆组合物，所述面漆组合物包括：聚合物体系，所述聚合物体系包括基质聚合物和表面活性聚合物，其中在所述组合物中，基质聚合物具有与表面活性聚合物的重量比相比较高的重量比，并且其中该表面活性聚合物具有与基质聚合物的表面能相比较低的表面能；和溶剂体系，所述溶剂体系包括选自γ?丁内酯和/或γ?戊内酯的第一有机溶剂和第二有机溶剂，其中该第一有机溶剂具有与该表面活性聚合物的表面能相比较高的表面能，并且该第一有机溶剂具有与第二有机溶剂的沸点相比较高的沸点。

【技术特征摘要】
2011.11.07 US 61/556,3241.一种用于浸没式光刻法的面漆组合物，所述面漆组合物包括: 聚合物体系，所述聚合物体系包括基质聚合物和表面活性聚合物，其中在所述组合物中，基质聚合物具有与表面活性聚合物的重量比相比较高的重量比，并且其中该表面活性聚合物具有与基质聚合物的表面能相比较低的表面能；和 溶剂体系，所述溶剂体系包括选自Y-丁内酯和/或Y-戊内酯的第一有机溶剂和第二有机溶剂，其中该第一有机溶剂具有与该表面活性聚合物的表面能相比较高的表面能，并且该第一有机溶剂具有与第二有机溶剂的沸点相比较高的沸点。2.权利要求1的面漆组合物，其特征在于该第一有机溶剂是Y-丁内酯。3.权利要求1的面漆组合物，其特征在于该第一有机溶剂是Y-戊内酯。4.权利要求1-3任一项的面漆组合物，其特征在于，以该溶剂体系为基准，该第一有机溶剂的含量为...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·王，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：