铝质等离子体室部件的清洁方法技术

一种清洁等离子体室组件表面的方法，其中：该组件具有铝或阳极化铝表面，该方法包括步骤：把该组件的该表面浸泡在稀释的硫酸过氧化物（DSP）溶液中；把该表面从该DSP溶液中移除之后，喷射冲洗该表面；把该表面浸泡在稀硝酸（HNO3）溶液中；把该表面从该硝酸溶液中移除之后，喷射冲洗该表面；且重复在稀硝酸中浸泡该表面然后喷射冲洗该表面的步骤至少两次。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
自20世纪80年代以来，铝合金和阳极化铝由于其独特的性能和较低的成本，已被广泛地用作等离子体蚀刻室的部件涂层、去胶室、和工艺包。此外，可以预料的是，今后它们还将继续作为等离子体蚀刻室涂层或去胶室。随着蚀刻特征尺寸收缩至45纳米、32纳米、甚至25纳米以及新的蚀刻应用，铝和阳极化铝的去污和表面清洁已成为实现硅晶片制造高产率的重要因素。因此，提供铝和阳极化铝的改善的精密湿法清洁，以达到零颗粒、低过渡金属污染和低的诸如Na (钠)和K(钾)等可动离子水平，但不会引起裸铝/或下伏铝的腐蚀和阳极化铝独特特性的退化，这是合乎期望的。现有的裸铝及阳极化铝的精密湿法清洁程序，其包括在线和离线的精密湿法清洁程序，在半导体行业中已进行了多年。然而，已表明过去并没有引起技术上关注的裸铝和阳极化铝表面的相对高的金属污染水平会造成蚀刻工具的生产率的问题。每家供应商一般都有自己的清洁裸铝及阳极化铝的湿法清洁方法。在大多数情况下，表面的清洁度不佳且不一致。此外，供应商没有方法来评估裸铝和阳极化铝暴露于不同的化学品后的化学相容性。用于维持表面清洁后的清洁度的定量数据也不能得到。存在许多的问题，包括世界范围内的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洁处理半导体基板的等离子体室的组件的铝或阳极化铝表面的方法，该方法包括：把该表面浸泡在稀释的硫酸过氧化物（DSP）溶液中；把该表面从该DSP溶液中移除之后，喷射冲洗该表面；把该表面浸泡在稀硝酸（HNO3）溶液中；把该表面从该硝酸溶液移除之后，喷射冲洗该表面；且重复在稀硝酸中浸泡该表面然后喷射冲洗该表面的步骤至少两次。

【技术特征摘要】
2011.10.31 US 13/285,2031.一种清洁处理半导体基板的等离子体室的组件的铝或阳极化铝表面的方法，该方法包括: 把该表面浸泡在稀释的硫酸过氧化物(DSP)溶液中； 把该表面从该DSP溶液中移除之后，喷射冲洗该表面； 把该表面浸泡在稀硝酸(HNO3)溶液中； 把该表面从该硝酸溶液移除之后，喷射冲洗该表面；且 重复在稀硝酸中浸泡该表面然后喷射冲洗该表面的步骤至少两次。2.根据权利要求1所述的方法，其还包括，在把该表面浸泡在该稀释的硫酸过氧化物(DSP)溶液中之前，执行以下步骤: 把该表面浸泡在丙酮中； 将该表面从丙酮中移除后，把该表面浸泡在异丙醇(IPA)中； 把该表面从IPA中移除后，用水(超纯水)喷射冲洗该表面。3.根据权利要求1所述的方法，其还包括，重复在硝酸中浸泡该表面然后喷射冲洗该表面的步骤至少两次之后，对该表面进行超声波清洁。4.根据权利要求3所述的方法，其还包括，在超声波清洁之后，喷射冲洗该表面，并用清洁干燥的空气(CDA)或氮吹干该表面。5.根据权利要求4所述的方法，还包括，在该喷射冲洗和吹干该表面之后，烘焙该表面。6.根据权利要求1所述的方法，其中，该DSP溶液含有约5.0vo 1%的98wt% H2SO4溶液、5.0vo 1% 的 30% H2O2 溶液、及 90vol % 的超纯水(UPW)。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述稀HNO3溶液具有浓度约为2至5wt%的HNO3和作为余量的水。8.根据权利要求1的方法，还包括，使用至少两种不同的稀硝酸溶液执行该重复在稀硝酸中浸泡该表面然后喷射冲洗该表面的步骤至少两次。9.根据权利要求1的方法，还包括，在稀硝酸溶液中浸泡该表面之后用稀硝酸擦拭该表面，并且其中，该稀硝酸擦拭是通过使用在浓度为约2wt %的HNO3且余量为水的溶液中浸溃的...

【专利技术属性】
技术研发人员：石洪，约翰·多尔蒂，迪安·J·拉森，黄拓川，阿门·阿沃扬，杰里米·张，西瓦克米·拉马纳坦，罗伯特·安德森，方言，杜安·乌特卡，保罗·马尔格鲁，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：