电子元器件制造技术

本发明专利技术提供一种电子元器件，能不使元件变大而降低LC并联谐振器的耦合度。层叠体(12)通过层叠多个绝缘体层(16)而构成。LC并联谐振器(LC1～LC3)是由在z轴方向上延伸的过孔导体、及设置于绝缘体层(16)上的导体层组成且呈环形的LC并联谐振器，并构成带通滤波器。LC并联谐振器(LC1、LC3)的环形面(S1，S3)、与LC并联谐振器(LC2)的环形面(S2)与z轴方向平行，且互不平行。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种电子元器件，特别涉及一种包括由多个LC并联谐振器组成的带通滤波器的电子元器件。
技术介绍
作为现有的电子元器件，例如，已知有专利文献I中记载的层叠式带通滤波器。该层叠式带通滤波器包括层叠体以及多个LC并联谐振器。层叠体通过层叠多个电介质层而构成。各LC并联谐振器由电容器电极及电感器电极构成。电感器电极形成为环形。并且，各个LC并联谐振器的环形面相互重叠。在如上的层叠式带通滤波器中，由于环形面相互重叠，因此能够提高相邻LC并联谐振器的电感电极间的耦合度，并实现宽频带化。然而，在包括由多个LC并联谐振器组成的带通滤波器的电子元器件中，有时为了得到所希望的特性，会希望LC并联谐振器的电感器电极间的耦合度下降。在专利文献I所记载的层叠式带通滤波器中，作为使相邻的LC并联谐振器间的耦合度下降的方法，列举有将LC并联谐振器间的距离扩大的方法。然而，若将LC并联谐振器间的距离扩大，将产生层叠式带通滤波器变大的问题。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2007 / 119356号刊物
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题因此，本专利技术的目的在于，提供一种能够不使元件变大、而降低线圈间耦合度的电子元器件。为解决问题所采用的技术方案本专利技术的一个实施方式所涉及的电子元器件包括层叠体，该层叠体通过层叠多个绝缘体层而构成；以及第一 LC并联谐振器及第二 LC并联谐振器，该第一 LC并联谐振器及第二 LC并联谐振器包括在层叠方向上延伸的过孔导体及设置于上述绝缘体层上的导体层，且呈环形，并且构成带通滤波器，该电子元器件的特征在于，上述第一 LC并联谐振器的第一环形面与上述第二 LC并联谐振器的第二环形面与层叠方向平行，且互不平行。专利技术效果根据本专利技术，能不使元件变大、而调整LC并联谐振器的线圈间的耦合度。附图说明图1是本专利技术的实施方式所涉及的电子元器件的外观立体图。图2是电子元器件的层叠体的分解立体图。图3是电子元器件的等效电路图。图4是表示模拟结果的曲线图。图5(a)是从z轴方向的正方向侧透视第一变形例所涉及的电子元器件的图。图5 (a)是从z轴方向的正方向侧透视第二变形例所涉及的电子元器件的图。具体实施例方式下面，对本专利技术的实施方式所涉及的电子元器件进行说明。电子元器件的结构下面，参照附图对本专利技术的一个实施方式所涉及的电子元器件的结构进行说明。图1是本专利技术的实施方式所涉及的电子元器件10的外观立体图。图2是电子元器件10的层叠体12的分解立体图。图3是电子元器件10的等效电路图。图1及图2中，z轴方向表不层叠方向。另外，X轴方向表不沿着电子兀器件的长边的方向；y轴方向表不沿着电子元器件10的短边的方向。如图1及图2所示，电子元器件10包括层叠体12、外部电极14 (14a 14d)、LC并联谐振器LCl LC3及引出导体层20 (20a、20b)、28 (28a、28b)。如图2所示，层叠体12通过层叠由陶瓷电介质组成的绝缘体层16 (16a 16g)而构成，并呈长方体状。另外，层叠体12中内置有LC并联谐振器LCl LC3。如图1所示，外部电极14a设置于X轴方向的负方向一侧的侧面，用作为输入电极。外部电极14b设置于X轴方向的正方向一侧的侧面,用作为输出电极。外部电极14c设置于y轴方向的负方向一侧的侧面，用作为接地电极。外部电极14d设置于y轴方向的正方向一侧的侧面，用作为接地电极。如图2所示，绝缘体层16呈长方体状，例如由陶瓷电介质构成。绝缘体层16a 16g在z轴方向上按该顺序排列并层叠。下面，将绝缘体层16的z轴方向的正方向一侧的面称为表面；将绝缘体层16的z轴方向的负方向一侧的面称为背面。LC并联谐振器LCl包含线圈LI及电容器Cl。更详细而言，LC并联谐振器LCl由过孔导体bl b9、电容器导体层22a、线圈导体层24a以及接地导体层26组成，且呈环状。电容器Cl由电容器导体层22a及接地导体层26构成。接地导体层26是设置于LC并联谐振器LCl的z轴方向的最负方向一侧的导体层，设置于绝缘体层16g的表面上。接地导体层26呈长方形，几乎覆盖了绝缘体层16g的整个表面。电容器导体层22a是经由绝缘体层16f来与接地导体层26相对的导体层，设置于绝缘体层16f的表面上。由此，在电容器导体层22a与接地导体层26之间产生静电电容。电容器导体层22a呈现为在y轴方向上具有长边方向的长方形，并且设置于较绝缘体层16f的对角线的交点更向X轴方向的负方向一侧。线圈LI由过孔导体bl b9及线圈导体层24a构成。过孔导体bl b4分别在z轴方向上将绝缘体层16b 16e贯穿。另外，过孔导体b4的z轴方向的负方向一侧的端部与电容器导体层22a相连。由此,过孔导体bl b4构成一根与电容器导体层22a相连、并在z轴方向上延伸的过孔导体。过孔导体b5 b9分别在z轴方向上将绝缘体层16b 16f贯穿，并设置于较过孔导体bl b4更向y轴方向的正方向一侧。另外，过孔导体b9的z轴方向的负方向一侧的端部与接地导体层26相连。由此，过孔导体b5 b9构成一根与接地导体层26相连、并在z轴方向上延伸的过孔导体。线圈导体层24a是设置于LC并联谐振器LCl的z轴方向的最正方向一侧的导体层，设置于绝缘体层16b的表面上。线圈导体层24a呈现为在y轴方向的正方向一侧延伸的同时向X轴方向的负方向一侧前进的、相对于y轴倾斜的线状，并且设置于较绝缘体层16b的对角线的交点更向X轴方向的负方向一侧。并且，线圈导体层24a与由过孔导体bl b4组成的一根过孔导体的z轴方向的正方向一侧的端部、和由过孔导体b5 b9组成的一根过孔导体的z轴方向的正方向一侧的端部相连。S卩，过孔导体bl的z轴方向的正方向一侧的端部与线圈导体层24a的y轴方向的负方向一侧的端部相连。过孔导体b5的z轴方向的正方向一侧的端部与线圈导体层24a的y轴方向的正方向一侧的端部相连。由此，线圈LI呈现为“U”字型，该“U”字型以过孔导体b4与电容器导体层22a的连接点为一端，经由过孔导体bl b4、线圈导体层24a以及过孔导体b5 b9，并以过孔导体b9与接地导体层26为另一端。如上述那样构成的LC并联谐振器LCl形成环形面SI。环形面SI是通过被LC并联谐振器LCl包围而形成的长方形的假想平面。环形面SI与z轴方向平行，并且相对于y轴倾斜，以在向y轴方向的正方向一侧延伸的同时向X轴方向的负方向一侧前进。LC并联谐振器LC2包含线圈L2及电容器C2。更具体而言，LC并联谐振器LC2由过孔导体blO bl8、电容器导体层22b、线圈导体层24b以及接地导体层26组成，且呈环状。电容器C2由电容器导体层22b及接地导体层26构成。接地导体层26是设置于LC并联谐振器LC2的z轴方向的最负方向一侧的导体层，设置于绝缘体层16g的表面上。接地导体层26呈长方形，几乎覆盖了绝缘体层16g的整个表面。S卩，电容器C2与电容器Cl共用接地导体层26，并且电容器C2的接地导体层26设置于相同的绝缘体层16g的表面上。电容器导体层22b是经由绝缘体层16f来与接地导体层26相对的导体层，设置于绝缘体层16f的表面上。由此，在电容器导体层22b与接地导体层26之间产生静电电容。电容本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.03.25 JP 2011-0669841.一种电子元器件，包括: 层叠体，该层叠体通过层叠多个绝缘体层而构成；以及 第一 LC并联谐振器及第二 LC并联谐振器，该第一 LC并联谐振器及第二 LC并联谐振器包括在层叠方向上延伸的过孔导体、及设置于所述绝缘体层上的导体层，且呈环形，并且构成带通滤波器， 所述第一 LC并联谐振器的第一环形面与所述第二 LC并联谐振器的第二环形面与层叠方向平行，且互不平行2.如权利要求1所述的电子元器件，其特征在于， 所述层叠体呈长方体状，并且在从层叠方向俯视时，所述第二环形面与所述层叠体的边平行。3.如权利要求1或2所述的电子元器件，其特征在于， 所述第一环形面与所述第二环形面呈直角。4.如权利要求1至3中任一项所述电子元器件，其特征在于， 所述电子元器件进一步包括第三LC并联谐振器，该第三LC并联谐振器包括在层叠方向上延伸的过孔导体、及设置于所述绝缘体层上的导体层，且呈环形，并且与所述第一 LC并联谐振器及所述第二 LC并联谐振器一同构成带通滤波器， 所述第三LC并联谐振器的第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：增田博志，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：
国别省市：