【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于使电子照相设备接触充电的充电构件、处理盒和电子照相设备。
技术介绍
通常，接触电子照相感光构件以使电子照相感光构件充电的充电构件具有存在含橡胶的弹性层的构造以便充分和均匀地确保电子照相感光构件和充电构件之间的接触辊隙。弹性层不可避免地包含低分子量组分。为此原因，如果长期使用充电构件，则低分子量组分会从充电构件表面渗出从而污染电子照相感光构件的表面。对于该问题，日本专利申请特开2001-173641提出其中弹性层的周面涂布有无机氧化物涂膜或无机-有机杂化涂膜从而抑制低分子量组分从充电构件表面渗出的构造。近来，随着电子照相图像形成工艺的高速化，电子照相感光构件和充电构件之间的接触时间相对更短。该趋势不利于使得电子照相感光构件稳定和可靠的充电。在该环境下，具有形成于其周面上的用于抑制低分子量组分渗出的厚膜的充电构件不利于使得电子照相感光构件稳定和可靠的充电。另一方面，即使在将调色剂图像从电子照相感光构件转印至纸等上之后电子照相感光构件的表面也会具有残余调色剂或外部添加剂。该残余物由于长期使用会粘附至充电构件的表面，导致充电构件的充电性能的降低和电子照相图像品质的降低。为了抑制通过调色剂粘附引起的该调色剂成膜，日本专利申请特开2000-337355公开了具有包括特定有机娃接枝聚合物(silicone graft polymer)的最外层的导电棍。引用列表专利文献PTLl :日本专利申请特开2001-173641。PTLl :日本专利申请特开2000-337355。
技术实现思路
_9] 专利技术要解决的问题本专利技术旨在提供具有其中抑制低分子量组分...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.19 JP 2010-1839841.一种充电构件，其包括基体、弹性层和表面层，其中 所述表面层包括具有由式(I)、(2)和(3)表示的结构单元并且具有S1-O-Ti键、T1-O-Ta键和S1-O-Ta键的高分子化合物:2.根据权利要求1所述的充电构件，其中在所述高分子化合物中，所述式(I)中的R1和R2各自独立地表不任一种选自由式(8)-(11)表不的结构:3.根据权利要求1或2所述的充电构件，其中在所述高分子化合物中，钛和钽的原子总数与硅原子数之比(Ti+Ta)/Si为不小于0.1且不大于5.0。4.根据权利要求1-3任一项所述的充电构件，其中所述高分子化合物是具有由式(12)表示的结构的可水解化合物与由式(13)和式(14)表示的可水解化合物的交联产物: R33-Si (OR34) (OR35) (OR36)式(12)Ti (OR37) (OR38) (OR39) (OR40)式(13)Ta(OR41) (OR42) (OR43)...
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