【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】充电构件、处理盒和电子照相设备
本专利技术涉及用于电子照相设备的接触充电的充电构件，以及处理盒和电子照相设 备。
技术介绍
为了可以充分并均匀地确保感光构件和充电构件之间的抵接辊隙，通常构造具有 含有橡胶的弹性层的抵接感光构件以使感光构件充电的充电构件。由于此类弹性层不可避 免地含有低分子量组分，因此低分子量组分由于充电构件的长期使用可以朝向充电构件的 表面渗出从而污染感光构件的表面。为了解决该问题，日本专利申请特开No. 2001-173641 提出其中用无机氧化物涂膜或无机-有机杂化涂膜涂布弹性层的外周面以抑制低分子量 组分朝向充电构件的表面渗出的构造。 顺便提及，近年来，伴随着电子照相图像形成过程的速度的增加，感光构件和充电 构件彼此接触的时间已变得相对短，这对稳定和确保感光构件的充电是不利的。可以说，在 这种情况下，具有打算抑制低分子量组分渗出的、在其外周面上形成的厚膜的充电构件对 稳定和确保感光构件的充电是不利的。此外，抵接充电构件的感光构件的滑动摩擦的增加 促进渗出物从弹性层和表面层的析出，由此在某些情况下难以长时间使感光构件均匀地充 电。此外，由于感光构件表面上的电荷输送层随着充电构件和感光构件之间的滑动摩擦的 增加而容易受到刮擦，要求电荷输送层形成具有增加的厚度。然而，感光构件的电荷输送层 的厚度增加导致电荷输送层的静电容量的降低，由此使得由充电构件供给的电荷不稳定从 而引起在某些情况下由于异常放电导致的充电不均匀。 为了使感光构件稳定且均匀地充电，也提出抑制由于局部的泄漏导致的异 常放电的方法。为了抑制...
【技术保护点】
一种充电构件，其包括：基体、弹性层和表面层，其特征在于，所述表面层含有具有由以下通式(1)、化学式(2)和通式(3)表示的构成单元，并且具有Si‑O‑Ti键、Ti‑O‑M键和Si‑O‑M键的高分子化合物：TiO4/2 化学式(2)MO5/2 通式(3)通式(3)中，M为选自由V、Nb和W组成的组的任意原子；和通式(1)中，R1和R2各自独立地表示以下通式(4)‑(7)的任意一种；通式(4)‑(7)中：R3‑R7、R10‑R14、R19、R20、R25和R26各自独立地表示氢、具有1‑4个碳原子的烷基、羟基、羧基或氨基；R8、R9、R15‑R18、R23、R24和R29‑R32各自独立地表示氢或具有1‑4个碳原子的烷基；R21、R22、R27和R28各自独立地表示氢、具有1‑4个碳原子的烷氧基或具有1‑4个碳原子的烷基；n、m、l、q、s和t各自独立地表示1以上且8以下的整数；p和r各自独立地表示4以上且12以下的整数；x和y各自独立地表示0或1；“*”和“**”分别表示与通式(1)中的硅原子和氧原子的键合位置。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.05.22 JP 2012-1165641. 一种充电构件，其包括：基体、弹性层和表面层，其特征在于，所述表面层含有具有 由以下通式（1)、化学式（2)和通式（3)表示的构成单元，并且具有Si-O-Ti键、Ti-O-M键 和Si-O-M键的高分子化合物：TiO4A化学式⑵ M05/2 通式（3) 通式（3)中，M为选自由V、Nb和W组成的组的任意原子；和通式（1)中，RjPR2各自 独立地表示以下通式（4)-(7)的任意一种；通式（4)-⑵中：R3-R7、R1Q-R14、R 19、R2Q、R25和R26各自独立地表示氢、具有1-4个碳原 子的烷基、羟基、羧基或氨基；R8、R9、R15_R18、R 23、R24和R29-R32各自独立地表示氢或具有1-4 个碳原子的烷基；R21、R22、R27和R28各自独立地表示氢、具有1-4个碳原子的烷氧基或具有 1-4个碳原子的烷基；n、m、1、q、s和t各自独立地表示1以上且8以下的整数；p和r各自 独立地表示4以上且12以下的整数；1和7各自独立地表示O或1 和**分别表示 与通式（1)中的硅原子和氧原子的键合位置。2.根据权利要求1所述的充电构件，其中在所述高分子化合物中，通式（1)中的R1和 馬各自独立地为选自由以下通式（8)-...
【专利技术属性】
技术研发人员：仓地雅大，儿玉真隆，土井孝之，铃村典子，益启贵，黑田纪明，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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