在靶的背面具有沟的磁性材料溅射靶制造技术

一种磁性材料溅射靶，其为厚度1~10mm的圆板状磁性材料溅射靶，其特征在于，在该靶的背面具有至少一个宽度5~20mm、深度0.1~3.0mm、以该圆板状靶的中心为中心的圆沟，各沟的间隔为10mm以上，并且在所述沟中填入有热导率为20W/m·K以上的非磁性材料。本发明专利技术的课题在于，为了消除靶为磁性材料时的缺点，进行使漏磁通密度增大的设计，增大等离子体的扩展，并且提高沉积速度，从而增加溅射效率，并且抑制局部的侵蚀，将靶表面的侵蚀均匀化，提高磁性材料靶的使用效率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于磁控溅射装置的磁性体靶，特别是可以提高漏磁通密度，可以稳定地放电的磁性体靶。
技术介绍
一般而言，作为磁性体薄膜的形成方法，广泛使用溅射法。溅射装置有各种方式，在磁性体膜的成膜中，广泛使用生产率高的具有DC电源的磁控溅射装置。溅射法使用如下原理:将作为正电极的衬底与作为负电极的靶对置，在惰性气体气氛下在该衬底与靶间施加高电压而产生电场。此时，惰性气体电离，形成由电子和阳离子构成的等离子体，该等离子体中的阳离子撞击靶(负电极)的表面时将构成靶的原子敲出，该飞出的原子附着到对置的衬底表面而形成膜。通过这样的一连串动作，构成靶的材料在衬底上形成膜。所述磁控溅射法，是在靶的背侧设置磁铁使得在靶的表面沿与电场垂直的方向产生磁场而进行溅射的方法，在这样的正交电磁空间内可以实现等离子体的稳定化和高速化，具有可以增大溅射速度的特征。但是，靶为磁性材料时，漏磁通密度小(导磁率大)，因此等离子体的扩展变小，沉积速度下降，从而溅射效率降低，并且进行局部的侵蚀，因此具有靶表面的侵蚀不均匀的缺点。另外，局部侵蚀的部分决定着靶的寿命，因此存在使用效率比非磁性材料靶显著差的问题。使用所述磁控溅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.23 JP 2010-1660861.一种磁性材料溅射靶，其为厚度f IOmm的圆板状磁性材料溅射靶，其特征在于， 在该祀的背面具有至少一个宽度5 20_、深度0.1^3.0mm>以该圆板状祀的中心为中心的圆沟，各沟的间隔为10mm以上，并且在所述沟中填入有热导率为20W/m*K以上的非磁性材料。2.如权利要求1所述的磁性材料溅射靶，其特征在于， 所述沟的截面形状为U型、V型或凹型。3.如权利要求1或2所述的磁性材料溅射靶，其特征在于， 所述沟中填入的非磁性材料为T1、Cu、In、Al、Ag、Zn的单独金属或者以它们为主成分的合金。4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤敦，
申请(专利权)人：吉坤日矿日石金属株式会社，
类型：
国别省市：