一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置，其中，所述极紫外光发生装置包括：真空腔，靶源发生器，靶源预整形增强器，高能发生器，能量注入器，极紫外光收集器，残余靶材收集器，其中，所述靶源预整形增强器包括：靶源运动轨迹控制器，靶源整形器，靶源探测器，极紫外光和/或等离子体探测器，同步控制器，其中同步控制器根据所述靶源探测器及极紫外光和/或等离子体探测器的监测数据，控制所述靶源发生器、靶源运动轨迹控制器、靶源整形器、高能发生器及能量注入器，以达到优化极紫外光输出能量的目的。本发明专利技术公开的极紫外光发生装置能够解决现有极紫外光发生装置能量转换效率低的问题，可有效增大装置的极紫外光输出能量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种极紫外光发生装置。
技术介绍
由于半导体行业对集成电路(IC, Integrated Circuits)的集成度要求越来越高，传统的可见光或者近紫外光刻机已无法满足行业发展需求，市场需要性能更为优良的光刻设备来维持整个产业的高速发展势头。众所周知，光刻分辨率与投影物镜的数值孔径成反t匕，与曝光波长成正比。因此，为了提高光刻分辨率，下一代光刻机将采用波长更短的EUV(Extreme Ultraviolet,极紫外,尤其指波长为13. x nm或6. x nm的极紫外)光来取代现有的可见光、近紫外光及深紫外光，以进一步提高光刻分辨率和IC的集成度。产生EUV光的主要途径是将高能量注入靶材，将其转化成激发态的等离子体，并向外辐射EUV光。目前，靶材的激发方法主要有两种“激光激发等离子体”(Laser ProducedPlasma, LPP)和“放电激发等离子体”(Discharge Produced Plasma, DPP)。LPP 技术主要采用大功率的脉冲激光束轰击靶材来产生EUV光，该技术已趋于成熟，最为人们所看好。但本专利技术申请人在实现本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置，其特征在于，所述极紫外光发生装置包括：?一真空腔，所述真空腔用于维持极紫外光传输路径上的真空环境，以减少所述极紫外光在传输路径上的光能吸收损失；?一靶源发生器，所述靶源发生器部分或全部位于所述真空腔内，用于向外输出靶源；?一靶源预整形增强器，所述靶源预整形增强器部分或全部位于所述真空腔内，用于接收所述靶源并对所述靶源进行预整形增强及空间位置调整；?一高能发生器，所述高能发生器部分或全部位于所述真空腔外，用于产生持续时间短、能量密度高的能量；?一能量注入器，所述能量注入器部分或全部位于所述真空腔外，用于将所述高能发生器产生的所述能量注入靶源内，使所述靶源转化...

【技术特征摘要】
1.一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置，其特征在于，所述极紫外光发生装置包括: 一真空腔，所述真空腔用于维持极紫外光传输路径上的真空环境，以减少所述极紫外光在传输路径上的光能吸收损失； 一靶源发生器，所述靶源发生器部分或全部位于所述真空腔内，用于向外输出靶源；一靶源预整形增强器，所述靶源预整形增强器部分或全部位于所述真空腔内，用于接收所述靶源并对所述靶源进行预整形增强及空间位置调整； 一高能发生器，所述高能发生器部分或全部位于所述真空腔外，用于产生持续时间短、能量密度高的能量； 一能量注入器，所述能量注入器部分或全部位于所述真空腔外，用于将所述高能发生器产生的所述能量注入靶源内，使所述靶源转化受激态等离子体，并向外辐射极紫外光；一极紫外光收集器，所述极紫外光收集器位于所述真空腔内，用于收集所述极紫外光; 一残余靶材收集器，所述残余靶材收集器部分或全部位于所述真空腔室内，用于收集和储存未被激发的靶材粒子和/或经激发后残留的靶材离子。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述靶源预整形增强器还包括: 一靶源运动轨迹控制器，所述靶源运动轨迹控制器位于所述真空腔内，用于接收所述靶源并控制和稳定所述靶源的运动轨迹； 一靶源整形器，所述靶源整形器位于所述真空腔内，用于对所述靶源进行整形增强及空间位置调整； 一靶源探测器，所述靶源探测器部分或全部位于所述真空腔内，用于动态监测所述靶源的物理特征信息，所述靶源的物理特征信息包括所述靶源的位置信息和/或形状信息；一极紫外光和/或等离子体探测器，所述极紫外光和/或等离子体探测器部分或全部位于所述真空腔内，用于动态监测所述极紫外光和/或等离子体的物理特征信息，所述极紫外光和/或等离子体的物理特征信息包括所述等离子体的形态信息和/或所述极紫外光的能量信息。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：宗明成，黄有为，陈浩，李世光，盖洪峰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：