一种多晶硅与碲化镉薄膜双结太阳能电池板及制备工艺制造技术

一种多晶硅与碲化镉薄膜双结太阳能电池板及制备工艺，包括衬底，衬底上自下而上依次设有多晶硅掺杂层、透明导电氧化层、CdS膜层、CdTe膜层和背接触层，其制备方法为在衬底上通过低压气相沉积法依次沉积多晶硅掺杂层、透明导电氧化层、CdS膜层、CdTe膜层和背接触层。该发明专利技术得到的多晶硅与碲化镉薄膜双结太阳能电池板转换效率达到20%-22%，该制备工艺有效提高了电池的转换效率，最大限度降低太阳能光伏产品的成本，适于大规模产业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池制造工艺，具体涉及一种多晶硅与碲化镉薄膜双结太阳能电池板及制备工艺。
技术介绍
太阳能电池种类繁多，包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池、化合物半导体电池和叠层太阳能电池等。目前，太阳能电池产品主要为晶体硅电池，这不仅因为硅在地壳中含量丰富，用它制成的电池转化效率相对较高，单晶硅太阳能电池在实验室里最高的转换效率接近25%，而规模生产的单晶硅太阳能电池，其效率为15%。但是单晶硅太阳能电池制作工艺繁琐，且单晶硅成本价格居高不下，大幅降低成本非常困难，无法实现太阳能发电的大规模普及但是由于成本问题，晶体硅电池发电还难以与传统的化石能源发电在价格上竞争。在这种情况下，随着新材料的不断开发和相关技术的发展，以其他材料为基础的太阳能电池愈来愈显示出诱人的前景。目前国际低成本大规模生产技术的研究主要集中在多晶硅、大面积薄膜非晶硅、碲化镉(CdTe)、铜铟硒(CuInSe2)太阳能电池，II1- V族化合物半导体在太阳能电池的应用中也被广泛的研究。实验室中非晶硅单结太阳能电池的效率已经超过10%，单结碲化镉电池的效率最高达到16.5%，而单结铜铟镓硒本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅与碲化镉薄膜双结太阳能电池板，包括衬底，其特征在于：衬底上自下而上依次设有多晶硅掺杂层、透明导电氧化层、CdS膜层、CdTe膜层和背接触层。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅与碲化镉薄膜双结太阳能电池板，包括衬底，其特征在于:衬底上自下而上依次设有多晶硅掺杂层、透明导电氧化层、CdS膜层、CdTe膜层和背接触层。2.根据权利要求1所述的一种多晶硅与碲化镉薄膜双电结太阳能池板，其特征在于:所述的衬底材料选用SiO2，其厚度为0.l-2mm。3.根据权利要求1所述的一种多晶硅与碲化镉薄膜双结太阳能电池板，其特征在于:所述的多晶硅掺杂层的掺杂元素为磷。4.根据权利要求1所述的一种多晶硅与碲化镉薄膜双结太阳能电池板，其特征在于:所述的透明导电氧化层为SnO2膜层，其厚度为50-500nm。5.根据权利要求1所述的一种多晶硅与碲化镉薄膜双结太阳能电池板的制备工艺，其特征在于:包括如下步骤: a、将200-300°C的衬底置入通有SiH4、H2和PH3的沉积炉内，设定沉积温度为300-5000C，压强为50-60Pa，沉积时间为200-300s，得到掺杂硅层，再将掺杂硅层进行区熔再结晶形成多晶硅掺杂层，其厚度为500-1000nm ； b、将SnCl2、SnCl4,O2和水蒸气通入沉积炉内，在步骤a中得到的多晶硅掺杂层上沉积SnO2膜层，设定沉积温度为500°C，压强为40-100Pa，沉积120_180s，然后在300_400°C退火100-300S得透明导电氧化层，其厚度为50-500nm ；C、将Cd粉和S粉在氮气的运输下通入沉积炉内，在步骤b得到的透明导电氧化层上沉积CdS层，设定沉积温度为200...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢少杰，
申请(专利权)人：平顶山市蓝峰科技实业有限公司，
类型：发明
国别省市：