【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜太阳电池
特别地,本专利技术公开了一种提高N型衬底HIT太阳能电池开路电压的技术。该技术同时可降低N型衬底HIT太阳能电池的串阻。
技术介绍
HIT (Heterojunction with intrinsic Thinlayer)太阳能电池以其高效、不需要复杂的制备工艺、温度系数小等特点而越来越引起人们的关注。通常HIT电池的结构为Ag/TCO/p-a-s1:H/i_a_s1:H/c_Si (η) /i_a_s1:H/n-a_s1:H/TC0/Ag (根据本领域惯用表达Tj ζ:a-si BP amorphous silicon film,表薄月莫,c_si 即 crystal silicion 表$晶硅,i表示本征类型,P表示P型,η表示N型,H表示氢化;进一步的,上述HIT电池结构中,p-a-s1:H表示P型氢化非晶娃薄膜、1-a-s1:H表示本征氢化非晶娃薄膜、c-Si (η)表示N型晶硅、n-a-s1:Η表示N型氢化非晶硅薄膜)。由于非晶硅的导电性较差,所以在HIT的制作过程中,在电极和非晶硅层之间加一层TCO (透明导电氧 ...
【技术保护点】
一种N型衬底HIT太阳能电池,包括:N型晶硅衬底层;N型晶硅衬底层两侧的第一和第二本征氢化非晶硅层;第一本征氢化非晶硅层外侧的N型氢化非晶硅层;第二本征氢化非晶硅层外侧的P型氢化非晶硅层;N型氢化非晶硅层外侧的第一TCO层和电极;以及P型氢化非晶硅层外侧的第二TCO层和电极,其中,所述第二TCO层是由高功函数TCO层和低功函数TCO层组成的叠层,高功函数TCO层和P型氢化非晶硅层接触。
【技术特征摘要】
1.一种N型衬底HIT太阳能电池,包括: N型晶娃衬底层; N型晶娃衬底层两侧的第一和第二本征氢化非晶娃层; 第一本征氢化非晶娃层外侧的N型氢化非晶娃层; 第二本征氢化非晶硅层外侧的P型氢化非晶硅层; N型氢化非晶娃层外侧的第一 TCO层和电极;以及 P型氢化非晶硅层外侧的第二 TCO层和电极, 其中,所述第二 TCO层是由高功函数TCO层和低功函数TCO层组成的叠层,高功函数TCO层和P型氢化非晶硅层接触。2.如权利要求1所述的N型衬底HIT太阳能电池,其特征在于,所述高功函数TCO层的功函数大于5eV。3.如权利要求1所述的N型衬底HIT太阳能电池,其特征在于,所述低功函数TCO层的功函数为4.6 — 4.8eVo4.如权利要求1所述的N型衬底HIT太阳能电池,其特征在于,所述低功函数TCO层和所述第一 TCO层的功函数基本相同。5.一种N型衬底HIT太阳能电池的制备方法,包括: 在N型晶硅衬底层形成两侧形成第一和第二本征氢化非晶硅层; 第一本征氢化非晶娃层外侧形成N型氢化非晶娃层; 在第二本征氢化非晶硅层外侧形成P型氢化非晶硅层; 在N型氢化非晶娃层外侧形成第一 T...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔艳峰,袁声召,石建华,陆中丹,孟凡英,刘正新,
申请(专利权)人:常州天合光能有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。