一种低成本n型双面太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低成本n型双面太阳电池，所述太阳电池前表面为硼扩散形成的硼发射极，硼发射极上面沉积有钝化层和减反射层，太阳电池背表面的背电极接触位置为局部磷背场，其余为非掺杂区域，非掺杂区域上面沉积有钝化层，前表面制备有金属前电极，背表面制备有金属背电极。本发明专利技术还公开了该低成本n型双面太阳电池的制备方法。与现有技术相比，本发明专利技术的有益效果是：本发明专利技术利用激光掺杂含磷薄膜或涂敷的磷源，形成局部n+掺杂区域，同时保持钝化效果，无需二次高温磷扩散和其它掩膜过程，就可同时形成前表面场和背表面场，简化双面n型太阳电池的制备工艺和降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏发电领域，具体涉及一种η型双面太阳电池及其制备方法。
技术介绍
η型双面太阳电池具有效率高、衰减低、双面发电和外观漂亮的独特优点，在光伏市场上受到越来越多的重视。目前，一些厂家的η型双面太阳电池基本上都是常规结构(见图1)，前表面为硼掺杂的硼发射极1，以及在其上面的钝化层2和减反射层3，另一面为磷掺杂背场10和在其上面的钝化层6，双面制备前电极7和背电极8。采用常规技术路线制备η型双面太阳电池，需要多次高温扩散、氧化掩膜、去结刻蚀等复杂工艺，使得制备成本较高，市场难以开拓。为了提高该电池的竞争力，有必要开发一些新工艺，并对该工艺流程进行简化，从而降低成本
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种新型的η型双面太阳电池，该太阳电池在转换效率提高的同时可降低生产成本。本专利技术的另一目的是提供上述η型双面太阳电池的制备方法，利用激光局部掺杂和单次扩散制备η型双面电池，从而简化双面电池的制备工艺，有效降低电池的制备成本。本专利技术提供的一种低成本η型双面太阳电池，其特征在于，所述太阳电池前表面为硼扩散形成的硼发射极，硼发射极上面沉积有钝化层和减反射层，太阳电池背表面的背电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低成本n型双面太阳电池，其特征在于，所述太阳电池前表面为硼扩散形成的硼发射极，硼发射极上面沉积有钝化层和减反射层，太阳电池背表面的背电极接触位置为局部磷背场，其余为非掺杂区域，非掺杂区域上面沉积有钝化层，前表面制备有金属前电极，背表面制备有金属背电极。

【技术特征摘要】
1.一种低成本n型双面太阳电池，其特征在于，所述太阳电池前表面为硼扩散形成的硼发射极，硼发射极上面沉积有钝化层和减反射层，太阳电池背表面的背电极接触位置为局部磷背场，其余为非掺杂区域，非掺杂区域上面沉积有钝化层，前表面制备有金属前电极，背表面制备有金属背电极。2.—种权利要求1所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: (1)硅片表面制绒； (2)前表面硼扩散形成硼发射极； (3)去除背表面的扩散绕射层和硼硅玻璃层； (4)前表面硼发射极沉积钝化层和减反射层； (5)背表面沉积掺磷的钝化层，或先沉积钝化层然后喷涂磷源； (6)背表面激光局部磷掺杂，形成局部n+层； (7)双面制备金属电极。3.根据权利要求2所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(I)中，采用碱性溶液腐蚀硅片在硅片表面形成绒面。4.根据权利要求2所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，硼扩散方阻为 4(T200 Q/sq ;扩散方式为BBr3源管式扩散，或离子注入法，或喷涂硼源在线式扩散。5.根据权利要求2所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，采用化学腐蚀溶液去除背面的扩散绕射层和硼硅玻璃层。6.根据权利要求2所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，前表面硼发射极的钝化层为AlOx薄膜或SiOx...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪保卫，沈辉，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：