太阳电池芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种高倍聚光太阳电池芯片，包含：太阳电池外延叠层；网格状金属纳米电极，覆盖于所述太阳电池外延叠层表面；栅状电极，形成于所述网格状金属纳米电极上；透明导电层，形成于所述网格状金属纳米电极之上，与所述的太阳电池外延叠层形成欧姆接触。本发明专利技术采用透明导电层大面积的与电池外延片表面形成欧姆接触，大大降低了电极与电池外延片的接触电阻；采用网格状金属纳米电极嵌入透明导电层，大大提高了透明导电层的导电能力，解决了高倍聚光条件下，透明导电层导电能力不足的问题；由于提高了透明导电层的电导率，所述的栅状电极可设计更宽的距离，提高了太阳光利用率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高倍聚光，属半导体光电子器件与

技术介绍
太阳能电池发电是未来新能源领域的重要组成部分，然而目前太阳能电池发电成本还较高，要降低成本，最直接有效地方法就是提高太阳能电池的光电转换效率。影响太阳能电池光电转换效率的因素很多，其中电池内部串联电阻的功率损耗是最重要的因素之在太阳电池内部串联电阻的组成部分中，受光面电极与电池半导体层的接触电阻是重要的组成部分。传统的太阳电池通常采用栅状电极结构，电极栅线与半导体层形成欧姆接触，而为了最大限度地利用太阳光，一般栅状电极总面积只占电池芯片总面积的很少一部分(小于10%)，这就大大限制了电极与半导体层的接触面积，进而提高了电极与半导体层之间的接触电阻。
技术实现思路
本专利技术公开了一种高倍聚光太阳电池芯片，包含: 太阳电池外延叠层； 网格状金属纳米电极，覆盖于所述太阳电池外延叠层表面； 栅状电极，形成于所述网格状金属纳米电极上； 透明导电层，形成于所述网格状金属纳米电极之上，与所述的太阳电池外延叠层形成欧姆接触。在本专利技术的一些优选实施例中，所述栅状电极可以采用蒸镀、金属剥离等一系列常规工艺手段形成于网格状金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
太阳电池芯片，包含：太阳电池外延叠层；网格状金属纳米电极，覆盖于所述太阳电池外延叠层表面；栅状电极，形成于所述网格状金属纳米电极上；透明导电层，形成于所述网格状金属纳米电极之上，与所述的太阳电池外延叠层形成欧姆接触。

【技术特征摘要】
1.太阳电池芯片，包含: 太阳电池外延叠层； 网格状金属纳米电极，覆盖于所述太阳电池外延叠层表面； 栅状电极，形成于所述网格状金属纳米电极上； 透明导电层，形成于所述网格状金属纳米电极之上，与所述的太阳电池外延叠层形成欧姆接触。2.根据权利要求1所述的太阳电池芯片，其特征在于:所述栅状电极形成于网格状金属纳米电极之上，在网格内空白区域直接与所述太阳电池外延片表面接触。3.根据权利要求1所述的太阳电池芯片，其特征在于:所述透明导电层覆盖所述栅状电极。4.根据权利要求1所述的太阳电池芯片，其特征在于:所述网格状金属纳米电极宽度为20 500纳米。5.根据权利要求1所述的太阳电池芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊伟平，林志东，蔡文必，林桂江，吴志敏，宋明辉，安晖，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：