光电装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种光电装置，所述光电装置包括位于基底上的第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构和第二半导体结构包括不同的导电类型。所述光电装置还包括位于第一半导体结构上的第一电极和位于第二半导体结构上的第二电极以及与第二半导体结构相邻的层间绝缘结构。层间绝缘结构将第一半导体结构与第二半导体结构分开并将第一半导体结构与第二电极分开。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电装置。
技术介绍
已经加快了对清洁能源的开发。示例性清洁能源包括利用太阳能电池产生的光伏能，在太阳能电池中，阳光被转变成能量。然而，与产生热能相比，用于产生目前在工业上通过利用太阳能电池产生的光伏能的成本较高。
技术实现思路
可通过提供一种光电装置来实现实施例，所述光电装置包括第一半导体结构和第二半导体结构，位于基底上，第一半导体结构和第二半导体结构具有不同的导电类型；位于第一半导体结构上的第一电极和位于第二半导体结构上的第二电极；层间绝缘结构，与第二半导体结构相邻。层间绝缘结构将第一半导体结构与第二半导体结构分开并将第一半导体结构与第二电极分开。第一半导体结构可具有第一面积的第一区域，第二半导体结构可具有第二面积的第二区域。第一区域的第一 面积可基本上大于第二区域的第二面积。第二半导体结构可具有岛状，使得第二半导体结构被第一半导体结构围绕。第一电极和第二电极可具有基本上相同的宽度。第二电极可与第一半导体结构和第二半导体结构叠置。层间绝缘结构可包括通孔，第二电极可通过通孔连接到第二半导体结构。层间绝缘结构可包括第一部分。第一部分可位于基底上的第一半导体结构和第二半导体结构之间。层间绝缘结构的第一部分可围绕第二半导体结构。层间绝缘结构的第一部分可完全围绕第二半导体结构。层间绝缘结构可包括第一半导体结构上的第二部分，使得第二部分位于第二电极和第一半导体结构之间。层间绝缘结构的第一部分和第二部分可一体地形成为一个部件。层间绝缘结构的第二部分的沿着第一方向的宽度可大于第二电极的沿着第一方向的宽度。第一方向可以是在第一电极和第二电极之间延伸的方向。所述光电装置还可包括间隙绝缘层，间隙绝缘层可围绕第二半导体结构，并且层间绝缘结构位于间隙绝缘层上。第一电极的上表面可以在距基底达第一距离处，第二电极的上表面可以在距基底达第二距离处。第二距离可大于第一距离。层间绝缘结构和第一电极可以沿着在层间绝缘结构和第一电极之间的方向上延伸的水平线布置。所述光电装置可包括基底上的钝化层。钝化层可位于基底的与第一半导体结构和第二半导体结构相反的侧部。光电装置可包括位于钝化层上的减反射层。第一半导体结构可包括基底上的第一本征层、第一本征层上的第一导电半导体层以及第一本征层和第一导电半导体层上的第一透明导电层。第一透明导电层可覆盖第一本征层和第一导电半导体层的横向侧部并可覆盖第一导电半导体层的上表面。第二半导体结构可包括基底上的第二本征层、第二本征层上的第二导电半导体层以及第二本征层和第二导电半导体层上的第二透明导电层。第一导电半导体层和第二导电半导体层可具有不同的导电类型。第二透明导电层可覆盖第二本征层和第二导电半导体层的横向侧部并可覆盖第二导电半导体层的上表面。还可通过提供一种制造光电装置的方法来实现实施例，所述方法包括以下步骤在基底上形成第一半导体结构；在除了第一半导体结构之外的区域中形成第二半导体结构，第一半导体结构和第二半导体结构具有不同的导电类型；在第二半导体结构上形成层间绝缘结构，使得层间绝缘结构将第一半导体结构与第二半导体结构分开；在第一半导体结构上形成第一电极并在第二半导体结构上形成第二电极，从而通过层间绝缘结构使第一半导体结构与第二电极分开。附图说明通过参照附图对示例性实施例进行的详细描述，对本领域普通技术人员来讲，特点将会变得显而易见，其中图1示出了根据示例性实施例的光电装置的示意性透视图；图2示出了沿着图1的口 - □线截取的光电装置的剖视图；图3A示出了第一半导体结构和第二半导体结构之间的示例性布置关系的示意性平面图；图3B示出了第一半导体结构和第二半导体结构与第一电极和第二电极之间的示例性布置关系的示意性平面图；图3C示出了层间绝缘层的示例性布置的示意性平面 图4示出了根据示例性实施例的光电装置的示意性透视图；图5示出了沿着图4的口 - □线截取的光电装置的剖视图；图6A至图6V示出了根据示例性实施例的绘示在制造光电装置的方法中的阶段的按顺序的剖视图。具体实施例方式现在将在下文中参照附图对示例性实施例进行更加全面的描述，然而，示例性实施例可以以不同的方式被实施，而不应该被解释为局限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得该公开将是彻底的和完整的，并将本专利技术的范围充分传达给本领域技术人员。在附图中，为了示出清楚，可夸大层和区域的尺寸。还应该理解的是，当层或者元件被称为“在”另一层或者基底“上”时，该层或者元件可以直接在另一层或者基底上，或者也可存在中间层。此外，应该理解的是，当层被称为“在”另一层“之下”时，该层可直接在另一层之下，且也可存在一个或者更多中间层。此外，还应该理解的是，当层被称为“在”两层“之间”时，该层可以是所述两层之间的唯一一层，或者也可存在一个或者更多中间层。相同的标号始终指示相同的元件。图1示出了根据示例性实施例的光电装置的示意性透视图。图2示出了沿着图1的口 -□线截取的光电装置的剖视图。参照图1和图2，光电装置可包括半导体基底100 ;第一半导体结构110，具有第一导电类型；第二半导体结构120，具有第二导电类型。至少一个第一半导体结构110和多个第二半导体结构120可形成在半导体基底100上。光电装置还可包括电连接到第一半导体结构110的第一电极131和电连接到第二半导体结构120的第二电极132。层间绝缘层150可设置在第二电极132和第一半导体结构110之间。根据示例性实施例，第一半导体结构110可形成在相对宽的区域中，并可围绕第二半导体结构120。第二半导体结构120可呈点状或者岛状。例如，多个第二半导体结构120可在半导体基底100上分开，并且第一半导体结构110可布置在第二半导体结构120之间的空间中，并可围绕第二半导体结构120。第一半导体结构110的导电类型可与第二半导体结构120的导电类型不同(例如，相反)。第一半导体结构Iio可在空间上与相邻的第二半导体结构120隔开，并第一半导体结构110可与第二半导体结构120彼此电绝缘。例如，第一半导体结构110可通过在第一半导体结构110和第二半导体结构120之间延伸的层间绝缘层150与相邻的第二半导体结构120绝缘。层间绝缘层150可减少第一半导体结构110与连接到第二半导体结构120(第二半导体结构120的导电类型与第一半导体结构110的导电类型不同)的第二电极132之间发生电短路的可能性和/或防止所述电短路。层间绝缘层150可包括第一部分150a和第二部分150b。第一部分150a可在第一半导体结构110和第二半导体结构120之间沿着一个方向(例如，y轴方向)延伸。例如，第一部分150a可沿着限定第一半导体结构110和第二半导体结构120之间的边界的方向延伸。第一部分150a可埋置在第一半导体结构110和第二半导体结构120之间。第二部分150b可沿着另一方向(例如，沿着z轴方向)延伸，以与第一部分150a叠置，并与至少第一半导体结构110的上表面叠置。第二部分150b可包括过孔150'，例如，通孔，该过孔15(V与第二半导体结构120的上表面叠置。第二部分150b可包括围绕过孔15(V的部分，所述部分与第二半导体结构120的上表面的一部分叠置。例如，过孔150'可与整个第二半导体结构1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电装置，包括：位于基底上的第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构和第二半导体结构具有不同的导电类型；位于第一半导体结构上的第一电极和位于第二半导体结构上的第二电极；与第二半导体结构相邻的层间绝缘结构，层间绝缘结构将第一半导体结构与第二半导体结构分开并将第一半导体结构与第二电极分开。

【技术特征摘要】
2011.10.18 US 61/548,401;2012.03.20 US 13/424,4501.一种光电装置，包括 位于基底上的第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构和第二半导体结构具有不同的导电类型； 位于第一半导体结构上的第一电极和位于第二半导体结构上的第二电极； 与第二半导体结构相邻的层间绝缘结构，层间绝缘结构将第一半导体结构与第二半导体结构分开并将第一半导体结构与第二电极分开。2.如权利要求1所述的光电装置，其中，第一半导体结构具有第一面积的第一区域，第二半导体结构具有第二面积的第二区域，第一区域的第一面积大于第二区域的第二面积。3.如权利要求2所述的光电装置，其中，第二半导体结构具有岛状，使得第二半导体结构被第一半导体结构围绕。4.如权利要求2所述的光电装置，其中，第一电极和第二电极具有相同的宽度。5.如权利要求1所述的光电装置，其中，第二电极与第一半导体结构和第二半导体结构叠置。6.如权利要求1所述的光电装置，其中，层间绝缘结构包括通孔，第二电极通过通孔连接到第二半导体结构。7.如权利要求1所述的光电装置，其中，层间绝缘结构包括第一部分，第一部分位于基底上的第一半导体结构和第二半导体结构之间。8.如权利要求7所述的光电装置，其中，层间绝缘结构的第一部分围绕第二半导体结构。9.如权利要求7所述的光电装置，其中，层间绝缘结构的第一部分完全围绕第二半导体结构。10.如权利要求7所述的光电装置，其中，层间绝缘结构包括位于第一半导体结构上的第二部分，使得第二部分位于第二电极和第一半导体结构之间。11...

【专利技术属性】
技术研发人员：李斗烈，金永镇，金东燮，牟灿滨，金英水，朴映相，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：