太阳能电池结构、光生伏打模块及对应的工艺制造技术

光生伏打模块可包含太阳能电池，所述太阳能电池沿所述电池的后侧具有相反极性的掺杂域。所述掺杂域可位于穿过介电钝化层的开口内。在一些实施例中，所述太阳能电池由薄硅箔形成。掺杂域可通过沿半导电片的后表面印刷墨水来形成。掺杂剂墨水可包含具有所要掺杂剂的纳米粒子。光生伏打模块可形成有多个具有不同大小的结构的太阳能电池以改进模块性能。所述大小可基于半导体的所估计性质来动态地确定，以使得所述模块中的所述电池的电流输出彼此更相似。所述模块相对于具有不产生匹配电流的相似的相等大小电池的模块来说可产生较高的功率。本发明专利技术描述适当的动态处理方法，其包括根据电池设计中的动态调整来提供处理调整的处理步骤。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池结构、光生伏打模块及对应的工艺本申请是申请号为200880005281.2、申请日为2008年2月15日，专利技术名称为“太阳能电池结构、光生伏打模块及对应的工艺”的专利技术专利的分案申请。对相关申请案的交叉参考本申请案主张2007年2月16日申请的授予海斯默尔(Hieslmair)的第60/902,006号美国临时专利申请案的权益，所述申请案以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及光生伏打电池、光生伏打模块及形成这些装置的工艺。在一些实施例中，本专利技术涉及后点接触的光生伏打电池及对应模块，其可包含硅/锗半导电材料的薄膜。另外，本专利技术涉及形成后点连接的有效处理步骤。在其它实施例中，本专利技术涉及光生伏打装置的形成，其中处理参数是基于半导体性质测量来动态选择。
技术介绍
多种技术可用于形成光生伏打电池，例如太阳能电池。大多数商业光生伏打电池是基于硅的。随着非可再生能源的价格持续上涨，人们日益关注替代能源。替代能源的日益商业化依赖于每能量单位较低的成本所获得的渐增的成本有效性，这可通过能源的改进效率及/或通过材料及处理的成本降低来实现。光生伏打电池通过吸收光以形成电子-电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，其包含半导体层，所述半导体层具有：前表面、从所述前表面延伸并进入所述半导体层的第一掺杂域、后表面、在至少一部分所述后表面之上的反射涂层、沿着至少一部分所述后表面的第二掺杂域、第一电互连件以及第二电互连件；其中从所述前表面延伸的所述第一掺杂域的部分包含掺杂的硅、掺杂的锗或合金或其组合；以及其中所述第一电互连件与所述第一掺杂域接触且所述第二电互连件与所述第二掺杂域接触。

【技术特征摘要】
2007.02.16 US 60/902,0061.一种太阳能电池，其包含半导体层，所述半导体层包括硅，锗，其合金或者其组合，所述半导体层具有：前表面、沿至少一部分所述前表面进入所述半导体层的第一掺杂域、后表面、沿着至少一部分所述后表面的第二掺杂域、第一电互连件以及第二电互连件；其中所述第一掺杂域，所述第二掺杂域或二者的部分从半导体表面延伸，并且其基本上由掺杂的硅、掺杂的锗或合金或其组合组成；以及其中所述第一电互连件与所述第一掺杂域接触且所述第二电互连件与所述第二掺杂域接触，并且其中所述掺杂域是通过掺杂剂从掺杂的元素硅/锗粒子沉积物驱入而形成的。2.如权利要求1所述的太阳能电池，其进一步包含与所述前表面接触的介电层，且其中所述第一掺杂域延伸进所述介电层的窗口。3.如权利要求1所述的太阳能电池，其中在延伸进入所...

【专利技术属性】
技术研发人员：亨利·希斯梅尔，
申请(专利权)人：纳克公司，
类型：发明
国别省市：