【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学气相沉积(CVD)
，特别涉及用于化学气相沉积工艺的气体过滤处理结构、尾气处理系统、延长MOCVD设备的尾气处理系统的过滤器的使用寿命的方法和MOCVD设备的尾气处理方法。
技术介绍
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种化学气相外延沉积工艺。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长的源材料，以热分解反应方式在石墨盘上进行沉积工艺，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。在化学气相工艺过程中反应腔室中气体需要经过过滤系统，将气体中的颗粒等物质过滤，然后经过相应的化学处理过后才能向外部排放。具体地，请结合图1所示的现有的MOCVD设备的尾气处理系统的结构示意图。弯管30的一端与上游反应腔室10相连接，另一端与下游过滤器20相连，所述弯管30与过滤器20共同构成了 MOCVD设备的过滤系统。来自上游反应腔室10的气体经过弯管30进入过滤器20，经过过滤器20过滤后的气...
【技术保护点】
一种气体过滤处理结构，包括弯管，所述弯管的一端与上游反应腔室相连接，另一端与带有滤芯的过滤器相连接，其特征在于，所述弯管的转弯处设置有预收集过滤部件，所述预收集过滤部件沿气体流动的方向设置，所述预收集过滤部件的一端与弯管相连接，另一端封闭，用于对气体中的颗粒进行预收集过滤处理。
【技术特征摘要】
1.一种气体过滤处理结构，包括弯管，所述弯管的一端与上游反应腔室相连接，另一端与带有滤芯的过滤器相连接，其特征在于，所述弯管的转弯处设置有预收集过滤部件，所述预收集过滤部件沿气体流动的方向设置，所述预收集过滤部件的一端与弯管相连接，另一端封闭，用于对气体中的颗粒进行预收集过滤处理。2.如权利要求1所述的气体过滤处理结构，其特征在于，所述气体过滤处理结构用于MOCVD设备的尾气处理系统。3.如权利要求1所述的气体过滤处理结构，其特征在于，所述弯管上游设置有冷却结构，所述冷却结构用于对来自反应腔室的气体进行冷却处理，所述预收集过滤部件对所述冷却结构冷却后的气体进行预收集过滤处理。4.如权利要求1所述的气体过滤处理结构，其特征在于，所述预收集过滤部件与所述弯管结合为一体或可以相互分离。5.如权利要求4所述的气体过滤结构，其特征在于，所述预收集过滤部件采用一体成型的方式制作。6.如权利要求1所述的气体过滤处理结构，其特征在于，所述预收集过滤部件为管状。7.如权利要求5所述的气体过滤处理结构，其特征在于，所述预收集过滤部件内还设置有过滤网或滤芯。8.如权利要求7所述的气体过滤处理结构，其特征在于，所述过滤网或滤芯能够与所述预处理过滤部件相互分离。9.如权利要求1所述的气体过滤处理结构,其特征在于,所述预收集过滤部件的一端与所述弯管通过可拆卸联接方式结合为一体，所述预收集过滤部件的另一端封闭或所述预收集过滤部件的另一端具有可拆卸的端盖，该端盖使得预收集过滤部件...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙仁君，田益西，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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