量子阱红外探测器的制作方法技术

本申请公开了一种量子阱红外探测器的制作方法，通过引入自对准工艺，完成探测器芯片的上电极制备与台面制备。其制作方法包括以下步骤：1、光栅光刻与刻蚀；2、通过光刻、电子束蒸发与剥离形成金属上电极；3、利用上电极金属作为掩膜，刻蚀形成台面；4、钝化层制备；5、钝化层开孔；6、通过光刻、电子束蒸发与剥离形成金属下电极。本发明专利技术相对传统的先刻蚀台面隔离的制造方法，可省略电极金属与台面之间的对准光刻，大大降低了工艺难度，并且上下金属电极可分别控制金属成分与厚度，会提高后期芯片与In柱倒装的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体红外光电器件，具体涉及一种量子阱红外探测器(QuantumWell Infrared Photodetectors,简称为 QWIP)的制作方法。
技术介绍
红外焦平面探测器是一种集红外信息获取和信息处理于一体的先进成像传感器，第一代和第二代红外焦平面探测器已经在空间、军事和国民经济等应用领域发挥了重要的作用。1999年，唐纳德·里高等人提出了第三代红外成像探测器的概念，由高性能和低成本两个基本内涵构成，核心是要进一步提高远距离目标探测、识别能力以及提高成本可承受能力。在长波大规模阵列探测器方面，GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(QWIP)有很多潜在的优点，包括基于GaAs材料的生长和工艺技术非常成熟、通过MBE技术可以在超过6英寸的晶圆上实现高均匀性和工艺精密控制，达到高良率和低成本，以及更好的热稳定性和抗外部辐射特性。QWIP可以满足第三代红外焦平面探测器高性能、低成本和多色化的发展需求，QWIP探测器有很大的发展潜力，是国内外研发的热点。参图1所示，传统的量子阱红外探测器制造工艺，往往采取先刻蚀台面隔离，然后套刻光栅以及上电极的方法。由于目前红外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子阱红外探测器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：s1、在外延片上进行光栅光刻，形成光栅图形；s2、在外延片上制作上电极；s3、以上电极为掩膜，刻蚀形成台面；s4、生长钝化层，并在钝化层上刻蚀出电极孔以露出上电极；s5、制作下电极。

【技术特征摘要】
1.一种量子阱红外探测器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤 S1、在外延片上进行光栅光刻，形成光栅图形； s2、在外延片上制作上电极； S3、以上电极为掩膜，刻蚀形成台面； s4、生长钝化层，并在钝化层上刻蚀出电极孔以露出上电极； s5、制作下电极。2.根据权利要求1所述的量子阱红外探测器的制作方法，其特征在于，所述外延片为GaAs外延片。3.根据权利要求2所述的量子阱红外探测器的制作方法，其特征在于，所述步骤Si具体为以光刻胶作为掩膜在外延片上刻蚀出光栅图形，然后去除光刻胶。4.根据权利要求3所述的量子阱红外探测器的制作方法，其特征在于，所述的光栅图形的刻蚀方式为ICP，刻蚀气体为Cl2与BCL3的混合气体。5.根据权利要求1所述的量子阱红外探测器的制作方法，其特征在于，所述上电极材料为 AuGeNi/Au。6.根据权利要求5所述的量子阱红外探测器的制作方法，其特征在于，所述步骤s2具体为先以光刻胶为掩膜光刻形成上电极图形，接着电子束蒸发AuGeNi/Au,最后溶解光刻胶以形成上电极。7.根据权利要求1所述的量子阱红外探测器的制作方法，其特征在于，所述钝化层为SiO2 或 Si3...

【专利技术属性】
技术研发人员：时文华，缪小虎，苏瑞巩，熊敏，张宝顺，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：