平板型X射线图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种平板型X射线图像传感器及其制造方法。在每两列像素共享一条数据线的图像传感器阵列中，在中间没有数据线的相邻两列像素中间，配置具有一定电位的导电电极，从而将相邻两列像素隔离开，避免了像素之间的串扰和其他干扰。该电极同时具有对光电变换元器件施加合适电压以及将各个像素的光电变换元器件的电极连接到外部公共电源的作用。

【技术实现步骤摘要】
平板型X射线图像传感器及其制造方法
本专利技术涉及一种平板型X射线图像传感器及其制造方法。
技术介绍
平板型X射线图像传感器是一种将X光按光强转化为电信号的装置。X光照射物体并且穿透物体后，通过吸收、散射、发射而使光强发生变化，不同区域的不同光强，表示了被照射物体不同区域的内部结构的差异。穿透被照射物体的X光通过平板型X射线图像传感器转化为相应的电信号，最终实现一个与被照射物体内部结构直接相关的灰阶图像。所以平板型X射线图像传感器实现了物体的无损内部成像，是实现无损检测的最佳方法之一，在医疗成像，工业无损探测等领域都得到了广泛的应用和长足的发展。请参考图1，其为现有的一种平板型X射线图像传感器的结构示意图。如图1所示，平板型X射线图像传感器1包括：多根扫描线10，与所述扫描线10相交的多根数据线11，设置于所述扫描线10与数据线11交叉处的薄膜晶体管13，以及通过薄膜晶体管13与所述扫描线10及数据线11耦接的光敏器件12。这里以及之后所说的“耦接”具体指的是，所述薄膜晶体管13的栅极与所述扫描线10电连接，其源极/漏极与所述数据线11电连接，其漏极/源极与光敏器件12的一端(可以是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平板型X射线图像传感器，其特征在于，包括：至少1个扫描线组，每一所述扫描线组包括两根扫描线；与所述扫描线组相交的至少2根数据线，在任一所述扫描线组的两根扫描线之间、任一所述数据线两侧分别设置有第一光敏器件和第二光敏器件，所述第一光敏器件通过开关单元与所述数据线和所述两根扫描线中的一根扫描线耦接，所述第二光敏器件通过开关单元与所述数据线和所述两根扫描线中的另一根扫描线耦接；其中，任一所述扫描线组的两根扫描线与相邻的两根所述数据线相交而成的区域内具有相邻的两个光敏器件，所述相邻的两个光敏器件之间设置有隔离结构，所述隔离结构连接至参考电位。

【技术特征摘要】
1.一种平板型X射线图像传感器，其特征在于，包括：至少1个扫描线组，每一所述扫描线组包括两根扫描线；与所述扫描线组相交的至少2根数据线，在任一所述扫描线组的两根扫描线之间、任一所述数据线两侧分别设置有第一光敏器件和第二光敏器件，所述第一光敏器件通过开关单元与所述数据线和所述两根扫描线中的一根扫描线耦接，所述第二光敏器件通过开关单元与所述数据线和所述两根扫描线中的另一根扫描线耦接；其中，任一所述扫描线组的两根扫描线与相邻的两根所述数据线相交而成的区域内具有相邻的两个光敏器件，所述相邻的两个光敏器件之间设置有隔离结构，所述隔离结构连接至参考电位，在读取光敏器件的光电流信号时，相邻的两个光敏器件之间的寄生电容以所述隔离结构的电位值作为参考电位。2.如权利要求1所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述开关单元为薄膜晶体管TFT，所述薄膜晶体管TFT的栅极和与其耦接的扫描线电连接，所述薄膜晶体管TFT的源极/漏极和与其耦接的数据线电连接，所述薄膜晶体管TFT的漏极/源极和与其耦接的光敏器件的一端电极连接。3.如权利要求2所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所有所述光敏器件的另外一端电极均连接至公共电位。4.如权利要求3所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述光敏器件为PIN型光电二极管或MIS型光电二极管。5.如权利要求3所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述光敏器件包括N端电极层、P端电极层、设置于所述N端电极层和P端电极层之间的功能结构层。6.如权利要求5所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述隔离结构与所述N端电极层、所述数据线、所述薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层。7.如权利要求6所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所有所述光敏器件的P端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位，各所述光敏器件的N端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接。8.如权利要求5所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述隔离结构与所述P端电极层、所述数据线、所述薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层。9.如权利要求8所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所有所述光敏器件的N端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位，各所述光敏器件的P端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接。10.如权利要求7或9所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述相邻的两个光敏器件之间、所述隔离结构上设置有绝缘层，各所述隔离结构分别通过设置于所述绝缘层的过孔与所述公共电极层电连接。11.如权利要求7或9所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，相邻数据线之间的隔离结构连接在一起并与地线连接。12.如权利要求5所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述隔离结构与所述N端电极层位于同一层；所有所述光敏器件的P端电极层与所述数据线、所述薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层，所有所述光敏器件的P端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位；各所述光敏器件的N端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接。13.如权利要求5所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述隔离结构与所述P端电极层位于同一层；所有所述光敏器件的N端电极层与所述数据线、所述薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层，所有所述光敏器件的N端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位；各所述光敏器件的P端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接。14.如权利要求12或13所述的平板型X射线图像传感...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄忠守，陈艳光，邱承彬，金利波，夏军，凌严，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：