固态成像装置及其制造方法、以及摄像机制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。

【技术实现步骤摘要】
固态成像装置及其制造方法、以及摄像机本申请是申请号为200710128250.3、申请日为2007年2月25日和专利技术名称为“固态成像装置及其制造方法、以及摄像机”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及固态成像装置、制造该装置的方法、以及包括该固态成像装置的摄像机(camera)。
技术介绍
已知在固态成像装置例如电荷耦合装置(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器中，在用作光敏接收器(photoreceiver)的光电二极管(photodiode)中的晶体缺陷、以及光敏接收器与光敏接收器上的绝缘膜之间的每个界面处的界面态起到暗电流(darkcurrent)的源的作用。为了抑制由于界面态而产生暗电流，有效地使用嵌入式(buried)光电二极管结构。嵌入式光电二极管包括用于抑制暗电流的n型半导体区和浅p型半导体区(空穴积累区)，p型半导体区具有高杂质浓度并设置在n型半导体区的表面上，即设置在n型半导体区和绝缘膜之间的界面附近。制造嵌入式光电二极管的方法通常包括注入用作p型杂质的B离子或BF2离子；以及进行退火以在构成光电二极管的n型半导体区和绝缘膜之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态成像装置，包括：衬底，具有位于前端的第一表面和后端的第二表面；光电检测器，形成在该衬底中且在该第二表面上包括光接收表面；膜，设置在该第二表面或该第二表面上方且具有负固定电荷，该具有负固定电荷的膜在该光电检测器的光吸收表面上形成空穴积累区，以抑制暗电流；以及布线层，设置在该第一表面之上。

【技术特征摘要】
2006.02.24 JP 048173/06;2007.02.05 JP 025807/071.一种固态成像装置，包括：衬底，具有位于前端的第一表面和后端的第二表面；光电检测器，形成在该衬底中且在该第二表面上包括光接收表面；膜，设置在该第二表面或该第二表面上方且具有负固定电荷，该具有负固定电荷的膜在该光电检测器的光吸收表面上形成空穴积累区，以抑制暗电流；以及布线层，设置在该第一表面之上，其中该具有负固定电荷的膜由选自铪、锆、铝、钽、钛、钇、镧系元素的元素的氧化物构成。2.如权利要求1所述的固态成像装置，其中该具有负固定电荷的膜是至少部分结晶的绝缘膜。3.如权利要求2所述的固态成像装置，其中该至少部分结晶的绝缘膜具有至少部分结晶的区域。4.如权利要求2所述的固态成像装置，其中该至少部分结晶的绝缘膜具有3nm-100nm的厚度。5.如权利要求1所述的固态成像装置，其中在用于可见光时，该衬底具有2-6μm的厚度。6.如权利要求1所述的固态成像装置，其中在用于近红外线时，该衬底具有6-10μm的厚度。7.如权利要求1所述的固态成像装置，其中该衬底是n型硅衬底，该光电检测器由该衬底中的pn结形成。8.如权利要求1所述的固态成像装置，其中在该衬底的第一表面形成n型浮置扩散区，并且在该浮置扩散区和电荷积累区之间形成p型区。9.如权利要求1所述的固态成像装置，还包括设置在该光接收表面和该具有负固定电荷的膜之间的绝缘膜。10.如权利要求9所述的固态成像装置，其中设置在该光接收表面和该具有负固定电荷的膜之间的该绝缘膜由硅氧化物形成。11.如权利要求1所述的固态成像装置，其中：该光电检测器形成于该成像装置的成像区，外围电路形成于该成像装置的外围电路区；以及该具有负固定电荷的膜设置在该成像区之上作为抗反射膜，以及设置在该外围电路区之上以抑制外围电路区中的暗电流。12.如权利要求11所述的固态成像装置，还包括在该外围电路区中设置在该具有负固定电荷的膜之上的遮光膜。13.如权利要求12所述的固态成像...

【专利技术属性】
技术研发人员：丸山康，山口哲司，安藤崇志，桧山晋，大岸裕子，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：