本发明专利技术公开了一种晶体管筛选仪校准装置，通过标准晶体管载体将进行晶体管筛选仪校准的标准晶体管进行封装，在测试时，通过第一选择开关选择不同的标准晶体管进行校准。通过使用该晶体管筛选仪校准装置进行校准避免了手工进行校准时测试速度慢、效率低且人工测量会有个体差异导致测量数据误差的问题，加快测量速度、提高测量效率且测量精度高、重复性好。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及仪器校准领域，特别是涉及一种晶体管筛选仪校准装置。
技术介绍
随着电子技术的发展，晶体管在电路中的应用十分广泛。在使用晶体管时通常要知道晶体管是否可用以及晶体管的各种特征参数，所以使用前一般会使用晶体管筛选仪对晶体管进行筛选。晶体管筛选仪使用时，要保证其本身的测试精度的准确性，所以一般在晶体管筛选仪使用一段时间后需要对其进行校准。因晶体管筛选仪是非标准仪器，法定的计量机构目前无法检定或校准，一般使用一定数量几种不同类型的标准晶体管作为标准对晶体管筛选仪手工进行测量和记录。对晶体管筛选仪进行手工校准比较耗时间，效率低，平均每个测量参数测试时间在I分钟以上；手工进行校准的测量精度较低，由于是人工进行测量，多人进行测量时的个体差异较大，重复性差。
技术实现思路
基于此，有必要针对手工进行校准时好事、效率低、个体差异大等问题，提供一种效率高、速度快且精度高的晶体管筛选仪校准装置。一种晶体管筛选仪校准装置，用于对晶体管筛选仪进行校准，包括标准晶体管载体，连接有第一数量不同规格的标准晶体管，且具有一一对应每一个标准晶体管的基极和发射极的触点；第一选择开关，包括通过总线与所述基极触点连接的基极开关选择组及对应的基极选择键，和通过总线与所述发射极触点连接的发射极开关选择组及对应的发射极选择键；三个接线柱，分别为与所述基极选择键连接的基极接线柱、与所述发射极选择键连接的发射极接线柱以及与所有标准晶体管的集电极连接的集电极接线柱；所述基极接线柱、发射极接线柱以及集电极接线柱用于分别连接所述晶体管校准仪的三个检测探针。在其中一个实施例中，所述基极开关选择组包括第一数量基极选择级，每个基极选择级分别对应所述第一数量不同规格的标准晶体管的基极触点； 所述发射极开关选择组包括第一数量发射极选择级，每个发射极选择级分别对应所述第一数量不同规格的标准晶体管的发射极触点。在其中一个实施例中，所述基极开关选择组与所述发射极开关选择组同级选择，所述基极选择键接通所述一种规格的标准晶体管的基极引脚时，所述发射极选择键接通相应标准晶体管的发射极引脚。在其中一个实施例中，所述第一数量为6-10。在其中一个实施例中，包括第二数量的标准晶体管载体，每个标准晶体管载体连接第一数量的同种型号的标准晶体管。在其中一个实施例中，还包括第二选择开关，所述第二选择开关用于选择一种型号的标准晶体管，在所述第二选择开关选择所述一种型号的标准晶体管后，所述第一选择开关选择所述型号的标准晶体管中的一个标准晶体管。在其中一个实施例中，所述第二选择开关包括基极选组单元和发射极选组单元；所述基极选择单元包括第二数量的基极选组触点和基极选组键，所述基极选组键连接所述基极接线柱，每个基极选组触点通过第一选择开关的基极选择键连接每个标准晶体管载体连接的标准晶体管的基极触点；所述发射极选择单元包括第二数量的发射极选组触点和发射极选组键，所述发射极选组键连接所述发射极接线柱，每个发射极选组触点通过第一选择开关的发射极选择键连接每个标准晶体管载体连接的标准晶体管的基极触点。在其中一个实施例中，对应同一型号标准晶体管的基极选择单元和发射极选择单元同级选择，所述基极选组键连接对应一种型号标准晶体管的基极选组触点时，所述发射极选组键选择连接对应同种型号标准晶体管的发射极选组触点。在其中一个实施例中，所述第二数量为3-5。上述晶体管筛选仪校准装置，通过标准晶体管载体将进行晶体管筛选仪校准的标准晶体管进行封装，在测试时，通过第一选择开关选择不同的标准晶体管进行校准。通过使用该晶体管筛选仪校准装置进行校准避免了手工进行校准时测试速度慢、效率低且人工测量会有个体差异导致测量数据误差的问题，加快测量速度、提高测量效率且测量精度高重复性好。附图说明图1为本专利技术一实施例晶体管筛选仪校准装置示意图；图2为本专利技术另一实施例晶体管筛选仪校准装置示意图。具体实施例方式一种晶体管筛选仪校准装置，用于对晶体管筛选仪进行校准，通过将进行校准的几种不同型号的标准晶体管进行分类封装，并使用第二选择开关进行不同型号的选择，再通过第一选择开关在一定数量同型号标准晶体管中选择一个标准晶体管进行校准。通过分型号和分个体选择开关选择不同的标准晶体管对晶体管筛选仪进行校准，避免了通过手工测量会产生测量误差的问题，使校准效率高、精度高并且可重复性好。下面通过附图和实施例对本专利技术进行进一步详细说明。图1为本专利技术一实施例晶体管筛选仪校准装置示意图。—种晶体管筛选仪校准装置，包括标准晶体管载体110、第一选择开关120和接线柱130。标准晶体管载体110连接有第一数量不同规格的标准晶体管，且具有一一对应每一个标准晶体管的基极和发射极的触点，第一选择开关120包括通过总线与基极触点连接的基极开关选择组122及对应的基极选择键123，和通过总线与发射极触点连接的发射极开关选择组124及对应的发射极选择键125。接线柱130包括与基极选择键123连接的基极接线柱132、与发射极选择键125连接的发射极接线柱134以及与所有标准晶体管的集电极连接的集电极接线柱136。基极接线柱132、发射极接线柱134以及集电极接线柱136分别连接晶体管校准仪的三个检测探针(图未示)。上述晶体管筛选仪校准装置通过标准晶体管载体将进行晶体管筛选仪校准的标准晶体管进行封装，在测试时，晶体管校准仪的三个检测探针分别接入基极接线柱132、发射极接线柱134以及集电极接线柱136，通过第一选择开关120分别选择不同型号的标准晶体管进行校准。通过使用该晶体管筛选仪校准装置进行校准，完全机器化的测量，避免了手工进行校准时测试速度慢、效率低且人工测量会有个体差异导致测量数据误差的问题，力口快测量速度、提高测量效率且测量精度高且重复性好。通过标准晶体管载体110将进行校准所需的标准晶体管集中封装，以便于第一开关120进行选择。晶体管筛选即测量不同晶体管的不同参数，一般在使用晶体管之前需要对其参数进行测试，保证晶体管能够有效使用，减少因晶体管损坏或者型号不适产生的不必要的工序。一般的晶体管筛选仪能够测试多种型号的晶体管参数，所以在对晶体管筛选仪进行校准时，需要使用多种不同型号的标准晶体管进行校准。上述第一数量可为6-10，即将6-10种不同型号的标准晶体管连接在标准晶体管载体110上，测试时，分别选择其中的一种进行校准。图1所示，上述基极开关选择组122包括第一数量的基极选择级(1-n)，每个基极选择级分别对应第一数量不同规格的标准晶体管的基极触点。如图1所示，基极选择级I对应连接I号标准晶体管的基极触点。同样的，发射极开关选择组124包括第一数量发射极选择级(1-n)，每个发射极选择级分别对应每个标准晶体管的发射极触点。如图1所示，发射极选择级I对应连接I号标准晶体管的发射极触点。上述晶体管筛选仪校准装置，在测试时，基极开关选择组122与发射极开关选择组124同级选择，即基极选择键123接通其中一个标准晶体管的基极引脚时，发射极选择键125接通相应标准晶体管的发射极引脚。基极开关选择组122与发射极开关选择组124同级选择，在测试时，通过一次选择即可选择一个标准晶体管进行校准。具体的，上述基极开关选择组122与发射极开关选择组124可通过设置在同一旋转轴上，二者本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶体管筛选仪校准装置，用于对晶体管筛选仪进行校准，其特征在于，包括：标准晶体管载体，连接有第一数量不同规格的标准晶体管，且具有一一对应每一个标准晶体管的基极和发射极的触点；第一选择开关，包括通过总线与所述基极触点连接的基极开关选择组及对应的基极选择键，和通过总线与所述发射极触点连接的发射极开关选择组及对应的发射极选择键；三个接线柱，分别为与所述基极选择键连接的基极接线柱、与所述发射极选择键连接的发射极接线柱以及与所有标准晶体管的集电极连接的集电极接线柱；所述基极接线柱、发射极接线柱以及集电极接线柱用于分别连接所述晶体管校准仪的三个检测探针。
【技术特征摘要】
1.一种晶体管筛选仪校准装置，用于对晶体管筛选仪进行校准，其特征在于，包括 标准晶体管载体，连接有第一数量不同规格的标准晶体管，且具有一一对应每一个标准晶体管的基极和发射极的触点； 第一选择开关，包括通过总线与所述基极触点连接的基极开关选择组及对应的基极选择键，和通过总线与所述发射极触点连接的发射极开关选择组及对应的发射极选择键； 三个接线柱，分别为与所述基极选择键连接的基极接线柱、与所述发射极选择键连接的发射极接线柱以及与所有标准晶体管的集电极连接的集电极接线柱；所述基极接线柱、发射极接线柱以及集电极接线柱用于分别连接所述晶体管校准仪的三个检测探针。2.根据权利要求1所述的晶体管筛选仪校准装置，其特征在于， 所述基极开关选择组包括第一数量基极选择级，每个基极选择级分别对应所述第一数量不同规格的标准晶体管的基极触点； 所述发射极开关选择组包括第一数量发射极选择级，每个发射极选择级分别对应所述第一数量不同规格的标准晶体管的发射极触点。3.根据权利要求2所述的晶体管筛选仪校准装置，其特征在于，所述基极开关选择组与所述发射极开关选择组同级选择，所述基极选择键接通所述一种规格的标准晶体管的基极引脚时，所述发射极选择键接通相应标准晶体管的发射极引脚。4.根据权利要求1所述的晶体管筛选仪校准装置，其特征在于，所述第一数量为6-10。5.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王荣，
申请(专利权)人：深圳深爱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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