压敏胶粘带用膜和压敏胶粘带制造技术

本发明专利技术涉及压敏胶粘带用膜和压敏胶粘带。所述压敏胶粘带用膜包含设置在基材膜上的非压敏胶粘层，在通过负压下的吸附进行固定的情况下可以抑制过度密合的发生，通过在所述基材膜上设置所述非压敏胶粘层而有效地抑制卷绕状形式的膜的粘连，且所述膜在从所述卷绕状形式退绕时没有撕裂或破损，在所述非压敏胶粘层与所述基材膜之间具有良好的相容性，且具有良好的对诸如拉伸的变形的追随性。还提供了一种包含这种压敏胶粘带用膜的压敏胶粘带。所述压敏胶粘带用膜包含在塑料膜的一个表面上的非压敏胶粘层，所述塑料膜根据JIS-K-7127测量具有100%以上的最大伸长率，其中所述非压敏胶粘层具有0.1μm以上的算术平均表面粗糙度Ra。

【技术实现步骤摘要】
压敏胶粘带用膜和压敏胶粘带
本专利技术涉及压敏胶粘带用膜和压敏胶粘带。
技术介绍
在用于半导体切割的压敏胶粘带中，需要将在与晶片胶粘表面相反侧上的带表面固定到基底上以在切割时固定晶片。通常，这种固定通过真空吸附等在负压下进行。当在负压下进行这种固定时，压敏胶粘带可能由于过度施加负压的状态而过度胶粘到基底上或者由于在切割时产生热而使压敏胶粘带熔化。这种过度胶粘的发生导致在将固定到基底上的带剥离的情况下操作性劣化。例如，存在的问题在于包括切割的半导体制造工艺的平稳流动受到抑制。为了克服上述过度胶粘的问题，已经报道了用于在由两层、即基材膜和压敏胶粘剂层形成的晶片表面保护带中，将在与压敏胶粘剂层相反侧上的基材膜的表面的中心线表面粗糙度Ra控制为预定值的技术(日本特开2009-239124号公报)。然而，用于半导体切割中的压敏胶粘带的基材膜需要具有半导体制造工艺所特有的延伸(拉伸)特性和阶差追随特性(stepfollowingcharacteristic)。也就是说，用于半导体切割中的压敏胶粘带的基材膜需要能够在延伸步骤中良好地拉伸并且还需要良好地追随半导体的阶差。选择由具有大伸长率的材料形成的基材膜作为可以满足这些需求的基材膜。然而，这种基材膜的表面状况易于受温度影响。因此，存在如下问题：即使当如在日本特开2009-239124号公报中所报道的，将基材膜表面的中心线表面粗糙度Ra控制为预定值时，该控制为预定值的中心线表面粗糙度Ra也会因气温和工艺装置温度的变化而显著变化，且不能表现日本特开2009-239124号公报中所述的专利技术效果。特别地在半导体切割中的LED切割中，所使用的半导体晶片由诸如氮化镓、砷化镓或碳化硅的非常脆的材料构成。因此，为了防止半导体晶片破损，压敏胶粘带的基材膜需要具有额外高的延伸(拉伸)特性和阶差追随特性。因此，上述问题在用于LED切割中的压敏胶粘带中显著。通常，膜具有平滑表面。当将这种膜加工成卷绕形时，发生膜表面彼此接触且密合、即粘连的现象。在发生粘连的卷中，例如，可能发生用于退绕(unwinding)所述膜的操作变得困难的缺陷。特别地，具有大伸长率的膜通常向其中加入了增塑剂。在这种膜中，粘连的不利影响显著，因为增塑剂沉淀在膜表面上且填充膜表面之间的微小空隙。当利用压敏胶粘剂对膜表面进行压敏胶粘加工时，粘连的不利影响更加显著，因为压敏胶粘剂本身具有密合性。在将其中发生粘连的卷绕形膜进行退绕的情况下，需要额外的力来分离彼此处于紧密接触状态的膜表面。当施加这种额外的力时，膜经历变形如拉伸，或者即使在膜不经历变形时，所述力也累积为应力应变。当将出于上述原因而经历变形的膜应用于压敏胶粘带时，难以以追随(follow)被粘物的方式贴附压敏胶粘带。此外，当将出于上述原因而累积应力应变的膜应用于压敏胶粘带时，在压敏胶粘带贴附至被粘物之后该应力应变自发地释放，因此被粘物可能破损。当将压敏胶粘带用于半导体加工时，作为被粘物的半导体晶片由脆性材料构成，由此其为脆性的且易于破裂。因此，当将出于上述原因而经历变形的膜应用于压敏胶粘带时，难以以追随半导体晶片的微细且精致的电路图案的方式贴附压敏胶粘带。此外，当将出于上述原因而累积应力应变的膜应用于压敏胶粘带时，在压敏胶粘带贴附至半导体晶片之后该应力应变自发地释放，因此半导体晶片易于破损。特别地，用于LED的晶片由诸如氮化镓、砷化镓或碳化硅的非常脆的材料构成。因此，防止在用于LED切割等的压敏胶粘带中的粘连是极其重要的。给出了两种主要的常规技术以作为用于防止粘连的常规技术的实例。一种常规技术涉及对膜的背面进行诸如压花整理的物理处理(国际公开WO2009/028068A)。然而，该技术的问题在于，在膜的背面上形成的不规则具有应力集中结构，由此在将卷绕状形式的膜退绕时，膜因退绕力而由该不规则处开始撕裂或破损。另一常规技术涉及将聚硅氧烷脱模剂涂布到膜的背面上(日本特开2010-201836号公报)。然而，该技术的问题在于，聚硅氧烷脱模剂由于其表面张力而与膜背面的化学亲合性低，且因此与膜背面的相容性差。另外，当将已对其背面涂布了聚硅氧烷脱模剂的膜应用于压敏胶粘带时，可能出现的问题是，在对压敏胶粘带进行诸如延伸的拉伸时，用聚硅氧烷脱模剂处理的层可能不会追随拉伸，且处理过的层可能破损，这引起污染。应注意，还已知涉及施用交联型聚硅氧烷脱模剂以增加聚硅氧烷脱模剂与膜背面的化学亲合性的技术。然而，交联型聚硅氧烷通常具有极小的伸长率。因此，当将已对其背面涂布了交联型聚硅氧烷脱模剂的膜应用于压敏胶粘带时，存在的问题是，在对压敏胶粘带进行诸如延伸的拉伸时，用交联型聚硅氧烷脱模剂处理的层不能追随拉伸，因此不能维持锚固(anchoring)性能。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种压敏胶粘带用膜，所述压敏胶粘带用膜包含设置在基材膜上的非压敏胶粘层，在通过负压下的吸附进行固定的情况下可以抑制过度密合的发生，通过在所述基材膜上设置所述非压敏胶粘层而有效地抑制卷绕状形式的膜的粘连，且所述膜在从所述卷绕状形式退绕时没有撕裂或破损，在所述非压敏胶粘层与所述基材膜之间具有良好的相容性，且具有良好的对诸如拉伸的变形的追随性。本专利技术的另一目的在于提供包含这种压敏胶粘带用膜的压敏胶粘带。本专利技术的压敏胶粘带用膜包含在塑料膜的一个表面上的非压敏胶粘层，所述塑料膜根据JIS-K-7127测量具有100%以上的最大伸长率，其中所述非压敏胶粘层具有0.1μm以上的算术平均表面粗糙度Ra。在一个优选实施方式中，所述非压敏胶粘层具有小于1.0N/20mm的非压敏胶粘试验剥离强度。在一个优选实施方式中，所述非压敏胶粘层包含聚硅氧烷和(甲基)丙烯酸类聚合物的混合层。在一个优选实施方式中，在所述非压敏胶粘层中，所述聚硅氧烷与所述(甲基)丙烯酸类聚合物之间的混合比“聚硅氧烷：(甲基)丙烯酸类聚合物”以重量比计为1:50~50:1。在一个优选实施方式中，所述非压敏胶粘层包含其中聚硅氧烷含量高于(甲基)丙烯酸类聚合物含量的富聚硅氧烷相和其中(甲基)丙烯酸类聚合物含量高于聚硅氧烷含量的富(甲基)丙烯酸类聚合物相。在一个优选实施方式中，所述塑料膜具有20μm~200μm的厚度。在一个优选实施方式中，所述非压敏胶粘层具有0.01μm~10μm的厚度。在一个优选实施方式中，所述塑料膜包含聚氯乙烯。在本专利技术的另一实施方式中，提供一种压敏胶粘带。本专利技术的压敏胶粘带包含在本专利技术的压敏胶粘带用膜中所述塑料膜的与非压敏胶粘层相反的表面上的压敏胶粘剂层。在一个优选实施方式中，所述压敏胶粘剂层包含(甲基)丙烯酸类聚合物。在一个优选实施方式中，所述压敏胶粘剂层具有9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5的SP值。在一个优选实施方式中，所述压敏胶粘带进一步包含在所述压敏胶粘剂层的表面上的剥离衬垫。在一个优选实施方式中，本专利技术的压敏胶粘带用于半导体加工。在一个优选实施方式中，所述半导体加工包括LED切割。根据本专利技术，可以提供一种压敏胶粘带用膜，所述压敏胶粘带用膜包含设置在基材膜上的非压敏胶粘层，在通过负压下的吸附进行固定的情况下可以抑制过度密合的发生，通过在所述基材膜上设置所述非压敏胶粘层而有效地抑制本文档来自技高网...

【技术保护点】
压敏胶粘带用膜，包含在塑料膜的一个表面上的非压敏胶粘层，所述塑料膜根据JIS?K?7127测量具有100%以上的最大伸长率，其中所述非压敏胶粘层具有0.1μm以上的算术平均表面粗糙度Ra。

【技术特征摘要】
2011.10.17 JP 2011-227601;2012.08.01 JP 2012-17091.压敏胶粘带用膜，包含在塑料膜的一个表面上的非压敏胶粘层，所述塑料膜根据JIS-K-7127测量具有100％以上的最大伸长率，其中所述非压敏胶粘层具有0.1μm以上的算术平均表面粗糙度Ra，其中所述非压敏胶粘层包含聚硅氧烷和(甲基)丙烯酸类聚合物的混合层，且其中所述非压敏胶粘层包含其中聚硅氧烷含量高于(甲基)丙烯酸类聚合物含量的富聚硅氧烷相和其中(甲基)丙烯酸类聚合物含量高于聚硅氧烷含量的富(甲基)丙烯酸类聚合物相。2.根据权利要求1所述的压敏胶粘带用膜，其中所述非压敏胶粘层具有小于1.0N/20mm的非压敏胶粘试验剥离强度。3.根据权利要求1所述的压敏胶粘带用膜，其中在所述非压敏胶粘层中，所述聚硅氧烷与所述(甲基)丙烯酸类聚合物之间的混合比“聚硅氧烷：(甲基)丙烯酸类...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木俊隆，由藤拓三，白井稚人，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：