压敏胶粘带用膜和压敏胶粘带制造技术

本发明专利技术涉及压敏胶粘带用膜和压敏胶粘带。所述压敏胶粘带用膜包含设置在基材膜上的非压敏胶粘层，在通过负压下的吸附进行固定的情况下可以抑制过度密合的发生，通过在所述基材膜上设置所述非压敏胶粘层而有效地抑制卷绕状形式的膜的粘连，且所述膜在从所述卷绕状形式退绕时没有撕裂或破损，在所述非压敏胶粘层与所述基材膜之间具有良好的相容性，且具有良好的对诸如拉伸的变形的追随性。还提供了一种包含这种压敏胶粘带用膜的压敏胶粘带。所述压敏胶粘带用膜包含在塑料膜的一个表面上的非压敏胶粘层，所述塑料膜根据JIS-K-7127测量具有100%以上的最大伸长率，其中所述非压敏胶粘层具有0.1μm以上的算术平均表面粗糙度Ra。

【技术实现步骤摘要】
压敏胶粘带用膜和压敏胶粘带
本专利技术涉及压敏胶粘带用膜和压敏胶粘带。
技术介绍
在用于半导体切割的压敏胶粘带中，需要将在与晶片胶粘表面相反侧上的带表面固定到基底上以在切割时固定晶片。通常，这种固定通过真空吸附等在负压下进行。当在负压下进行这种固定时，压敏胶粘带可能由于过度施加负压的状态而过度胶粘到基底上或者由于在切割时产生热而使压敏胶粘带熔化。这种过度胶粘的发生导致在将固定到基底上的带剥离的情况下操作性劣化。例如，存在的问题在于包括切割的半导体制造工艺的平稳流动受到抑制。为了克服上述过度胶粘的问题，已经报道了用于在由两层、即基材膜和压敏胶粘剂层形成的晶片表面保护带中，将在与压敏胶粘剂层相反侧上的基材膜的表面的中心线表面粗糙度Ra控制为预定值的技术(日本特开2009-239124号公报)。然而，用于半导体切割中的压敏胶粘带的基材膜需要具有半导体制造工艺所特有的延伸(拉伸)特性和阶差追随特性(stepfollowingcharacteristic)。也就是说，用于半导体切割中的压敏胶粘带的基材膜需要能够在延伸步骤中良好地拉伸并且还需要良好地追随半导体的阶差。选择由具有大伸长率的材料形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
压敏胶粘带用膜，包含在塑料膜的一个表面上的非压敏胶粘层，所述塑料膜根据JIS?K?7127测量具有100%以上的最大伸长率，其中所述非压敏胶粘层具有0.1μm以上的算术平均表面粗糙度Ra。

【技术特征摘要】
2011.10.17 JP 2011-227601;2012.08.01 JP 2012-17091.压敏胶粘带用膜，包含在塑料膜的一个表面上的非压敏胶粘层，所述塑料膜根据JIS-K-7127测量具有100％以上的最大伸长率，其中所述非压敏胶粘层具有0.1μm以上的算术平均表面粗糙度Ra，其中所述非压敏胶粘层包含聚硅氧烷和(甲基)丙烯酸类聚合物的混合层，且其中所述非压敏胶粘层包含其中聚硅氧烷含量高于(甲基)丙烯酸类聚合物含量的富聚硅氧烷相和其中(甲基)丙烯酸类聚合物含量高于聚硅氧烷含量的富(甲基)丙烯酸类聚合物相。2.根据权利要求1所述的压敏胶粘带用膜，其中所述非压敏胶粘层具有小于1.0N/20mm的非压敏胶粘试验剥离强度。3.根据权利要求1所述的压敏胶粘带用膜，其中在所述非压敏胶粘层中，所述聚硅氧烷与所述(甲基)丙烯酸类聚合物之间的混合比“聚硅氧烷：(甲基)丙烯酸类...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木俊隆，由藤拓三，白井稚人，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：