杯芳烃和包含杯芳烃的光致抗蚀剂组合物制造技术

分子玻璃化合物包括式C(R1)2＝C(R2)-O-(L)n-Ar1的芳族乙烯基醚与杯[4]芳烃的乙烯基醚加合物，其中R1和R2各自独立地为单键、H、C1-20烷基、C1-20卤烷基、C6-20芳基、C6-20卤芳基、C7-20芳烷基、或C7-20卤代芳烷基，L为C1-20连接基团，n为0或1，Ar1是含卤单环、或取代的或非取代的多环或稠合多环C6-20含芳族基团的基团，其中，当R1和R2任一个或两者为单键且n为0时，R1和R2连接到Ar1。还公开了包含所述分子玻璃化合物、溶剂、以及光致酸产生剂的光致抗蚀剂，包括(a)在其表面上具有待图案化的一个层或多个层的基材，和(b)在待图案化的一个层或多个层上的光致抗蚀剂组合物层的涂覆基材。本发明专利技术还公开了形成所述分子玻璃化合物的方法。

【技术实现步骤摘要】
杯芳烃和包含杯芳烃的光致抗蚀剂组合物本申请是2011年9月23日提交的美国临时申请第61/538，670号的非临时申请且要求其优先权，其内容在此全部引入并作参考。
技术介绍
用于先进一代微光刻(即，超出193nm浸没式光刻以及进入到下一代光学例如电子束、X射线和在很短的13. 4nm波长工作的极紫外光)的设计原则趋向于越来越小的尺寸，例如30nm及以下。通常，焦深(DOF)随着因数值孔径(NA)变大而变大的分辨率而必然会减小，且从而光致抗蚀剂厚度减小以适应越来越小的特征尺寸。随着线宽的变窄和抗蚀剂膜的变薄，一致性问题，例如线边缘粗糙度(LER)和分辨率，在限制光致抗蚀剂的表现和效能方面起到越来越重要的作用。这些现象在半导体设备的制造中是人们所关注的，例如，过度的LER可以导致在例如晶体管和栅构造中低劣蚀刻和缺乏线宽控制，会潜在地造成电路短接和信号延迟。由于一般用于制备EUV光致抗蚀剂的聚合物材料的回转半径比所述LER要求的(即，小于3nm)大得多，当浇铸形成非晶态薄膜时，通常被称作分子玻璃的小的、离散的和良好限定的分子已经被认为是发展EUV光致抗蚀剂平台的可能候选材料。分子玻璃已经在负性和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分子玻璃化合物，其包含式C(R1)2＝C(R2)?O?(L)n?Ar1的芳族乙烯基醚与杯[4]芳烃的乙烯基醚加合物，其中R1和R2各自独立地为单键、H、C1?20烷基、C1?20卤烷基、C6?20芳基、C6?20卤芳基、C7?20芳烷基、或C7?20卤代芳烷基，L为C1?20连接基团，n为0或1，Ar1是含卤单环、或取代的或非取代的多环或稠合多环C6?20含芳族基团的基团，其中，当R1和R2任一个或两者为单键且n为0时，R1和R2连接到Ar1。

【技术特征摘要】
2011.09.23 US 61/538,6701.一种分子玻璃化合物，其包含式C(R1)2 = C(R2)-O-(L)n-Ar1的芳族乙烯基醚与杯[4]芳烃的乙烯基醚加合物， 其中R1和R2各自独立地为单键、H、CV2tl烷基、C1^卤烷基、C6_M芳基、C6_2(l卤芳基、C7_2Q芳烷基、或C7_2(l卤代芳烷基，L为C1J连接基团，n为0或LAr1是含卤单环、或取代的或非取代的多环或稠合多环C6_2(l含芳族基团的基团，其中，当R1和R2任一个或两者为单键且n为0时，R1和R2连接到Ar1。2.根据权利要求1所述的分子玻璃化合物，其中，所述芳族乙烯基醚的化学式为H2C=CH-O-(L)n-Ar2,其中L为C1,连接基团，n为0或1，Ar2是C6_2(l芳基、C6_2(l杂芳基、C6_2(l卤芳基、C7_20芳烷基、C7_20杂芳烷基或C7_2(l卤代芳烷基。3.根据权利要求1所述的分子玻璃化合物，其中L为-((-CH2)m0-)p-，或- ((-CH2)m0_)p-C (0)-，且m和P独立地为0到10的整数。4.根据权利要求1所述的分子玻璃化合物，其中所述乙烯基醚加合物进一步包含式C(R3)2 = C(R4)-O-(L)n-R5的脂环族乙烯基醚，其中，R3和R4各自独立地为H、C1^烷基、C1,卤烷基、C6_M芳基、C6_2(l卤芳基、C7_2(l芳烷基、或C7_2(l卤代芳烷基，L为C1,连接基团，n为0或I，R5是取代的或非取代的C2_3(l环烧基或C2_4(l齒代环烧基。5.根据权利要求1所述的分子玻璃化合物，其中，所述杯[4]芳烃包括以下物质的四聚反应产物 式C6R6x(OR7)y的芳族化合物，其中，R6为，H、F、C1^20烷基、C1J卤烷基、C6_2...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·简恩，J·W·撒克里，S·J·康，D·P·格林，B·C·贝利，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，陶氏环球技术有限公司，
类型：发明
国别省市：