光致抗蚀剂组合物制造技术

本发明专利技术提供一种光致抗蚀剂组合物，其包括由式(I)表示的盐：其中R1和R2独立地每一个表示氟原子或C1-C6全氟烷基，X1表示C1-C17二价饱和烃基团，等，s1表示1或2，和t1表示0或1，前提是s1和t1的和是1或2，R3表示C1-C12饱和烃基团，等，u1表示0-8的整数，和(Z1)+表示有机阳离子，由式(II-0)表示的盐其中R4表示C1-C24烃基团等，X2表示C1-C6烷烃二基基团等，和(Z2)+表示有机阳离子，和树脂，其在碱水溶液中是不溶的或可溶性差的但在酸的作用下变得可溶于碱水溶液。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光致抗蚀剂组合物。
技术介绍
光致抗蚀剂组合物用于使用光刻技术方法的半导体微制造。US 2007/0100096A1公开了光致抗蚀剂组合物，其包括包括以下结构单元的树脂

【技术保护点】
一种光致抗蚀剂组合物，其包括由式(I)表示的盐：其中R1和R2独立地每一个表示氟原子或C1？C6全氟烷基，X1表示C1？C17二价饱和烃基团，其中一个或多个氢原子可以被氟原子替代和其中一个或多个？CH2？可以被？O？或？CO？替代，s1表示1或2，和t1表示0或1，前提是s1和t1的和是1或2，R3表示C6？C18芳烃基团或C1？C12饱和烃基团，其中一个或多个氢原子可以被C1？C6烷基或硝基替代和其中一个或多个？CH2？可以被？O？替代，u1表示0？8的整数，和(Z1)+表示有机阳离子，由式(II？0)表示的盐其中R4表示C1？C24烃基团，其中一个或多个氢原子可以被氟原子或？OH替代和其中一个或多个？CH2？可以被？O？或？CO？替代，X2表示C1？C6烷烃二基基团，其中一个或多个？CH2？可以被？O？或？CO？替代和其中一个或多个氢原子可以被？OH或？OR5替代，其中R5表示C1？C24烃基团，其中一个或多个氢原子可以被氟原子或？OH替代和其中一个或多个？CH2？可以被？O？或？CO？替代，和(Z2)+表示有机阳离子，和树脂，其在碱水溶液中是不溶的或可溶性差的但在酸的作用下变得可溶于碱水溶液。FSA00000712671600011.tif,FSA00000712671600012.tif...

【技术特征摘要】
2011.04.13 JP 2011-0890641.ー种光致抗蚀剂组合物，其包括由式(I)表示的盐2.根据权利要求I的光致抗蚀剂组合物，其中由式(II-O)表示的盐是由式(II)表示的盐3.根据权利要求I的光致抗蚀剂组合物，其中由式(II-O)表示的盐是由式(II)表示的盐。4.根据权利要求I的光致抗蚀剂组合物，其中X1是*-C0-0-CH2-，其中*表示与-C(R1)(R2)-的键合位置。5.根据权利要求I的光致抗蚀剂组合物，其中(Z1)+是三芳基锍阳离子。6.根据权利要求I...

【专利技术属性】
技术研发人员：市川幸司，坂本宏，向井优一，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：