屏蔽插入机构及具有集成的电磁屏蔽物的半导体封装制造技术

本实用新型专利技术涉及屏蔽插入机构及具有集成的电磁屏蔽物的半导体封装。在本实用新型专利技术中公开了位于顶部有源管芯与底部有源管芯之间用于屏蔽所述有源管芯避免电磁噪声的屏蔽插入机构的多种实施方式。一种实施方式包括插入机构介质层、所述插入机构介质层内的硅通孔（TSV）、以及电磁屏蔽物。TSV将电磁屏蔽物连接到第一固定电位上。所述电磁屏蔽物可以包括侧向延伸横过屏蔽插入机构的导电层格栅。所述屏蔽插入机构还可以包括连接到另一固定电位上的另一个电磁屏蔽物。本实用新型专利技术还公开了具有集成的电磁屏蔽物的半导体封装。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术总体涉及半导体领域，具体涉及用于屏蔽有源管芯避免电磁噪声的屏蔽插入机构及具有集成的电磁屏蔽物的半导体封装。
技术介绍
对于减小半导体封装尺寸同时增强功能性存在日益增长的需要。这种需要典型地导致半导体封装设计成容纳多于一个半导体管芯，其中每个管芯都可以是包含众多晶体管以及多层互连的复合管芯。在运行期间，所述复合管芯产生流过管芯上多个互连的大量瞬态电流。大量的瞬态电流以及伴随的瞬态电压进而导致由每个管芯产生的大量的电磁噪声。由于高级封装包括紧密接近的多个管芯，来自一个管芯的电磁噪声对封装内其他管芯会具有非常不希望的影响。更具体地，由一个管芯产生的电磁噪声典型地在所述封装内其他管芯中诱导不希望的噪声电流以及噪声电压。由于半导体封装尺寸减小，以及邻近管芯之间分隔减小，以及当将多于两个管芯封装在同一个封装内时，加剧了诱导不希望噪声的问题。此外，每个半导体封装可能暴露于来自系统中其他部件(例如其他有噪声的半导体封装)的外部电磁噪声。减少电磁噪声的影响是高级封装设计的重要目标。
技术实现思路
本技术是针对具有集成的电磁屏蔽物的半导体封装，基本上如在至少一个附图中所示和/或与其相结合进行说明，更全面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种位于顶部有源管芯与底部有源管芯之间用于屏蔽所述顶部有源管芯以及所述底部有源管芯避免电磁噪声的屏蔽插入机构，所述屏蔽插入机构包括：插入机构介质层；所述插入机构介质层内的硅通孔TSV；通过所述TSV连接到固定电位上的电磁屏蔽物。

【技术特征摘要】
2012.02.27 US 13/405,7211.一种位于顶部有源管芯与底部有源管芯之间用于屏蔽所述顶部有源管芯以及所述底部有源管芯避免电磁噪声的屏蔽插入机构，所述屏 蔽插入机构包括 插入机构介质层； 所述插入机构介质层内的娃通孔TSV ； 通过所述TSV连接到固定电位上的电磁屏蔽物。2.根据权利要求1所述的屏蔽插入机构，其中所述电磁屏蔽物包括导电层格栅。3.根据权利要求1所述的屏蔽插入机构，其中所述电磁屏蔽物全部地布置在所述插入机构介质层内。4.根据权利要求1所述的屏蔽插入机构，其中所述电磁屏蔽物部分地布置在所述插入机构介质层内。5.根据权利要求1所述的屏蔽插入机构，进一步包括连接到另外的固定电位的另外的电磁屏蔽物，其中所述另外的电磁屏蔽物至少部分地重叠所述电磁屏蔽物。6.一种半导体封装，包括 底部有源管芯； 位于所述底部有源管芯之上的屏蔽插入机构； 位于所述屏蔽插入机构之上的顶部有源管芯，所述屏蔽插入机构用于屏蔽所述顶部有源管芯以及所述底部有源管芯避免电磁噪声； 所述屏蔽插入机构具有插入机构介质层、所述插入...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑帕施·K·V·卡里卡兰，胡坤忠，赵子群，雷佐尔·拉赫曼·卡恩，彼得·沃伦坎普，陈向东，
申请(专利权)人：美国博通公司，
类型：实用新型
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