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本实用新型涉及屏蔽插入机构及具有集成的电磁屏蔽物的半导体封装。在本实用新型中公开了位于顶部有源管芯与底部有源管芯之间用于屏蔽所述有源管芯避免电磁噪声的屏蔽插入机构的多种实施方式。一种实施方式包括插入机构介质层、所述插入机构介质层内的硅通孔（...
该专利属于美国博通公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国博通公司授权不得商用。

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