硅片晶向斜切治具制造技术

本实用新型专利技术硅片晶向斜切治具，包括：固定卡块，所述固定卡块为长方形；硅片挡板，所述硅片挡板设置在所述固定卡块的四周。所述硅片挡板两个横向邻近面的间距大于5毫米。所述固定卡块一侧的两个所述硅片挡板上安装有调节螺母及活动固定块。本实用新型专利技术是通过一个简易的治具将硅片（100）晶向转变至（111）晶向对其位错缺陷进行观察确认，该做法主要因在（111）晶向的位错缺陷形态为“▲”，便于检测人员的观察统计。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造领域，特别是一种硅片晶向斜切治具。技术背景 目前半导体器件制造对于硅单晶的最基本要求是无位错。生长过程中位错的产生是影响硅单晶生长的成品率的最主要的因素。为此需要对单晶硅中的位错分布及密度进行统计确认。对于现有的操作流程，即将晶棒待检测部位截取一枚检测样片对其进行简易的碱洗净及混酸腐蚀后再进行择优腐蚀操作，操作完成后在显微镜下观察硅片的位错缺陷并对其进行统计，而实际操作中发现(100)晶向的单晶位错缺陷形态为多种形式，常见的为“ ■”或“ · ”，而这对检验员判定及计数带来了不便之处。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种便于检测人员观察的多线切割装置。为解决上述技术问题，本技术硅片晶向斜切治具，包括固定卡块，所述固定卡块为长方形；硅片挡板，所述硅片挡板设置在所述固定卡块的的四周。所述硅片挡板两个横向邻近面的间距大于5毫米。所述固定卡块一侧的两个所述硅片挡板上安装有调节螺母及活动固定块。本技术是通过一个简易的治具将硅片(100)晶向转变至(111)晶向对其位错缺陷进行观察确认，该做法主要因在(111)晶向的位错缺陷形态为“▲”，便于检测人员的观察统计。附图说明图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
硅片晶向斜切治具，其特征在于，包括：固定卡块，所述固定卡块为长方形；硅片挡板，所述硅片挡板设置在所述固定卡块的的四周。

【技术特征摘要】
1.硅片晶向斜切治具，其特征在于，包括 固定卡块，所述固定卡块为长方形； 硅片挡板，所述硅片挡板设置在所述固定卡块的的四周。2.根据权利要求1所述的硅片晶向斜切治具，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋玮，贺贤汉，肖尚青，包胜娟，
申请(专利权)人：上海申和热磁电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：