无定形碳膜的形成方法技术

一种无定形碳膜的形成方法。所述方法包括在基材上形成无定形碳膜之后，进行碳离子注入和退火处理。所述离子注入的原材料包括C16H10或者C7H7；离子束的剂量范围包括5E15～8E15/cm2；注入的能量范围包括5Kev～6Kev。所述退火处理的保护气体为氮气或者氦气；退火处理的时间范围包括30分钟～60分钟；退火处理的温度范围包括400～550℃。本发明专利技术无定形碳膜的形成方法，有效地提高了无定形碳膜的性能，避免了对后续半导体制程的不良影响，进而提高了半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种。
技术介绍
含氢无定形碳膜(Hydrogenated amorphous carbon, a_C:H)又称为类金刚石碳膜 (Diamond-Like Carbon)，因其具有高硬度、高强度、高导热、高电阻率、高抗辐射、高化学稳定性、低摩擦系数以及红外光学波段良好的透过率等优良性能而备受关注。在半导体衬底上形成精细图案时，为了获得较高分辨率以及精确的图案化，通常使用无定形碳膜作为硬掩模。无定形碳膜可以通过已知的CVD (Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)法和PVD (Physical Vapor Deposition,物理气相沉积)法,例如等离子体CVD、离子镀和派射而形成。但是，在以溅射为代表的PVD法中，无定形碳膜的形成具有方向性。因此，为形成均匀的无定形碳膜，必须采取措施将基材进行旋转或者将多个靶放入装置中。这种形成无定形碳膜的装置结构复杂、价格本昂贵，并且有时难以根据基材的形状形成无定形碳膜。等离子体CVD法能够在基材上形成均匀的无定形碳膜，而与基材的形状无关，并且等离子体 CVD法由反应气体形成无定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无定形碳膜的形成方法，其特征在于，在基材上形成无定形碳膜之后，进行碳离子注入。

【技术特征摘要】
1.一种无定形碳膜的形成方法，其特征在于，在基材上形成无定形碳膜之后，进行碳离子注入。2.如权利要求1所述的无定形碳膜的形成方法，其特征在于，所述碳离子注入包括在真空条件下，将离子注入的原材料电离以产生团簇离子束；对所述团簇离子进行加速，并将所述团簇离子束注入到所述无定形碳膜。3.如权利要求2所述的无定形碳膜的形成方法，其特征在于，所述离子注入的原材料包括C16H10或者C7H7。4.如权利要求2所述的无定形碳膜的形成方法，其特征在于，所述团簇离子束的剂量范围包括5E15 8E15/cm2 ;注入的能量范围包括5...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓浩，张彬，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：