温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种无定形碳膜的形成方法。所述方法包括在基材上形成无定形碳膜之后，进行碳离子注入和退火处理。所述离子注入的原材料包括C16H10或者C7H7；离子束的剂量范围包括5E15～8E15/cm2；注入的能量范围包括5Kev～6Kev。所述退火处理...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。