一种 ZnO/Al/ZnO光电透明导电薄膜的沉积制备方法技术

本发明专利技术属于透明导电材料领域，具体涉及一种ZnO/Al/ZnO光电透明导电薄膜的沉积制备方法。本发明专利技术方法是将玻璃基片清洗送入气相沉积反应室，向反应室内同时通入携带有Zn(CH2CH3)2的氩气和氧气，沉积制备20-50nm厚的ZnO薄膜，然后将基片置于磁控溅射室中，以纯Al为靶材进行磁控溅射，溅射5-30nm厚的Al膜，再将基片转移至气相沉积反应室中，再次沉积制备20-50nm厚的ZnO薄膜，对上述基片于100-400℃高温退火，得到结构为ZnO/Al/ZnO的光电透明导电薄膜。本发明专利技术制备工艺简单，沉积过程易于控制。本发明专利技术制备的透明导电薄膜均匀性好，光电性能优异，可用于制造太阳能电池、发光二极管、LCD以及手机等光电器件的透明电极。

【技术实现步骤摘要】
—种ZnO/AI/ZnO光电透明导电薄膜的沉积制备方法
本专利技术属于透明导电材料领域，具体涉及一种Ζη0/Α1/Ζη0光电透明导电薄膜的沉积制备方法。
技术介绍
随着社会发展和科学技术的突飞猛进，人类对功能材料的需求日益增加，新型功能材料已成为新技术和新兴工业发展的关键。随着太阳能、平板显示和半导体照明等产业的发展，一种新的功能材料——透明导电材料随之产生、发展起来。一般的导电材料如金属和合金基半导体均为不透明材料，但在实际应用中，如作为太阳能电池电极、薄膜太阳能电池的电极、液晶显示的电极等，均要求在导电的同时，能够透过可见光，一般来说，满足以下两个要求即可成为透明导电材料(I)对可见光(波长λ=380 780ηπι)的平均透过率 Tavg>80% ；(2)具备优异的导电性能，电阻率低于10_3Ω · cm。目前发展的透明导电半导体均为宽禁带氧化物半导体材料，即透明导电薄膜 (transparent conductive oxide,简称为TCO薄膜),这类薄膜具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特性，经过合适掺杂后可以进一步提高其电导性能，具有广阔的应用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ZnO/Al/ZnO光电透明导电薄膜的沉积制备方法，其特征在于按照以下步骤进行：（1）将玻璃基片依次用丙酮、乙醇和去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入气相沉积反应室，将反应室抽真空至7.0×10?4?Pa后，将基片加热至400℃，向反应室内同时通入携带有Zn(CH2CH3)2的氩气和氧气，其中氩气和氧气的流量比为1：（100?150），控制微波功率为650W，沉积制备20?50nm厚的ZnO薄膜，沉积结束后用高纯氮气清洗气相沉积反应室，取出基片；（2）将沉积有ZnO薄膜的基片置于磁控溅射室中，将磁控溅射室真空抽至10?4Pa后，加热基片至100℃，通入氩气控制气压为8Pa，以纯Al为靶材进...

【技术特征摘要】
1 一种ZnO/Al/ZnO光电透明导电薄膜的沉积制备方法，其特征在于按照以下步骤进行 (1)将玻璃基片依次用丙酮、乙醇和去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入气相沉积反应室，将反应室抽真空至7. OX 10_4 Pa后，将基片加热至400°C，向反应室内同时通入携带有Zn(CH2CH3)2的氩气和氧气，其中氩气和氧气的流量比为1: (100-150)，控制微波功率为650W，沉积制备20-50nm厚的ZnO薄膜，沉积结束后用高纯氮气清洗气相沉积反应室，取出基片; (2)将沉积有ZnO薄膜的基片置于磁控溅射室中，将磁控溅射室真空抽至10_4Pa后，力口热基片至100°C，通入氩气控制气压为...

【专利技术属性】
技术研发人员：张铁岩，赵琰，张东，赵志刚，张晓慧，李昱材，邓玮，
申请(专利权)人：沈阳工程学院，
类型：发明
国别省市：