【技术实现步骤摘要】
高温多晶硅压力传感器
本技术涉及一种压力传感器,特别是涉及一种高温多晶硅压力传感器。
技术介绍
高温压力传感器因其特殊的高温应用环境而日益受到人们的重视。在石油、化工、 冶金和航空航天等领域,有时必须在高温环境下测试压力。普通压阻式压力传感器中力敏电阻依靠硼扩散利用p-n结隔离形成,温度升高,反相漏电便明显增加,超过150°C后p-n 结隔离便失效。要提高压力传感器高温性能的最佳途径是废除力敏电阻的P-n结隔离,用绝缘层来代替P-n结隔离。蓝宝石和SOI高温压力传感器是目前传感器市场上,用于在高温压力测量领域中替代普通扩散硅压力传感器的理想产品。为了使压力传感器能够满足高温测压的要求,早期有人提出用多晶硅做力敏电阻条的想法。由于多晶硅力敏电阻条是制备在绝缘衬底上,与一般的扩散电阻不同,它没有电学非线性及反向漏电现象,从而使传感器可用于较高的温度下。并且它的电阻温度系数符号取决与掺杂浓度,容易控制以实现热零点漂移的温度补偿。现在一般用SiO2作电绝缘层, 但是由于SiO2的热膨胀系数与多晶硅的相差太大,当温度变化时,因二者热膨胀系数不同, 在其内部产生内应力,从而引起传感器的零点温度漂移。而且SiO2的导热率比硅的小百倍, 不利于电桥的散热。采用SiO2作硅衬底和多晶硅力敏电阻条之间的电绝缘层时,热模拟得到的温度分布,高温区局限于SiO2层上面,热量几乎不往下传,这就限制了 SiO2材料在高温、大功率集成电路中的应用。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述问题而提供一种绝缘性能高、耐高温的高温多晶硅压力传感器。本技术是通过以下技术方案实现的一种高温多 ...
【技术保护点】
一种高温多晶硅压力传感器,包括壳体、弹性盖、感应片、引出导线、膜片和膜片基座,所述膜片基座分别设置于所述壳体底部的两端,所述膜片的两端分别固定于所述膜片基座上,其特征在于:所述膜片由氮化硅钝化层、纳米多晶硅层、氮化铝绝缘隔膜层和硅单晶层组成,所述纳米多晶硅层位于所述氮化硅钝化层的下表面和所述氮化铝绝缘隔膜层的上表面之间,所述硅单晶层位于所述氮化铝绝缘隔膜层的下表面。
【技术特征摘要】
1.一种高温多晶硅压力传感器,包括壳体、弹性盖、感应片、引出导线、膜片和膜片基座,所述膜片基座分别设置于所述壳体底部的两端,所述膜片的两端分别固定于所述膜片基座上,其特征在于所述膜片由氮化硅钝化层、纳米多晶硅层、氮化铝绝缘隔膜层和硅单晶层组成,所述纳米多晶硅层位于所述氮化硅钝化层的下表面和所述氮化铝绝缘隔膜层的上表面之间,所述硅单晶层位于所述氮化铝绝缘隔膜层的下表面。2.根据权利要求1所述的高温多晶硅压力传感器,其特征在于所述氮化铝绝缘隔膜所述的高温多晶硅压力传感器,其特征在于所述氮化硅钝化层的...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢淑颖,
申请(专利权)人:成都达瑞斯科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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