介质隔离压阻式压力传感器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种介质隔离压阻式压力传感器，包括SOI硅片以及键合的下盖板（6），SOI硅片的顶层硅（5c）中设置的压敏体电阻（1）周围设有隔离介质（2a），顶层硅（5c）表面设有氧化隔离层（2），其表面设有铝电极（4）与对应的压敏体电阻（1）连接；SOI硅片的底层硅（5）中设有空腔及硅岛（5a）。本发明专利技术有效的解决了传统压阻式压力传感器灵敏度、线性度、可靠性低和电隔离差的难题，同时采用顶层硅作为压敏体电阻的厚度有效的保证了后期工艺高温环境对器件性能的影响，保证了器件性能的一致性和稳定性，采用硅硅键合等工艺，避免了新材料引入的应力，实现器件的高性能，该结构加工工艺易于控制，保证了结构加工的一致性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种介质隔离压阻式压力传感器，其特征在于包括：SOI硅片以及键合连接的下盖板（6），SOI硅片的顶层硅（5c）中设有一组压敏体电阻（1），压敏体电阻（1）周围设有隔离介质（2a），顶层硅（5c）表面设有氧化隔离层（2），氧化隔离层（2）的表面设有一组铝电极（4），每个铝电极分别通过导线与对应的压敏体电阻（1）连接；SOI硅片的底层硅（5）中设有空腔，空腔中部设有凸起的硅岛（5a）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪祖民，展明浩，吕东锋，郭群英，徐栋，黄斌，王鹏，何凯旋，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：