【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子陶瓷材料及器件领域，特别涉及。
技术介绍
随着通讯技术的发展，低压压敏元件的需求日益增加，为解决低压/高α值的压敏元件，人们从材料配方和元件结构方面做了大量工作。多层结构的ZnO压敏电阻0805的梯度电压为 5. 5V，α =15 20，0402 的梯度电压为 50V，α =18 20，(SIDV，Data Book 2004EPC0S);电压更低，α更高的小型压敏元件SrTiO3和TiO2基的压敏元件正在研制中。ZnO压敏电阻，制造工艺简单，成本低，如将ZnO压敏元件的梯度电压降低，α值提高，体积缩小，具有潜在应用前景。然而，由于ZnO压敏元件的梯度电压与α值是相互依赖的，即耐压越高，α值越大，反之亦然。因为预击穿区中流过元件的电阻的电流为热离子发射电流I=Ioe_ WiEim At，式中，Φβ为晶界势垒高度，E为热电子发射能量，B为发射系数玻尔滋蔓常数；势垒越低，电阻越低，漏电流越大。根据ZnO压敏电阻的特性
【技术保护点】
一种低压/高非线性系数ZnO压敏元件，包括导电膜片和压敏膜片，其特征在于：两导电膜片中间夹设一压敏膜片叠合成复合膜片，经压制减薄后，在950~1100℃下保温2.5~3小时烧成具有低压/高α值的复合膜片，在复合膜片两面焙银并切成元件要求的尺寸，附上引线并通过包封料包封成压敏元件，压敏元件性能为V1mA/mm=0.8~3.0V，α=40~60，Ir=0.5~1.0μA；其中，导电膜片由ZnO中掺入Bi、Ti、Mn、Co、Ni、Zr、W、Al的氧化物中的至少3种氧化物制成，压敏膜片为在ZnO?Bi2O3—Sb2O3?系或ZnO?Bi2O3?SnO2系氧化物中掺入?Co、Mn、N...
【技术特征摘要】
1.一种低压/高非线性系数ZnO压敏元件，包括导电膜片和压敏膜片，其特征在于两导电膜片中间夹设一压敏膜片叠合成复合膜片，经压制减薄后，在95(T110(TC下保温2.5 3小时烧成具有低压/高α值的复合膜片，在复合膜片两面焙银并切成元件要求的尺寸，附上引线并通过包封料包封成压敏元件，压敏元件性能为VlmA/mm=0. 8^3. 0V,α=40 60，Ir=O. 5 L O μ A ;其中，导电膜片由 ZnO 中掺入 B1、T1、Mn、Co、N1、Zr、W、Al 的氧化物中的至少3种氧化物制成，压敏膜片为在ZnO-Bi2O3 — Sb2O3系或ZnO-Bi2O3-SnO2系氧化物中掺入Co、Mn、N1、W、S1、Zr、Al的氧化物至少4种制成的高α值的非线性指数压敏膜片。2.根据权利要求1所述的低压/高非线性系数ZnO压敏元件的制备方法，其特征为，包括如下步骤 (1)低阻导电膜片以ZnO为基加入b1、T1、Mn、CO、N1、Zr、W、Al的氧化物中选出的至少3种氧化物，混合研磨制成O. 5^1. O μ A的粉料，并在粉料加入占其重量份数40%的浓度为10%的聚乙烯溶液，配成浆料，轧膜成所要求的厚度的导电膜片； (2)在ZnO-Bi2O3-Sb2O3 或 ZnO-Bi2O3-SnO2 系氧化物中加入 Co、Mn、N1、S1、W、Zr、Al 的氧化物中选出的至少4种氧化物，研磨混合，制成粒度为O. 5 1. 0μ A的粉料；在粉料中加入占其重量份数40%的浓度为10%的聚乙烯溶液制成浆料，轧膜成所需要的压敏膜片； (3)将两层导电膜片中间夹一层压敏膜片叠成复合膜片，然后用油压方法将其减薄； (4)复合膜片的烧结曲线为室温 500°C，升温速率为O.50C /min，500°C 烧结温度95(Tll00°C的升温速率为O. 20C /min，烧结温度恒温时间2. 5^3. O小时，采用随炉降温冷却，随炉降温至200°C以下，取出；烧成的复合膜片两面焙银，最后切成元件要求的尺寸，并按常规的方法做成带引线的小型压敏元件或表面安装型压敏元件。3.根据权利要求2所述的低压/高非线性系数ZnO压敏元件的...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘倩，朱金鸿，李本文，
申请(专利权)人：山东中厦电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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