片式铂热敏电阻器制作方法技术

本发明专利技术属于电阻制造技术领域，具体公开了一种片式铂热敏电阻器制作方法，包括表背电极制作、电阻体制作、激光调阻、包封、裂片、烧结、端涂、电镀，具体制作步骤在于，设计迷宫图形，制作阻挡层阳图，通过磁控溅射工艺在陶瓷基板表面形成一层铂薄膜，最后通激光调阻将铂电阻的阻值调整到目标阻值，最后经过切条、分割、测试、封装等工艺形成铂薄膜电阻温度传感器成品。该制作方法制作的片式铂热敏电阻器具有精度高、稳定性好、可靠性高、应用温度范围广等特点，不仅广泛应用于工业测温，而且被制成各种标准温度计供计量和校准使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电阻制造
，具体涉及一种片式钼热敏电阻器制作方法。
技术介绍
温度是表征物体冷热程度的物理量，它可以通过物体随温度变化的某些特性(如电阻、电压变化等特性)来间接测量。通过研究发现，金属钼(Pt)的电阻值在一定的温度范围内随温度基本呈线性变化，并且具有很好的重现性和稳定性，利用钼的此种物理特性制成的传感器称为钼电阻温度传感器。钼电阻温度传感器精度高、稳定性好、应用温度范围广，是中低温区最常用的一种温度检测器。产品问世后，迅速占领了一定的市场。但是，由于钼材料价格昂贵，丝绕式钼温度传感器成本高，热响应速度和尺寸大小不能满足要求，其实际应用仍然被限制。20世纪90年代中期，随着薄膜技术的引入，世界上的温度传感器主流生产厂家开发出了钼薄膜电阻产品。这种产品在基本保持了传统线绕钼电阻性能优势的基础上，同时又大大降低了产品成本并且能够进行大批量的生产。从而彻底解决了制约钼电阻大规模应用的瓶颈，在许多领域迅速取代了传统的热敏电阻和热电偶等测温元件。钼薄膜电阻温度传感器问世以后，它以热响应快，机械性能好，线性好，材料成本低的特点，受到人们关注，并已在航天、电子、化学、汽车、环保本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式铂热敏电阻器制作方法，包括表电极制作、电阻体制作、激光调阻、包封、裂片、烧结、端涂、电镀，其特征在于：具体制作方法如下，1）、选取氧化铝陶瓷基片，按常规方法使用三氯乙烷、无水乙醇对氧化铝陶瓷基片进行抛光打磨、清洗，要求氧化铝陶瓷基片的表面粗糙度小于50纳米，干燥；2）、铂薄膜的沉积，采用溅射镀膜的方式制备Pt薄膜，靶材为纯铂金，溅射过程中充入1～5sccm的氮气和100sccm的氩气，溅射功率500～900瓦，溅射时间20～60分钟；3）、铂薄膜热处理，磁控溅射,正离子冲击靶面,溅出铂原子淀积在基片上,经过晶粒的形成、长大、晶核合并、沟道和空洞的四个阶段,形成了连续膜；通过热处理,将薄...

【技术特征摘要】
1.一种片式钼热敏电阻器制作方法，包括表电极制作、电阻体制作、激光调阻、包封、裂片、烧结、端涂、电镀，其特征在于具体制作方法如下， 1)、选取氧化铝陶瓷基片，按常规方法使用三氯乙烷、无水乙醇对氧化铝陶瓷基片进行抛光打磨、清洗，要求氧化铝陶瓷基片的表面粗糙度小于50纳米，干燥； 2)、钼薄膜的沉积，采用溅射镀膜的方式制备Pt薄膜，靶材为纯钼金，溅射过程中充入I 5sccm的氮气和IOOsccm的氩气，溅射功率500 900瓦，溅射时间20 60分钟； 3)、钼薄膜热处理，磁控溅射，正离子冲击靶面，溅出钼原子淀积在基片上，经过晶粒的形成、长大、晶核合并、沟道和空洞的四个阶段，形成了连续膜；通过热处理，将薄膜由介稳状态转变到隐定状态，消除空位、位错、净利间界缺陷，降低薄膜的P，增大TCR，排除膜中部分气态、固态杂质； 4)、光刻，采用常规方法进行涂胶、前烘、曝光、显影、硬烘、刻蚀、去胶，将设计在掩膜版上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱沙，张青，张弦，史天柯，李胜，韩玉成，陈传庆，朱威禹，王黎斌，李静，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：