碳化硅横向PIN型微型核电池及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅横向PIN型微型核电池及其制造方法，其核电池包括衬底和设在衬底上的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区和P型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上设有N型欧姆接触电极，P型SiC欧姆接触掺杂区上设有P型欧姆接触电极；N型SiC外延层上除去N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极的区域设有二氧化硅层；一、提供衬底，二、外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成P型SiC欧姆接触掺杂区，五、形成二氧化硅层，六、形成欧姆接触电极，七、形成肖特基接触电极；本发明专利技术设计新颖合理，提高了微型核电池的能量转换效率和封装密度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种碳化硅横向PIN型微型核电池，其特征在于：包括由N型SiC基片构成的衬底（1）和设置在所述衬底（1）上部的N型SiC外延层（2），所述N型SiC外延层（2）上设置有N型SiC欧姆接触掺杂区（3）和P型SiC欧姆接触掺杂区（4），所述N型SiC欧姆接触掺杂区（3）上部设置有形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区（3）形状相同的N型欧姆接触电极（5），所述P型SiC欧姆接触掺杂区（4）上部设置有形状与所述P型SiC欧姆接触掺杂区（4）形状相同的P型欧姆接触电极（6）；所述N型SiC欧姆接触掺杂区（3）、P型SiC欧姆接触掺杂区（4）、N型欧姆接触电极（5）和P型欧姆接触电极（6）均为由一条水平指条和多条垂直指条构成的指状结构，所述N型欧姆接触电极（5）的垂直指条与所述P型欧姆接触电极（6）的垂直指条相互交叉设置构成了叉指结构；所述N型SiC外延层（2）上部除去N型欧姆接触电极（5）和P型欧姆接触电极（6）的区域设置有二氧化硅层（7）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张林，李清华，邱彦章，巨永锋，
申请(专利权)人：长安大学，
类型：发明
国别省市：