一种PIN型核电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ＰＩＮ型核电池及其制备方法，通过两次ＭＯＣＶＤ外延和一次ＨＶＰＥ外延的复合外延技术生长获得衬底－ｎ型ＧａＮ掺杂层－绝缘层－ｐ型ＧａＮ掺杂层结构的ＰＩＮ器件材料结构，再使用半导体微加工工艺溅射生成对应的接触电极，制备形成基本的电池器件，并将同位素耦合到ｐ型接触电极上，封装制备完成核电池。由于核电池的寿命取决于同位素的半衰期，故而本发明专利技术可以灵活使用防护简单的同位素种类（纯β同位素），大大提高了核电池的能量转换效率和能量密度（能量容积），延长了核电池的使用寿命，同时也为核废料变废为宝、合理利用创造了有效途径。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种ＰＩＮ型核电池，其特征在于：电池底部Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］衬底表面设有ｎ型掺杂层，ｎ型掺杂层表面设有绝缘层，且在绝缘层表面设有表面积小于ｎ型掺杂层的ｐ型掺杂层，而两个接触电极分别设置在对应的ｎ型掺杂层和ｐ型掺杂层表面上，并在ｐ型接触电极表面设有相同表面积的纯β同位素层，其中ｎ型掺杂层是掺杂有硅且掺杂浓度介于１×１０↑［１８］／ｃｍ↑［３］～１×１０↑［１９］／ｃｍ↑［３］的ＧａＮ层；而ｐ型掺杂层是掺杂有镁且掺杂浓度介于１×１０↑［１９］／ｃｍ↑［３］～１×１０↑［２０］／ｃｍ↑［３］的ＧａＮ层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陆敏，
申请(专利权)人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]