深紫外氟化物薄膜元件污染物吸附能力的分析方法技术

深紫外氟化物薄膜元件污染物吸附能力的分析方法，属于深紫外光学技术应用领域，该方法包括一：测试氟化物薄膜样品在镀制完成之初的反射率R0或透过率T0；二：氟化物薄膜样品在放置于应用环境系统中使用或存储一段时间后，测试样品吸附有机物和水汽后的反射率R1或透过率T1；三：用ArF准分子激光器对样品表面进行低功率能量密度辐照，整个光路系统中吹扫干燥的高纯N2，同时用能量计监测透射激光能量；四：对ArF准分子激光器激光辐照后的样品进行步骤一所述的光谱测试，得到经激光辐照后样品的反射率R2或透过率T2；五：当测试值为透过率T时，由η=η1+η2?=(T2-T1)/T1+(T0-T2)/T0运算吸附因子η。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种适用于，属于深紫外光学技术应用领域。
技术介绍
集成电路技术的发展极大地推动了人类信息化社会的进步，成为现代高技术发展中的关键核心技术之一，在国民经济与社会发展中具有举足轻重的重要意义，深紫外光学相关技术的研究具有重大的社会和经济价值。近年来，193nm ArF准分子激光器作为深紫外光刻机的光源取得了广泛应用。深紫外激光光学系统与应用的不断发展对深紫外光学薄膜元件性能及长期稳定性要求都提出了新的挑战。深紫外光学薄膜研究面临的根本问题是由于深紫外波段靠近大多数介质材料的禁带，使得只有氧化物A1203、SiO2和部分氟化物MgF2、LaF3> AlF3等能够满足深紫外薄膜应用的需要。薄膜材料选择的局限性进一步带来了对深紫外光学薄膜制备工艺的制约，对于氟化物，为减少深紫外光学薄膜出现化学计量比失配而导致吸收损耗，热蒸发工艺是制备氟化物薄膜的最佳选择。利用热舟蒸发制备工艺，可以得到吸收较小的深紫外氟化物光学薄膜，但同时也伴随光学薄膜内在结构不够致密、光学薄膜表面较粗糙等缺点。因此，这种采用热舟蒸发工艺所制备的深紫外光学薄膜，由于光学薄膜内在结构不够致密和光学薄膜表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
深紫外氟化物薄膜元件污染物吸附能力的分析方法，其特征是，包括以下步骤：步骤一：利用真空分光光度计在整个腔体吹扫干燥高纯N2的条件下，测试氟化物薄膜样品在镀制完成之初的反射率R0或透过率T0，作为氟化物薄膜样品光谱性能初始值；步骤二：氟化物薄膜样品在放置于应用环境系统中使用或存储一段时间后，将样品放置于真空分光光度计内进行真空环境中光谱测试，得到样品吸附有机物和水汽后的光谱指标反射率R1或透过率T1；步骤三：用ArF准分子激光器对样品表面进行低功率能量密度辐照，整个光路系统中吹扫干燥的高纯N2，同时用能量计监测透射激光能量；步骤四：对ArF准分子激光器激光辐照后的样品，进行步骤一所述的同样的光谱...

【技术特征摘要】
1.深紫外氟化物薄膜元件污染物吸附能力的分析方法，其特征是，包括以下步骤步骤一利用真空分光光度计在整个腔体吹扫干燥高纯N2的条件下，测试氟化物薄膜样品在镀制完成之初的反射率R0或透过率Ttl,作为氟化物薄膜样品光谱性能初始值；步骤二 氟化物薄膜样品在放置于应用环境系统中使用或存储一段时间后，将样品放置于真空分光光度计内进行真空环境中光谱测试，得到样品吸附有机物和水汽后的光谱指标反射率R1或透过率T1 ；步骤三用ArF准分子激光器对样品表面进行低功率能量密度辐照，整个光路系统中吹扫干燥的高纯N2,同时用能量计监测透射激光能量；步骤四对ArF准分子激光器激光辐照后的样品，进行步骤一...

【专利技术属性】
技术研发人员：金春水，靳京城，李春，邓文渊，常艳贺，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：