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PPTC元件表面聚对二甲苯涂层制备预处理工艺制造技术

技术编号:8521033 阅读:205 留言:0更新日期:2013-04-03 23:07
本发明专利技术公开了一种PPTC元件表面聚对二甲苯涂层制备预处理工艺,主要包括去油去污、活化等的操作,采用所述的PPTC元件表面聚对二甲苯涂层制备预处理工艺,工艺步骤简单,效果明显、量产稳定性高;当处理完后敷上聚对二甲苯,使得PPTC元件与聚对二甲苯薄膜的附着力强,使得PPTC元件表面与聚对二甲苯的涂覆效果较好,由此使得对PPTC元件的保护更长久、更有效。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种PPTC元件表面保护涂层制备的预处理工艺,具体涉及一种PPTC元件表面聚对二甲苯涂层制备预处理工艺
技术介绍
PPTC是高分子聚合物正系数温度电阻,S卩高分子正温热敏电阻。PPTC是美商Raychem(现已经并入Tyco Elelctronics)在1981年专利技术,主要应用在电池、计算机、电机、通讯行业的过电流保护上。目前全球的年市场规模大约4亿美元。其中Tyco Elelctronics 市场占有率约65% -70%。PPTC核心由高分子材料和导电颗粒制成,两端以镍制成电极,外部包以树脂或塑料薄膜;特性是在正常电流情况下呈现低电阻,约数mQ到数Q之间。在过电流故障下,电阻急剧升高,从而保护后端电路。由于具有优异的可恢复特性,用于过电流保护时,在故障消除之后,电路可自动恢复到导通状态;大多数PPTC元件的工作温度范围介于-40°C到850C,所以确保应用场合的最小和最大环境温度在PPTC元件的工作温度范围内。PPTC在实际使用中会由于受到空气的氧化导致性能的下降,引起动作的不稳定甚至失效。国外开始使用表面涂层进行保护,较常用的涂层保护方法主要有喷涂、电镀、电泳、化学镀等,但是这些方法不能消除涂层中的缺陷,难以对PPTC提供长期有效的保护。目前,高档手机(例如IPHONE)中开始采用聚对二甲苯作为PPTC的保护涂层,该种涂层为目前最佳的涂层。聚对二甲苯(Poly-p-xylene),商品名帕里绝(Parylene),是通过化学气相沉积法制备的具有聚二甲撑苯撑结构的聚合物薄膜的统称,它有极其优良的电性能、耐热性、耐候性和化学稳定性,主要有Parylene N(聚对二甲苯)、Parylene C(聚一氯对二甲苯)和Parylene D(聚二氯对二甲苯)三种。它是采用真空热解气相堆积工艺制备,可制成极薄的薄膜,主要用作薄膜和涂层,用于电子元器件的电绝缘介质、保护性涂料和包封材料等。最基本的结构称作Parylene N(聚对二甲苯),其结构式如下(ch04Paryfene NParylene C为聚一氯对二甲苯,由相同的单体构成,试试将其中一个芳香烃氢原子用一个氯原子所取代,结构式如下Parytene CParylene N是一种完全线性的高度结晶结构材料,它是一种很好的介电材料,具有非常低的介质损耗、高绝缘强度以及不随频率变化的介电常数,它是所有Parylene中穿透能力最高的一种。Parylene C将良好的电性能、物理性能结合在一起,并且对于水分和其它腐蚀性气体具有极低的渗透性,并可以提供真正的无针孔的覆形保护。因此ParyleneC是涂敷的首选材料,如应用在涂敷于印刷电路板上,使电路板不受潮湿和腐蚀性环境的侵袭,涂敷于医疗器件上使器件具有生物稳定,同时不改变或很小改变相应特性,并且使器件与身体间形成电气和化学的隔离。事实上已经发现Parylene作为涂覆层可以广泛应用于工业、航空、化学、汽车、消费、医药和国防领域中。国内外所采用的工艺较多为四氟化碳等离子体加硅烷偶联剂的处理方法,这种方法腐蚀性强,对设备要求高,工序不易掌握,同时设备较昂贵,增加了生产成本。同时硅烷会对PPTC性能的稳定性有不利的影响。因此,一种工序较简单、量产稳定性高、涂覆效果明显的PPTC元件表面聚对二甲 苯涂层制备预处理工艺亟待出现。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本专利技术的目的在于提供一种工序较简单、量产稳定性高、涂覆效果明显的PPTC元件表面聚对二甲苯涂层制备预处理工艺。为达到上述目的,本专利技术的技术方案如下一种PPTC元件表面聚对二甲苯涂层制备预处理工艺,具体包括如下步骤(I)将PPTC元件置于溶液中,超声波清洗数分钟;(2)将清洗好的PPTC吹干至表面无湿痕;(3)在包含有氧气和氩气的混合气体条件下,对PPTC表面进行5min-30min的等离子体清洗活化处理;(4)接着将 PPTC 置于质量百分比为 0. 1% -2%的肋0(4-11)11(0父-1 ’ Y)n(n = 2,3)水溶液中浸泡数分钟;(5)最后将浸泡过后的PPTC放置于真空烘箱中烘干,完成预处理作业。优选的,步骤(I)中的溶液为水溶液,包括质量百分比为55% -80%溶剂和20 % -45%去尚子水。优选的,所述溶剂包括乙醇、异丙醇和丙酮。优选的,所述氧气和氩气的摩尔质量比为2 1-0.2 I。优选的,步骤(3)中所述的等离子体功率范围为2KW-6KW,频率范围为420KHz-3GHzo优选的,步骤(4)中所述R00(4-n)Ti (OX-R,Y)n(n = 2,3)为钛酸酯。优选的,其中RO-为可水解的短链烷氧基,OX-包括羧基、烷氧基、磺酸基或者磷基。通过上述技术方案,本专利技术技术方案的有益效果是采用所述的PPTC元件表面聚对二甲苯涂层制备预处理工艺,主要包括去油去污、活化等的操作,工艺步骤简单,效果明显,量产稳定性高;当处理完后敷上聚对二甲苯,使得PPTC元件与聚对二甲苯薄膜的附着力强,使得PPTC元件表面与聚对二甲苯的涂覆效果较好,由此使得对PPTC元件的保护更长久、更有效。具体实施例方式为了进一步了解本专利技术,下面结合实施例对本专利技术优选实施方案进行描述,但是应当理解,这些描述只是为进一步说明本专利技术的特征和优点,而不是对本专利技术权利要求的限制。本专利技术提供了一种工序较简单、量产稳定性高、涂覆效果明显的PPTC元件表面聚对二甲苯涂层制备预处理工艺。实施例1,一种PPTC元件表面聚对二甲苯涂层制备预处理工艺,具体包括如下步骤(I)将PPTC元件置于溶液中,超声波清洗数分钟,该溶液为水溶液,包括质量百分比为75%溶剂和25%去离子水,所述溶剂为乙醇。(2)将清洗好的PPTC吹干至表面无湿痕。(3)在包含有氧气和氩气的混合气体条件下,对PPTC表面进行5min-30min的等离子体清洗活化处理;所述述氧气和氩气的摩尔质量比为2 1,等离子体功率范围为2KW-6KW,频率范围为 420KHz-3GHz。(4)接着将 PPTC 置于质量百分比为 0. 5%的 ROO(4_n)Ti (OX-R,Y)n(n = 2,3)水溶液中浸泡25分钟;所述ROO(4-n)Ti(0X-R’ Y)n(n = 2,3)为钛酸酯,其中RO-为可水解的短链烷氧基,OX-为羧基。在本技术方案中,所述的OX-还可以是烷氧基、磺酸基或者磷基,具体实施方式视具体情况而定,在此,本专利技术不做任何限定,以能够实现本专利技术为主。(5)最后将浸泡过后的PPTC放置于真空烘箱中烘干,完成预处理作业。实施例2,一种PPTC元件表面聚对二甲苯涂层制备预处理工艺,具体包括如下步骤(I)将PPTC元件置于溶液中,超声波清洗数分钟,该溶液为水溶液,包括质量百分比为80%溶剂和20%去离子水,所述溶剂为异丙醇。(2)将清洗好的PPTC吹干至表面无湿痕。(3)在包含有氧气和氩气的混合气体条件下,对PPTC表面进行5min-30min的等离子体清洗活化处理;所述述氧气和氩气的摩尔质量比为2 1,等离子体功率范围为2KW-6KW,频率范围为 420KHz-3GHz。(4)接着将PPTC置于质量百分比为1%的R00(4-n)Ti(0X-R’ Y)n(n = 2,3)水溶液中浸泡30分钟;所述ROO(本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种PPTC元件表面聚对二甲苯涂层制备预处理工艺,其特征在于,具体包括如下步骤:(1)将PPTC元件置于溶液中,超声波清洗数分钟;(2)将清洗好的PPTC吹干至表面无湿痕;(3)在包含有氧气和氩气的混合气体条件下,对PPTC表面进行5min?30min的等离子体清洗活化处理;(4)接着将PPTC置于质量百分比为0.1%?2%的R00(4?n)Ti(OX?R’Y)n(n=2,3)水溶液中浸泡数分钟;(5)最后将浸泡过后的PPTC放置于真空烘箱中烘干,完成预处理作业。

【技术特征摘要】
1.一种PPTC元件表面聚对二甲苯涂层制备预处理工艺,其特征在于,具体包括如下步骤(1)将PPTC元件置于溶液中,超声波清洗数分钟;(2)将清洗好的PPTC吹干至表面无湿痕;(3)在包含有氧气和IS气的混合气体条件下,对PPTC表面进行5min-30min的等离子体清洗活化处理;(4)接着将PPTC 置于质量百分比为 O. 1%-2%的 R00(4-n)Ti(0X-R’Y)n(n = 2,3)水溶液中浸泡数分钟;(5)最后将浸泡过后的PPTC放置于真空烘箱中烘干,完成预处理作业。2.根据权利要求1所述的PPTC元件表面聚对二甲苯涂层制备预处理工艺,其特征在于,步骤(I)中的溶液为水溶液,包括质量百分比为55%-80%溶剂和20%-45%去离子水。3.根据权利要求2所述的PPTC元件表面聚对二...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐志淮
申请(专利权)人:徐志淮
类型:发明
国别省市:

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