高信赖性键合方法技术

本发明专利技术属集成电路制造技术领域，尤其涉及一种适用于金丝球焊、铜丝球焊、铝丝压焊等键合工艺的高信赖性键合方法，可按如下步骤实施：并排键合第一号线（1）及第二号线（2）；所述第一号线（1）与第二号线（2）键合时存在高度差D。本发明专利技术操作简单，由于第一号线与第二号线高度不同，在没有磨断较高这条线之前，外部物体不会跟较矮的那条线摩擦，这样键合的断线几率即可大幅降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属集成电路制造
，尤其涉及一种适用于金丝球焊、铜丝球焊、铝丝压焊等键合工艺的。
技术介绍
随着集成电路技术的进步,对混合电路的集成度要求愈来愈高。任何从事芯片表面液态涂覆点胶封装的生产技术人员都认识到，必须密切注意此类器件的液态底部填充过程。参见图1，液态胶涂覆封装，液态EMC从上方注入到键合线四周，受到重力及表面张力的影响胶体会包围在键合线的周围，然后通过高温或紫外线照射等方法使胶体固化。因为是靠重力和张力自然成型的，胶体顶端位置其表面距离键合线很近，在此位置，胶体对键合线的保护较为薄弱，如果有外部物体在键合线顶端位置跟封装体摩擦，就很容易损伤键合线甚至磨断键合线。常规双线键合工艺，两条高度相同的线并排键合(参见图2及图3)，因为两条线高度相同，在最高点，胶体对它们的保护强度跟单线键合方式几乎是相同的。如果因·外部物体摩擦而发生断线，那么两条线会同时被磨断。
技术实现思路
本专利技术旨在克服现有技术的不足之处而提供一种操作简单，可大幅降低键合线被磨断几率的。为达到上述目的，本专利技术是这样实现的。一种，可按如下步骤实施并排键合第一号线及第二号线；所述第一号线与第二号线键合时存在高度差D。本专利技术操作简单，由于第一号线与第二号线高度不同，胶体顶端距离稍矮一点的那条线较远，如果有外部物体跟封装体发生摩擦，那么会先跟较高的那条线进行摩擦，在没有磨断这条线之前，外部物体不会跟较矮的那条线摩擦，这样键合的断线几率即可大幅降低。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步说明。本专利技术的保护范围不仅局限于下列内容的表述。图1为现有液态胶涂覆封装注胶效果示意图。图2为现有常规双线键合示意图。图3为现有常规双线键合注胶效果示意图。图4为本专利技术双线键合示意图。图5为本专利技术键合效果示意图。图中1、第一号线；2、第二号线；3、线；4、EMC ;5、与封装体发生摩擦物体。具体实施例方式参见图4及图5所示，，可按如下步骤实施并排键合第一号线I及第二号线2 ;所述第一号线I与第二号线2键合时存在高度差D。参见图5所示，5为与封装体发生摩擦物体。在没有磨断这条线之前，与封装体发生摩擦物体5不会跟较矮的那条线摩擦，这样键合的断线几率即可大幅降低。本专利技术系一种适用于液态胶涂覆封装的键合方法，此类键合方法可以减小因跟外部物体摩擦而断线的几率，可适用于金丝球焊、铜丝球焊、铝丝压焊等键合工艺。可以理解地是，以上关于本专利技术的具体描述，仅用于说明本专利技术而并非受限于本专利技术实施例所描述的技术方案，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本专利技术进行 修改或等同替换，以达到相同的技术效果；只要满足使用需要，都在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.一种，其特征在于，按如下步骤实施并排键合第一号线(I)及第二号线(2);所述第一号线(I)与第二号线(2)键合时存在高度差D。全文摘要本专利技术属集成电路制造
，尤其涉及一种适用于金丝球焊、铜丝球焊、铝丝压焊等键合工艺的，可按如下步骤实施并排键合第一号线(1)及第二号线(2)；所述第一号线(1)与第二号线(2)键合时存在高度差D。本专利技术操作简单，由于第一号线与第二号线高度不同，在没有磨断较高这条线之前，外部物体不会跟较矮的那条线摩擦，这样键合的断线几率即可大幅降低。文档编号H01L21/60GK103000543SQ20121054932公开日2013年3月27日 申请日期2012年12月18日 优先权日2012年12月18日专利技术者张红波, 李春媚 申请人:可天士半导体(沈阳)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高信赖性键合方法，其特征在于，按如下步骤实施：并排键合第一号线（1）及第二号线（2）；所述第一号线（1）与第二号线（2）键合时存在高度差D。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张红波，李春媚，
申请(专利权)人：可天士半导体沈阳有限公司，
类型：发明
国别省市：