R-T-B类烧结磁体的制造方法技术

一种R-T-B类烧结磁体的制造方法，其包括：准备R-T-B类烧结磁石体（1）的工序；准备含有重稀土元素RH（包含Dy和Tb中的至少一种）并含有30质量％以上且80质量％以下的Fe的RH扩散源的工序；将烧结磁石体（1）和RH扩散源（2）以能够相对移动且能够接近或接触的方式装入处理室（3）内的工序；和一边使烧结磁石体（1）和RH扩散源（2）在处理室（3）内连续地或断续地移动，一边将其加热到超过850℃且1000℃以下的温度的RH扩散工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有R2T14B型化合物为主相的R-T-B类烧结磁体(R为稀土元素，T为以Fe为主的过渡金属元素)的制造方法。
技术介绍
以R2T14B型化合物为主相的R-T-B类烧结磁体，已知作为在永磁体中最高性能的磁体，使用于硬盘驱动器的音圈电机(VCM)、混合动力车搭载用发动机等各种发动机和家电厂 PR οR-T-B类烧结磁体在高温时矫顽力降低，因此，发生不可逆热退磁。为了避免不可逆热退磁，在使用于发动机用等的情况下，要求在高温下也维持高的矫顽力。已知R-T-B类烧结磁体在用重稀土元素RH (包含Dy、Tb中至少一种)取代R2T14B 型化合物相中的R的一部分时，矫顽力会提高。为了在高温下获得高的矫顽力，有效的是向 R-T-B类烧结磁体中添加大量重稀土元素RH。但是，在R-T-B类烧结磁体中，用重稀土元素RH取代轻稀土元素RL (包含Nd、Pr 中的至少一种)作为R时，矫顽力提高，而另一方面，存在剩余磁通密度降低的问题。另外， 重稀土元素RH为稀有资源，因此要求减少其使用量。因此，近年来，研究了以不使剩余磁通密度降低的方式，利用更少的重稀土元素RH 使R-T-B类烧结磁体的矫顽力提高的技术。本申请的申请人在专利文献I中公开了一边对 R-T-B类烧结磁石体表面供给Dy等重稀土元素RH, —边使重稀土元素RH从该表面向R-T-B 类烧结磁性体的内部扩散(“蒸镀扩散”)的方法。在专利文献I中，在由高熔点金属材料构成的处理室的内部，R-T-B类烧结磁石体和RH块体离开规定间隔而相对配 置。处理室具备保持多个R-T-B类烧结磁石体的部件和保持RH块体的部件。在使用这种装置的方法中，必须要在处理室内配置RH块体的工序；放置保持部件和网的工序；在网上配置R-T-B类烧结磁石体的工序；再在其上放置保持部件和网的工序；在网上配置上方的RH块体的工序；将处理室密闭进行蒸镀扩散的工序这样的一系列的操作。专利文献2公开有以提高R-T-B类金属间化合物磁性材料的磁特性为目的，将低沸点的Yb金属粉末和R-T-B类烧结磁石体封入耐热密封容器内进行加热的方法。在专利文献2的方法中，将Yb金属的被膜均匀地沉积在R-T-B类烧结磁石体的表面，使稀土元素从该被膜向R-T-B类烧结磁体的内部扩散(专利文献2的实施例5)。专利文献3公开有一种在使作为重稀土元素含有Dy或Tb的重稀土类化合物的铁化合物附着于R-T-B类烧结磁石体的状态下进行热处理的方法。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2007 / 102391号专利文献2:日本特开2004-296973号公报专利文献3:日本特开2009-289994号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在专利文献I的方法中，与通过溅射处理或蒸镀处理在R-T-B类烧结磁石体的表面形成被膜相比，通过在700°C 1000°C这样的低的温度向R-T-B类烧结磁石体供给重稀土元素RH，向R-T-B类烧结磁石体供给的重稀土元素RH的供给量不会变得过多，因此，能够制作剩余磁通密度几乎没有降低、提高了矫顽力的R-T-B类烧结磁体。但是，由于供给重稀土元素RH的RH块体使用反应性高的物质，因此，在边与R-T-B类烧结磁石体接触边进行加热时，RH块体有可能与R-T-B类烧结磁石体反应而变质。另外，在处理室内，需要以RH块体和R-T-B类烧结磁石体不发生反应的方式，将R-T-B类烧结磁石体和由重稀土元素RH构成的RH块体分开配置，因此，存在用于配置的工序繁琐的问题。另一方面，根据专利文献2的方法，只要为Yb、Eu、Sm那样的饱和蒸气压高的稀土金属，就可以通过同一温度范围(例如800 850°C)的热处理施行被膜在烧结磁石体的形成和从被膜的扩散。但根据专利文献2，为了将Dy和/或Tb那样蒸气压低的稀土元素在 R-T-B类烧结磁石体表面形成被膜、进行沉积，就需要通过使用高频加热用线圈的感应加热将稀土金属选择性地加热到高温。这样，在将Dy和/或Tb加热到比R-T-B类烧结磁石体更高的温度时，需要使Dy和/或Tb与R-T-B类烧结磁石体一定程度地离开。根据专利文献2的技术思想和方法，如果不离开，与专利文献I记载的方法同样地，就会产生RH扩散源与R-T-B类烧结磁石体反应而变质的问题。即使离开，在将粉末状的Dy、Tb选择性地加热到高温时，在R-T-B类烧结磁 石体的表面就会形成较厚(例如数十μ m以上)的Dy和/或Tb 的被膜，因此，在R-T-B类烧结磁性体的表面附近，Dy或Tb就会向主相晶粒的内部扩散，产生剩余磁通密度的降低。根据专利文献3的方法，由于是在Dy或Tb的铁合金的粉末附着于R_T_B类烧结磁石体的状态下进行热处理，所以Dy和/或Tb就会从固定的附着点向R-T-B类烧结磁石体扩散。由于使用的Dy和/或Tb的铁合金为50 μ m IOOnm的微粉末,所以在热处理后， 难以完全地去除，容易残留在热处理炉内。残留于炉内的热处理后的Dy和/或Tb的铁合金与接着进行的R-T-B类烧结磁石体反应，容易变质为污染物。因此在专利文献3中公开的Dy和Tb铁合金的粉末必须在每次热处理时从炉内完全地去除，Dy和/或Tb的铁合金粉末不能多次使用。另外，由于追加了将Dy或Tb的铁合金粉末溶解在溶剂中进行涂布、或形成浆料状进行涂布的工序，因此，存在R-T-B类烧结磁体的制造繁琐的问题。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种R-T-B类烧结磁体的制造方法，该方法不使剩余磁通密度降低而使Dy或Tb的重稀土元素RH从R-T-B类烧结磁石体的表面向内部扩散，能够重复使用RH扩散源，且能够高效地生产R-T-B类烧结磁体。用于解决课题的方法
本专利技术的R-T-B类烧结磁体的制造方法包括准备R-T-B类烧结磁石体的工序; 准备含有重稀土元素RH (包含Dy和Tb中的至少一种)并含有30质量％以上且80质量％ 以下的Fe的RH扩散源的工序；将上述R-T-B类烧结磁石体和上述RH扩散源以能够相对移动且能够接近或接触的方式装入处理室内的工序；和一边使上述R-T-B类烧结磁石体和上述RH扩散源在上述处理室内连续地或断续地移动，一边将上述R-T-B类烧结磁石体和上述RH扩散源加热到超过850°C且1000°C以下的处理温度的RH扩散工序。在某实施方式中，上述处理温度为870°C以上且1000°C以下。在某实施方式中，在上述RH扩散源中含有40质量％以上且80质量％以下的Fe。在某实施方式中，在上述RH扩散源中含有40质量％以上且60质量％以下的Fe。在某实施方式中，上述RH扩散工序包括使上述处理室旋转的工序。在某实施方式中，在上述RH扩散工序中，使上述处理室以圆周速度O. Olm/s以上的速度旋转。在某实施方式中，上述RH扩散工序是将搅拌辅助部件装入上述处理室内而进行的。在某实施方式中，上述搅拌辅助部件包含氧化锆、氮化硅、碳化硅、氮化硼或它们的混合物的陶瓷。在某实施方式中，上述RH扩散工序的上述热处理是将上述处理室的内部压力调节到O. OOlPa以上且大气压以下而进行的。在某实施方式中，包括准备另外的R-T-B类烧结磁石体的工序A ;和RH扩散工序 B，在使上述另外的R-T-B类烧结磁石体和上述RH扩散源以能够相对移动且能够接近或接触的方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.12 JP 2010-1578371.一种R-T-B类烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括准备R-T-B类烧结磁石体的工序；准备含有重稀土元素RH并含有30质量％以上且80质量％以下的Fe的RH扩散源的工序,所述重稀土元素RH包含Dy和Tb中的至少一种；将所述烧结磁石体和所述RH扩散源以能够相对移动且能够接近或接触的方式装入处理室内的工序；和一边使所述烧结磁石体和所述RH扩散源在所述处理室内连续地或断续地移动，一边将所述烧结磁石体和所述RH扩散源加热到超过850°C且1000°C以下的处理温度的RH扩散工序。2.如权利要求1所述的R-T-B类烧结磁体的制造方法，其特征在于所述处理温度为 870°C以上且1000°C以下。3.如权利要求1或2所述的R-T-B类烧结磁体的制造方法，其特征在于在所述RH扩散源中含有40质量％以上且80质量％以下的Fe。4.如权利要求1 3中任一项所述的R-T-B类烧结磁体的制造方法，其特征在于 在所述RH扩散源中含有40质量％以上且60质量％以下的Fe。5.如权利要求1 4中任一项所述的R-T-B类烧结磁体的制造方法，其特征在于 所述RH扩散工序包括使所述处理室旋转的工序。6.如权利要求1 5中任一项所述的R-T-B类烧结磁体的制造方法，其特征在于 在所述RH扩散工序中，使所述处理室以圆周速度O. 01m/s以上的速度旋转。7.如权利要求1 6中任一项所述的R-T-B类烧结磁体的制造方法，其特征在于 所述RH扩散...

【专利技术属性】
技术研发人员：国吉太，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：
国别省市：