本发明专利技术提供一种处理装置，其具备：扩散处理部（10），一边加热R-T-B类烧结磁石体（1）和包含重稀土元素RH（包含Dy和Tb中的至少一种）的金属或合金的RH扩散源（2），一边进行旋转；分离部（20），从由扩散处理部（10）接收的R-T-B类烧结磁石体（1）和RH扩散源（2）中选择性地分离RH扩散源（2）；和热处理部（30），对于扩散有重稀土元素RH的R-T-B类烧结磁石体（1），在去除RH扩散源（2）的状态下进行热处理。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于使重稀土元素RH (包含Dy和Tb中的至少一种)向R_T_B类烧结磁体的内部扩散的处理装置。
技术介绍
以R2T14B型化合物为主相的R-T-B类烧结磁体，已知作为在永磁体中最高性能的磁体，使用于硬盘驱动器的音圈电机(VCM)、混合动力车搭载用发动机等各种发动机和家电制品等。R-T-B类烧结磁体在高温域的矫顽力降低，因此，发生不可逆热退磁。为了避免不可逆热退磁，在使用于发动机用等的情况下，要求在高温域中也维持高的矫顽力。已知在用重稀土元素RH (包含Dy、Tb中的至少一种)取代R2T14B型化合物相时， R-T-B类烧结磁体的矫顽力会提高。为了在高温域也获得高的矫顽力，可以认为有效的是向 R-T-B类烧结磁体中大量添加重稀土元素RH。但是，在R-T-B类烧结磁体中，用重稀土元素RH取代轻稀土元素RL (由NcUPr的至少一方构成)时，矫顽力提高，而另一方面，存在剩余磁通密度降低的问题。另外，重稀土元素RH为稀有资源，因此要求减少其使用量。因此，近年来，研究了不使剩余磁通密度降低，而通过更少的重稀土元素RH使烧结磁体的矫顽力提高的技术。本申请的申请人已经在专利文献I中，公开了一边向R-T-B类烧结磁石体表面供给Dy等重稀土元素RH，一边从该表面使重稀土元素RH向R-T-B类烧结磁石体的内部扩散的方法(蒸镀扩散)。在专利文献I公开的方法中，在由高融点金属材料构成的扩散处理装置的内部，R-T-B类烧结磁石体和RH块体离开规定间隔而相对配置。扩散处理装置具备保持多个R-T-B类烧结磁石体的部件和保持RH块体的部件。在使用这种装置的方法中，必须要在扩散处理装置内配置RH块体工序； 放置保持部件和网的工序；在网上配置R-T-B类烧结磁石体的工序；再在其上放置保持部件和网的工序；在网上配置上方的RH块体的工序；将扩散处理装置密闭进行蒸镀扩散的工序这样的一系列的操作。专利文献2公开有以提高R-T-B类金属间化合物磁性材料的磁特性为目的，将低沸点的Yb金属粉末和R-T-B类烧结磁体成形体封入耐热密封容器内进行加热的方法。在专利文献2的方法中，在烧结磁体成形体的表面均匀地沉积Yb金属的被膜，使稀土元素从该被膜向烧结磁体的内部扩散(专利文献2的实施例5)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本再公表2007 / 102391号公报专利文献2 :日本特开2004-296973号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在专利文献I的方法中，在扩散处理装置内，需要使由R-T-B类烧结磁石体和重稀土元素RH构成的RH块体离开配置。因此，存在用于配置的工序繁琐、批量生产性差之类的问题。另外，Dy和Tb的供给通过升华来进行，因此要增加向R-T-B类烧结磁石体的扩散量， 获得更高的矫顽力，就需要长的时间。另一方面，根据专利文献2的公开，只要为Yb、Eu、Sm那样的饱和蒸气压高的稀土金属，就可以通过同一温度范围(例如800 850°C)的热处理施行被膜在烧结磁石体的形成和从被膜的扩散。但是，要使Dy和Tb那样蒸气压低的稀土元素在R-T-B类烧结磁石体表面形成被膜、进行沉积，就需要通过使用高频加热用线圈的感应加热来选择性地将稀土金属加热到高温。这样，在将Dy和Tb加热到比R-T-B类烧结磁石体更高的温度时，需要使 Dy和Tb与R-T-B类烧结磁石体离开。特别是根据专利文献2的技术思想和方法，在R-T-B 类烧结磁石体的表面形成较厚(例如数十μ m以上)的Dy和/或Tb的被膜，因此，在R-T-B 类烧结磁石体的表面附近，Dy和/或Tb就会向主相晶粒的内部扩散，从而产生剩余磁通密度4的降低。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种处理装置，该装置适用于不会使剩余磁通密度降低而用于使Dy和Tb的重稀土元素RH从R-T-B类烧结磁石体的表面向内部扩散的批量生产。用于解决课题的方法
本专利技术的处理装置，其具备扩散处理部，其一边加热包含重稀土元素RH (包含 Dy和Tb中的至少一种)的金属或合金的RH扩散源和R-T-B类烧结磁石体一边进行旋转； 分离部，其与上述扩散处理部邻接，用于从由上述扩散处理部送出的上述RH扩散源和上述 R-T-B类烧结磁石体中选择性地分离上述RH扩散源而进行旋转；倾斜单元，其使上述扩散处理部和上述分离部倾斜。在优选的实施方式中，上述分离部具有将上述RH扩散源向外部排出的多个开口部，上述开口部的大小比R-T-B类烧结磁石体小。在优选的实施方式中，上述分离部一边旋转，一边将上述R-T-B类烧结磁石体向上述扩散处理部送出，上述扩散处理部进行对于从上述分离部移动而来的上述R-T-B类烧结磁石体的热处理。在优选的实施方式中，上述扩散处理部具有收容第一内壁部的第一外壁部，上述分离部具有收容第二内壁部的第二外壁部，至少上述第一内壁部为圆筒形，包含选自Mo、W、 Nb、Ta中的至少I种金属或合金。在更加优选的实施方式中，在上述内壁部和上述外壁部之间配置有片状的缓冲部件。在优选的实施方式中，在上述扩散处理部的内壁部设有螺旋状的挡板，上述扩散处理部的挡板在第一方向上旋转时，将上述扩散处理部内的上述RH扩散源和上述R-T-B类烧结磁石体向上述分离部送出，且在与上述第一方向相反的第二方向上旋转时，将上述扩散处理部内的上述RH扩散源和上述R-T-B类烧结磁石体保持在上述扩散处理部内。本专利技术的另一种处理装置，其具备扩散处理部，其一边加热包含重稀土元素RH (包含Dy和Tb中的至少一种)的金属或合金的RH扩散源和R-T-B类烧结磁石体一边进行旋转；分离部，其与上述扩散处理部邻接，用于从由上述扩散处理部送出的上述RH扩散源和上述R-T-B类烧结磁石体中选择性地分离上述RH扩散源而进行旋转；热处理部，其与上述分离部邻接，对于在上述扩散处理部中扩散有重稀土元素RH的上述R-T-B类烧结磁石体， 在去除上述RH扩散源的状态下一边旋转一边进行热处理；倾斜单元，其至少使上述扩散处理部、上述分离部和上述热处理部倾斜。在优选的实施方式中，上述分离部具有多个开口部，该开口部一边使从上述扩散处理部接受的上述RH扩散源和上述R-T-B类烧结磁石体向上述热处理部移动，一边将上述 RH扩散源向外部排出。在优选的实施方式中，上述扩散处理部具有收容上述RH扩散源和上述R-T-B类烧结磁石体的圆筒形状的第一内壁部，一边通过上述驱动部使之旋转，一边将上述RH扩散源和上述R-T-B类烧结磁石体向上述分离部送出，上述分离部具有收容有上述RH扩散源和上述R-T-B类烧结磁石体且设有开口部的圆筒形状的第二内壁部，一边通过上述驱动部使之旋转，一边将上述RH扩散源从上述开口部向外部排出，且将上述R-T-B类烧结磁石体向上述热处理部送出，上述热处理部具有收容上述R-T-B类烧结磁石体的圆筒形状的第三内壁部，一边通过上述驱动部使之旋转，一边将上述R-T-B类烧结磁石体向排出口送出。在优选的实施方式中，在上述扩散处理部和上述热处理部的内壁部设有螺旋状的挡板，上述扩散处理部的挡板以螺旋方向与上述热处理部的挡板为反方向的方式保持。在优选的实施方式中，上述扩散处理部具有收容上述第一内壁部的第一外壁部， 上述分离部具有收容上述 第二内壁部的第二外壁部，上述热处理部具有收容上述第三内本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.13 JP 2010-1583631.一种处理装置，其特征在于，具备扩散处理部，一边加热包含重稀土元素RH的金属或合金的RH扩散源和R-T-B类烧结磁石体，一边进行旋转，所述重稀土元素RH包含Dy和Tb中的至少一种；分离部，与所述扩散处理部邻接，用于从由所述扩散处理部送出的所述RH扩散源和所述R-T-B类烧结磁石体中选择性地分离所述RH扩散源而进行旋转；和倾斜单元，使所述扩散处理部和所述分离部倾斜。2.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于所述分离部具有将所述RH扩散源向分离部外侧排出的多个开口部，所述开口部的大小比R-T-B类烧结磁石体小。3.如权利要求1或2所述的处理装置，其特征在于所述分离部一边旋转，一边将所述R-T-B类烧结磁石体向所述扩散处理部送出， 所述扩散处理部进行对于从所述分离部移动而来的所述R-T-B类烧结磁石体的热处理。4.如权利要求1 3中任一项所述的处理装置，其特征在于所述扩散处理部具有收容第一内壁部的第一外壁部，所述分离部具有收容第二内壁部的第二外壁部，至少所述第一内壁部为圆筒形，包含选自Mo、W、Nb、Ta中的至少I种金属或合金。5.如权利要求4所述的处理装置，其特征在于在所述第一内壁部和所述第一外壁部之间或所述第二内壁部和所述第二外壁部之间配置有片状的缓冲部件。6.如权利要求1 4中任一项所述的处理装置，其特征在于在所述扩散处理部的内壁部设有螺旋状的挡板，所述扩散处理部的挡板在第一方向上旋转时，将所述扩散处理部内的所述RH扩散源和所述R-T-B类烧结磁石体向所述分离部送出，并且，在与所述第一方向相反的第二方向上旋转时，将所述扩散处理部内的所述RH扩散源和所述R-T-B类烧结磁石体保持在所述扩散处理部内。7.—种处理装置，其特征在于，具备扩散处理部，一边加热包含重稀土元素RH的金属或合金的RH扩散源和R-T-B类烧结磁石体，一边进行旋转，所述重稀土元素RH包含Dy和Tb中的至少一种；分离部...
【专利技术属性】
技术研发人员：国吉太，中山昭二，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：
国别省市：
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