发光器件制造技术

实施例提供一种发光器件，该发光器件包括：支撑构件；发光结构，该发光结构被布置在支撑构件上，该发光结构包括包含第一和第二区域的第一半导体层、被布置在第二区域上的第二半导体层、以及第一和第二半导体层之间的有源层；第一电极，该第一电极被布置在第一半导体层上；以及第二电极，该第二电极被布置在第二半导体层上，其中，支撑构件包括金属离子以将从有源层发射的第一波长的光转换为不同于第一波长的第二波长的光。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及一种发光器件。
技术介绍
通常，作为发光器件的发光二极管(LED)是半导体器件，其根据电子和空穴的复合来发射光。此LED被广泛地用作光学通信、电子设备等中的光源。 从LED发射的光的频率(或者波长)是在LED中使用的材料的带隙的函数。当具有窄的带隙的半导体材料被使用时，产生低的能量，并且因此产生长的波长光子。另一方面，当具有宽的带隙的材料被使用时，产生高的能量，并且因此产生短的波长光子。例如，AlGaInP材料产生红色波长的光。另一方面，碳化硅(SiC)材料或者III族氮化物基半导体，特别地，GaN材料产生蓝色或者紫外波长的光。最近，发光器件被要求具有高亮度，使得被用作用于照明的光源。为了实现此高亮度，正在进行能够实现均匀的电流分布并且因此增强发光效率的发光器件的制造的研究。
技术实现思路
实施例提供一种发光器件。在一个实施例中，发光器件包括支撑构件；发光结构，该发光结构被布置在支撑构件上，该发光结构包括包含第一和第二区域的第一半导体层、被布置在第二区域上的第二半导体层、以及在第一和第二半导体层之间的有源层；第一电极，该第一电极被布置在第一半导体层上；以及第二电极，该第二电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：支撑构件；发光结构，所述发光结构被布置在所述支撑构件上，所述发光结构包括：第一半导体层，所述第一半导体层包括第一区域和第二区域；第二半导体层，所述第二半导体层被布置在所述第二区域上；以及有源层，所述有源层在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；以及光透射电极层，所述光透射电极层被布置在所述第二半导体层上，其中，所述支撑构件包括金属离子，以将从所述有源层发射的第一波长的光转换为不同于所述第一波长的第二波长的光。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李容京，崔炳然，郑载雄，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：