一种狭缝电极、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种狭缝电极、阵列基板和显示装置，用以提高阵列基板图像亮度的均匀性，降低图像色偏的问题。本发明专利技术提供的狭缝电极包括：至少一个狭缝电极单元，所述狭缝电极单元包括多个沿第一方向排列的第一狭缝组，以及多个沿第二方向排列的第二狭缝组；所述第一狭缝组中包括至少一个沿第一方向排列的狭缝；所述第二狭缝组中包括至少一个沿第二方向排列的狭缝；所述第一狭缝组和所述第二狭缝组间隔排列。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种狭缝电极、阵列基板及显示装置。
技术介绍
目前，薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display, TFT-1XD)的显示模式主要有扭曲向列(Twisted Nematic, TN)模式、垂直取向(Vertical Alignment, VA)模式、平面方向转换(In-Plane-Switching, IPS)模式和高级超维场转换 (ADvanced Super Dimension Switch, ADS)模式等。ADS模式是平面电场宽视角核心技术，其核心技术特性描述为通过同一平面内 狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使 液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工 作效率并增大了透光效率。ADS模式的开关技术可以提高TFT-1XD产品的画面品质，具有 高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优 点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率1-ADS技术、高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种狭缝电极，其特征在于，包括：至少一个狭缝电极单元，所述狭缝电极单元包括多个沿第一方向排列的第一狭缝组，以及多个沿第二方向排列的第二狭缝组；所述第一狭缝组中包括至少一个沿第一方向排列的狭缝；所述第二狭缝组中包括至少一个沿第二方向排列的狭缝；所述第一狭缝组和所述第二狭缝组间隔排列。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：占玙娟，朴求铉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：