一种狭缝电极、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种狭缝电极、阵列基板和显示装置，用以提高阵列基板图像亮度的均匀性，降低图像色偏的问题。本发明专利技术提供的狭缝电极包括：至少一个狭缝电极单元，所述狭缝电极单元包括多个沿第一方向排列的第一狭缝组，以及多个沿第二方向排列的第二狭缝组；所述第一狭缝组中包括至少一个沿第一方向排列的狭缝；所述第二狭缝组中包括至少一个沿第二方向排列的狭缝；所述第一狭缝组和所述第二狭缝组间隔排列。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种狭缝电极、阵列基板及显示装置。
技术介绍
目前，薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display, TFT-1XD)的显示模式主要有扭曲向列(Twisted Nematic, TN)模式、垂直取向(Vertical Alignment, VA)模式、平面方向转换(In-Plane-Switching, IPS)模式和高级超维场转换 (ADvanced Super Dimension Switch, ADS)模式等。ADS模式是平面电场宽视角核心技术，其核心技术特性描述为通过同一平面内 狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使 液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工 作效率并增大了透光效率。ADS模式的开关技术可以提高TFT-1XD产品的画面品质，具有 高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优 点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率1-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨 率S-ADS技术等。如图1所示，现有ADS模式的阵列基板上形成有栅线22和数据线21，相邻的栅线 22和数据线21限定了亚像素区(即R亚像素区、G亚像素区或B亚像素区)，每一个亚像素 区内形成有一个薄膜晶体管(TFT)、条形公共电极24和像素电极25，公共电极24与像素电 极25之间为绝缘层(俯视图未示出)。在无电压时，公共电极24和像素电极25之间无电场， 位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子26不发生偏转；当施加电压时，公共电极24和像 素电极25之间形成水平电场，液晶分子26沿着电场的方向发生偏转，在宽视角的前提下， 实现了较高的透光效率。如图2所示，现有ADS模式的阵列基板通常采用“/\”状的双畴像素结构，即公共电 极34为“/\”状。在施加电压时，液晶分子具有对称取向，显示视角可以在特定角度上呈现 一致的对称性。然而，当旋转屏幕或从不同角度观察屏幕时，由于液晶分子表观长度不同， 显示视角并不是一致对称(例如，在0°、90°、180°和270°方向上的视角与45°、135°、 225°和315°上的视角就有较大差异)，显示效果较差。上述水平摩擦排列的液晶分子模式的显示阵列基板，容易带来水平方向画面明暗 不均的显示缺陷，导致图像的显示品质较差。另外，由于液晶分子水平排列，在观察角度易产生色偏，影响画面显示效果。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种狭缝电极、阵列基板和显示装置，用以提高显示装置显 示图像亮度的均匀性，降低图像色偏，从而提高图像画面的品质。本专利技术实施例提供的一种狭缝电极，包括至少一个狭缝电极单元，所述狭缝电极 单元包括多个沿第一方向排列的第一狭缝组，以及多个沿第二方向排列的第二狭缝组；所述第一狭缝组中包括至少一个沿第一方向排列的狭缝；所述第二狭缝组中包括至少一个沿第二方向排列的狭缝；所述第一狭缝组和所述第二狭缝组间隔排列。较佳地，所述第一狭缝组中包括一个或两个狭缝；所述第二狭缝组中包括一个或两个狭缝。 较佳地，所述第一狭缝组中的狭缝与第二狭缝组中的狭缝之间的夹角为 0° 20°。较佳地，属于第一狭缝组和第二狭缝组相邻的狭缝之间的平均距离为 I μ m 40 μ m。较佳地，所述狭缝电极包括两个狭缝电极单元，两个狭缝电极单元上的狭缝呈镜像分布。较佳地，所述狭缝电极为公共电极或像素电极。本专利技术实施例提供的一种阵列基板，包括所述狭缝电极。本专利技术实施例提供的一种显示装置，包括所述阵列基板。本专利技术实施例提供的一种狭缝电极，包括至少一个狭缝电极单元；所述狭缝电极单元包括多个沿第一方向排列的第一狭缝组，以及多个沿第二方向排列的第二狭缝组； 所述第一狭缝组中包括至少一个沿第一方向排列的狭缝；所述第二狭缝组中包括至少一个沿第二方向排列的狭缝，所述第一狭缝组和所述第二狭缝组间隔排列。狭缝的设置方向不同，相应地，狭缝电极的形状也不同，狭缝电极与对应的电极之间形成的局部电场的方向不同，排列在相邻狭缝周围的液晶分子水平排列方向不同，整体图像亮度达到均匀性。另外， 由于液晶分子固有的特性，液晶分子长轴方向图像呈现蓝色，短轴方向图像呈现出红色。由于排列在相邻狭缝周围的液晶分子水平排列方向不同，多个液晶分子长轴和短轴方向图像呈现不同颜色得到均衡，降低了图像色偏的问题。附图说明图1为现有ADS模式的阵列基板单畴像素结构俯视图； 图2为现有ADS模式的阵列基板双畴像素结构的电极俯视图3为本专利技术实施例提供的阵列基板截面示意图4为本专利技术实施例提供的阵列基板俯视不意图5为本专利技术实施例提供的第一狭缝组和第二狭缝组包括一个狭缝的狭缝电极单元结构示意图6为本专利技术实施例提供的第一狭缝组和第二狭缝组包括两个狭缝的狭缝电极单元结构示意图7为本专利技术实施例提供的第一狭缝组包括一个狭缝和第二狭缝组包括两个狭缝的狭缝电极单元结构示意图8为本专利技术实施例提供的第一狭缝组和第二狭缝组包括一个狭缝的狭缝电极单元结构示意图9为本专利技术实施例提供的液晶分子在公共电极和像素电极的作用下排列方式示意图10为本专利技术实施例提供的包括两个狭缝电极单元的狭缝电极结构示意图。具体实施方式本专利技术实施例提供了一种狭缝电极、阵列基板及显示装置，用以提高显示装置显示图像亮度的均匀性，降低图像色偏，从而提高图像画面的品质。本专利技术实施例针对宽视角类型的显示屏，如ADS模式的显示屏，设置像素电极或公共电极为狭缝电极。其中，狭缝电极包括至少一个狭缝电极单元，所述狭缝电极单元包括多个沿第一方向排列的第一狭缝组，以及多个沿第二方向排列的第二狭缝组；所述第一狭缝组中包括至少一个沿第一方向排列的狭缝；所述第二狭缝组中包括至少一个沿第二方向排列的狭缝；所述第一狭缝组和所述第二狭缝组间隔排列。通过设置不同方向的狭缝，改变狭缝电极的图案，实现液晶分子在像素区域水平方向趋向多个方向的排列方式，改善图像亮度的均匀性，降低色偏问题。需要说明的是，公共电极和像素电极的设置位置可以互换，公共电极可以在像素电极的上方，也可以为像素电极在公共电极的上方，无论哪种电极位于上方，位于上方的电极一定为狭缝电极，位于下方的电极可以为板状电极或狭缝电极。下面通过附图对本专利技术实施例提供的技术方案进行说明。以狭缝电极为像素电极,公共电极为板状电极为例说明。首先介绍一下像素电极所在阵列基板的整体结构。参见图3，本专利技术实施例提供的阵列基板截面图，包括基板1、基板I上的公共电极2和像素电极3，公共电极2和像素电极3通过绝缘层4相绝缘。公共电极2设置在像素电极3下方，即靠近基板I的一侧。图3所示的阵列基板为ADS模式的阵列基板。 其中，所述基板可以为玻璃、塑料等，优选为玻璃。所述绝缘层可以为至少一层，图 3中只是做示意，只要可以实现绝缘效果即可，不做限定。所述公共电极和像素电极的材料及制作工艺均与现有技术相同，在此不做赘述。参见图4，本专利技术实施例提供的阵列基板俯视图。像素电极3位于基板I上呈横向和纵向交叉排列。图4中未体现像素电极3的狭缝设置方式。下面具体说明本专利技术实施例提供的狭缝电极为像素电极时的狭缝设置方式。像素电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种狭缝电极，其特征在于，包括：至少一个狭缝电极单元，所述狭缝电极单元包括多个沿第一方向排列的第一狭缝组，以及多个沿第二方向排列的第二狭缝组；所述第一狭缝组中包括至少一个沿第一方向排列的狭缝；所述第二狭缝组中包括至少一个沿第二方向排列的狭缝；所述第一狭缝组和所述第二狭缝组间隔排列。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：占玙娟，朴求铉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：