像素单元、薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器制造技术

本发明专利技术涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种像素单元、TFT阵列基板及液晶显示器，用于减轻液晶显示器在显示画面时的色差，改善液晶显示器的显示画面品质。本发明专利技术公开了一种像素单元，包括：具有同层设置且相互绝缘的主动区像素电极和被动区像素电极，与所述主动区像素电极电连接的薄膜晶体管TFT开关，以及与主动区像素电极异层设置且电连接的耦合电极，且耦合电极与被动区像素电极具有形成耦合电容的交叠区域。本发明专利技术同时还公开一种TFT阵列基板，包括具有上述技术特征的像素单元；本发明专利技术同时还公开一种ADS模式液晶显示器，包括具有上述技术特征的TFT阵列基板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，特别涉及一种像素单元、薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器。
技术介绍
目前，高级超维场转换(Advanced super Dimension Switch,以下简称ADS)模式液晶显示器因具备广视角、高穿透率、低色差等优点而得到广泛的应用。ADS模式液晶显示器是同一平面内狭缝电极边缘产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层之间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内的狭缝电极间以及狭缝电极正上方所有取向液晶分子都产生旋转，从而提高液晶工作效率并增大透光效率。其中，ADS模式液晶显示器中的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下简称 TFT)阵列基板一般包括衬底基板，以及在衬底基板上呈阵列状分布的像素单元；其中，如图1所示，每一个像素单元包括分别与衬底基板上栅线10和数据线20电连接到的TFT， 通过过孔60与TFT的源极50电连接的像素电极30 ;具体地，像素电极30为具有一定倾斜角度的狭缝电极。TFT阵列基板还包括与像素电极形成电场的公共电极，像素电极30与公共电极之间形成的电场强度的变化控制着液晶分子的偏转程度。ADS模式液晶显示器在工作时，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素单元，其特征在于，包括：具有同层设置且相互绝缘的主动区像素电极和被动区像素电极，与所述主动区像素电极电连接的薄膜晶体管开关，以及与所述主动区像素电极异层设置且电连接的耦合电极，且所述耦合电极与所述被动区像素电极具有形成耦合电容的交叠区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：申莹，涂志中，孙荣阁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：