一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以分散液晶分子表面的直流残留，从而消除因直流残留引起的图像残像的现象。本发明专利技术提供的阵列基板包括：基板、基板上的像素电极、像素电极上方与像素电极相绝缘的公共电极，公共电极上的取向膜，还包括：与至少一个像素电极电性相连的至少一个用于分散液晶分子表面残留电荷的分流电极，所述分流电极位于所述取向膜不与液晶分子相接触的一侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
液晶显示技术迅速发展，并成为目前工业界的新星和经济发展的亮点。在液晶显示蓬勃发展的同时，宽视角、高画质和较快的响应速度等成为显示装置件的迫切要求。目前，超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch, ADS)型、及平面内开关(In-Plane Switching, IPS)型，或垂直对准平面内开关(Vertical Aligment-1n-PlaneSwitching, VA-1PS)型液晶显示等技术,具有宽视角、高画质与较快的响应速度等特性,非常适合应用于各种动态影像用液晶显示领域。ADS模式是平面电场宽视角核心技术，其核心技术特性描述为通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS模式的开关技术可以提高TFT-1XD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：基板、基板上的第一电极、第一电极上方与第一电极相绝缘的第二电极，第二电极上的取向膜，其特征在于，还包括：与至少一个第一电极电性相连的至少一个用于分散液晶分子表面残留电荷的分流电极，所述分流电极位于所述取向膜不与液晶分子相接触的一侧。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：操彬彬，白明基，黄寅虎，徐向阳，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：