硅片切割废砂浆中二氧化硅、硅和碳化硅的测定方法技术

本发明专利技术公开了硅片切割废砂浆中二氧化硅、硅和碳化硅的测定方法，通过样品预处理、样品反应、样品显色、二氧化硅含量的测定、硅含量的测和碳化硅含量的测定等步骤进行测定；该方法采用分光光度计法和重量法相结合来完成测定，通过计算公式得出切割废砂浆中二氧化硅、硅和碳化硅的含量。本发明专利技术具有精确度高，准确度高，成本低，便于操作的特点。适用于硅片切割废砂浆中二氧化硅、硅和碳化硅含量的测定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能、电子行业硅片切割废砂浆回收领域，特别是涉及测定太阳能、 电子行业硅片切割废砂浆中二氧化硅、硅和碳化硅的方法。
技术介绍
硅单质作为重要的光电材料、半导体材料，几乎占了成本的50%。在实际加工过程中，需要将单质硅体进行线切割制成符合要求的硅片，这就不可避免的存在一定量的硅(含量高达509Γ529Ο以磨损、掉落的方式进入切割液中。随着切割液中硅含量的增加，切割效率降低，最终导致切割液不能满足切割要求而形成废砂浆，其组成一般为聚乙二醇、碳化硅、 硅、二氧化硅、金属粉末及其氧化物等。国内外对于切割废砂浆的回收技术可以分为两大步骤，即固液分离和固固分离。 固液分离主要是指分离聚乙二醇和固体混合物，固固分离主要是分离硅和碳化硅。经过固液分离回收聚乙二醇之后，剩下的固体混合物主要含有硅、二氧化 硅和碳化硅，如何准确测定这三者的含量，是进行下一步分离的前提条件，而目前专利中没有关于这方面的报道。现行国标GB/T3045-2003规定了一种测定普通磨料碳化硅的化学分析方法，其中包含硅，二氧化硅和碳化硅的分析方法。该方法采用二氧化硅与无水碳酸钠于钼坩埚中850°C "900°C 本文档来自技高网...

【技术保护点】
硅片切割废砂浆中二氧化硅、硅和碳化硅的测定方法，其特征在于，它包括以下步骤：（1）样品预处理：对硅片切割废砂浆进行固液分离去除聚乙二醇，酸洗去除金属粉末及其氧化物，然后用蒸馏水反复清洗直至pH值为6.5~7，得到水洗后只含二氧化硅、硅和碳化硅的固体颗粒，并进行干燥；（2）样品反应：将步骤（1）得到的固体颗粒研细，干燥，取其中的M?g，放入塑料烧杯中，加入氯化钾溶液、盐酸和氢氟酸，所加入的体积毫升量分别是待测试样质量克数的20倍、60倍、60倍，在50~70℃水浴上加热20min~60min，冷却，加入氯化铝溶液，所加入的体积毫升量是待测试样质量克数的240倍，混匀，移入100mL容量瓶中，稀释...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁辉，邓腾，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：