【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种防腐蚀压阻式压力传感器。
技术介绍
传统的机械量压力传感器是基于金属弹性体受力变形，由机械量弹性变形到电量转换输出，但体积大成本高。相对于传统的机械量传感器，MEMS压力传感器的尺寸更小,最大的不超过一个厘米，相对于传统“机械”制造技术，其性价比大幅度提高。目前的MEMS压力传感器主要为硅压阻式压力传感器，其采用高精密半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥作为力电变换测量电路的，具有较高的测量精度、较低的功耗和极低的成本。惠斯顿电桥的压阻式传感器，如无压力变化，其输出为零，几乎不耗电。通常情况下该种压力传感器可以准确测量环境压力，但如果环境中存在腐蚀性物质，会导致半导体电阻应变片损坏，减少其使用寿命，亟待改进。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提出一种防腐蚀压阻式压力传感器，通过本专利技术的实施，延长了压阻式压力传感器的使用寿命。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案一种防腐蚀压阻式压力传感器，包括由四个半导体电阻应变片组成的惠斯顿电桥，每个半导体电阻应变片都安装在探测外壳上，并且每个半导体电阻应变片都包覆一层合成树脂。优选地，所述合成树脂的厚度为10-20微米。优选地，所述合成树脂的厚度为15微米。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果本专利技术中，在压阻式传感器外部包覆一层合成树脂，利用合成树脂的防腐蚀特性，保护半导体电阻应变片不受外界环境侵蚀，延长了压阻式压力传感器的使用寿命。专利技术附1是本专利技术实施例1提供的一种防腐蚀压阻式压力传感器示意图；图2是本专利技术实施例1中半导体电阻应变片的剖面图。具体实施例方式...
【技术保护点】
一种防腐蚀压阻式压力传感器，其特征在于，包括：由四个半导体电阻应变片组成的惠斯顿电桥，每个半导体电阻应变片都安装在探测外壳上，并且每个半导体电阻应变片都包覆一层合成树脂。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：骆垠旭，瞿庆广，查德昌，杨齐红，王汉才，
申请(专利权)人：安徽埃克森科技集团有限公司，
类型：发明
国别省市：
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