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一种具有自封装结构的贴片式单电阻压阻式压力传感器制造技术

技术编号:8451711 阅读:204 留言:0更新日期:2013-03-21 07:44
一种具有自封装结构的贴片式单电阻压阻式压力传感器,涉及一种压力传感器。设芯片主体、压敏电阻、连接锚点、金属层、镶嵌电路、印刷电路板、电极、锡钎焊和压力腔;芯片主体设带空腔的玻璃晶圆片和硅薄膜,玻璃晶圆片与硅薄膜通过阳极键合结合;压敏电阻设在硅薄膜下表面,金属层溅射在连接锚点上,连接锚点与金属层形成欧姆接触,镶嵌电路分别与压敏电阻和连接锚点相连接,镶嵌电路设于玻璃晶圆片表面上,电极设于印刷电路板上,芯片上的铜电极由锡钎焊与电极连接并组成惠斯登电桥;压敏电阻通过键合界面引出电极与外界焊盘实现电连接,镶嵌电路将密封的压力腔内的信号输出至外部电路。高可靠性且适用于潮湿、酸碱、静电等恶劣环境。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种压力传感器,尤其是涉及一种具有自封装结构的贴片式单电阻压阻式压力传感器
技术介绍
在传感器的各应用领域中,温度、流量、压力、位置是最常见的测试参数。在各类传感器中,因压力传感器可广泛用于压力、高度、液体的流量、流速、液位、压强的测量与控制,它已成为传感器技术最成熟、性能比稳定的一类传感器。根据工作原理的不同,压力传感器可以分为机械膜片电容式、娃膜片电容式、压电式、压阻式、光纤式、声表面波式、霍尔效应式压力传感器等。压阻式压力传感器以其结构简单、输出信号大、信号处理简单等优点得到人们的青睐。然而,尽管压阻式压力传感器已经是一种很成熟的商业化产品,但作为其核心的MEMS压阻式压力传感器芯片有以下三个问题影响了压力传感器的可靠性应用I)芯片上组成惠斯通电桥的四个压敏电阻的一致性差在传统硅压阻式压力传感器中,惠斯登电桥中的四个压敏电阻都制作在传感器芯片的敏感薄膜上,由于四个电阻无法制备成完全一样,导致零点漂移,甚至负偏压的产生,使放大器无法正常工作。为了解决上述问题,部分学者通过匹配外电路电阻使电压值处于放大器的有效放大区间。虽然这种方法一定程度上解决了负电压产生的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有自封装结构的贴片式单电阻压阻式压力传感器,其特征在于设有芯片主体、压敏电阻、连接锚点、金属层、镶嵌电路、印刷电路板、电极、锡钎焊和压力腔;所述芯片主体设有带空腔的玻璃晶圆片和硅薄膜,所述玻璃晶圆片与硅薄膜通过阳极键合结合;所述压敏电阻设在硅薄膜下表面,金属层溅射在连接锚点上,连接锚点与金属层形成欧姆接触,镶嵌电路分别与压敏电阻和连接锚点相连接,镶嵌电路设于玻璃晶圆片表面上,电极设于印刷电路板上,芯片上的铜电极由锡钎焊与电极连接并组成惠斯登电桥;所述压敏电阻通过键合界面引出电极与外界焊盘实现电连接,镶嵌电路将密封的压力腔内的信号输出至外部电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:伞海生宋子军
申请(专利权)人:厦门大学
类型:发明
国别省市:

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