一种二硼化镁基超导片的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种二硼化镁基超导片的制造方法包括如下步骤：（1）将干燥的镁、硼、铪和硅粉末按照原子比?Mg∶Hf∶B∶Si?＝1-x∶x∶2-x∶x的比例充分混合1-2小时，其中0.05≤x≤0.20；（2）将混合后的粉末施加压力为20-80MPa压制成片；（3）将压制的片置于真空退火炉中，于室温下抽真空，待真空度达到10-3?Pa后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以大于60℃/分钟的升温速率将制得的超导片加热，在740℃-760℃的温度下保温1-10小时；（4）最后以大于25℃/分钟的冷却速率冷却至室温，制成二硼化镁基超导片。该方法提供了一种制备过程简单并适宜于大规模生产、且在3特斯拉以上的背景磁场中具有高临界电流密度的?MgB2?基超导材料及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种超导材料的制备方法。
技术介绍
二硼化镁(MgB2)是目前临界转变温度最高的金属间化合物超导材料，它的临界转变温度(39-40K)高于目前已经进行实际应用的Nb3Sn和NbTi等超导材料。较高的转变温度、较大的相干长度、较高的上临界场、晶界不存在弱连接、结构简单、成本低廉等优点使MgB2成为应用在20K-30K温度范围的材料最有力的竞争者。特别是在低场领域，如在磁共振成像磁体应用方面，MgB2表现了极大的优势，已经有数据表明，MgB2的实用化将带来数十亿的经济效益，而且由于可以在制冷机制冷条件下工作，MgB2的应用将会大大推动磁共振成像仪的推广，对于中国广大的乡村人民医疗水平 的提高具有十分重要的意义。然而，目前制备的MgB2材料的临界电流密度与低温超导材料和A15超导材料相比还比较低，而且会随着磁场强度的增加而急剧的减小。提高MgB2的临界电流密度是一个难题，因为当电流通过超导材料时就会产生电子涡旋，电子涡旋的运动消耗能量，进而破坏材料的超导能力。如果涡旋能钉扎在杂质或缺陷上并且不影响无阻电流的流动，将可以大大提高临界电流密度。因此，为了提高MgB2在一定磁场下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二硼化镁基超导片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将干燥的镁、硼、铪和硅粉末按照原子比?Mg∶Hf∶B∶Si?＝1?x∶x∶2?x∶x的比例充分混合1?2小时，其中0.05≤x≤0.20；（2）将混合后的粉末施加压力为20?80MPa压制成片；（3）将压制的片置于真空退火炉中，于室温下抽真空，待真空度达到10?3?Pa后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以大于60℃/分钟的升温速率将制得的超导片加热，在740℃?760℃的温度下保温1?10小时；（4）最后以大于25℃/分钟的冷却速率冷却至室温，制成二硼化镁基超导片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊，王斌，陈丽，
申请(专利权)人：溧阳市生产力促进中心，
类型：发明
国别省市：